QPM3-1200-0032A

  • engineering sample Gen3 1200V/32mOhm SiC MOSFET die (QPM3-1200-0032A) each capable of supporting a minimum drainsource breakdown voltage (VBR-IDSS) of 1200V DC and with a nominal on-resistance (RDS-ON) of 32 mOhm at VGS = 15V and 25C.

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厂牌 WOLFSPEED
品类
系列 QPM3QPM3-1200
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等级认证标准
工作温度
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型号 描述 品质保证 价格(含增值税)

QPM3、QPM3-1200系列

engineering sample Gen3 1200V/32mOhm SiC MOSFET die (QPM3-1200-0032A) each capable of supporting a minimum drainsource breakdown voltage (VBR-IDSS) of 1200V DC and with a nominal on-resistance (RDS-ON) of 32 mOhm at VGS = 15V and 25C.

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QPM3、QPM3-1200系列

Ea. engineering sample Gen3 1200V/16mOhm SiC MOSFET die (QPM3-1200-0016A) each capable of supporting a minimum drainsource breakdown voltage (VBR-IDSS) of 1200V DC and with a nominal on-resistance (RDS-ON) of 16 mOhm at VGS = 15V and 25C.

最小包装量:1

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