C3M0016120K

  • engineering sample Gen3 1200V/16mOhm SiC MOSFET die (QPM3-1200-0016A) in TO247-4L packaging, each capable of supporting a minimum drain-source breakdown voltage (VBR-IDSS) of 1200V DC and with a typical on-resistance (RDS-ON) of 16 mOhm at VGS = 15V and 25C.

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厂牌 WOLFSPEED
品类
系列 C3M0016120
最小包装量 600
封装
安全/环境规范
应用等级
等级认证标准
工作温度
湿气敏感性等级(MSL)
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型号 描述 品质保证 价格(含增值税)

C3M0016120系列

engineering sample Gen3 1200V/16mOhm SiC MOSFET die (QPM3-1200-0016A) in TO247-4L packaging, each capable of supporting a minimum drain-source breakdown voltage (VBR-IDSS) of 1200V DC and with a typical on-resistance (RDS-ON) of 16 mOhm at VGS = 15V and 25C.

最小包装量:600

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