英诺赛科（Innoscience）INN650D02—650V 增强型氮化镓场效应晶体管数据手册
发布时间：
-
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
英诺赛科（Innoscience）
型号：
INN650D02
加工定制
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
英诺赛科（Innoscience）INN650D02—650V GaN增强型功率晶体管数据手册
Rev.1.0
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| 测试报告 - 英文 |
INN650D02 650V E型氮化镓场效应晶体管产品可靠性报告
Revision 1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCNA2104：DFN 8x8模块产品的备用引线框架供应商
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
英诺赛科（Innoscience）INN650D01—650V 增强型氮化镓场效应晶体管 数据手册
Version 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
平台：S650E2.0--650V E-MODE氮化镓FET产品可靠性报告
Revision 1.4
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCNA2101：DFN模块中HV设备的备用装配位置（这是对PCNA2101的更新）
2.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650D070AH 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev. 1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCNA2101：DFN模块中HV设备的备用装配位置
Vesion:1.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650DA01 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev.1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCNA2107：高压装置的备用阴极保护测试位置
Revision: 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650DA04 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650DA04 650V氮化镓增强型功率晶体管
Revision 1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCNA2106：DFN 5x6模块产品的备用引线框供应商
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650DA02 650V氮化镓增强型功率晶体管初步数据表
Rev.0.1
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| 数据手册 - 英文 |
INN650D080BS 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650D150A 650V氮化镓增强型功率晶体管
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650D260A 650V氮化镓增强型功率晶体管
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650DA260A 650V氮化镓增强型功率晶体管
Revision 1.0
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| 电路原理图 - 英文 |
Innoscience INN650D02 60W PD电源QR
RV.1
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| 数据手册 - 英文 |
INN650D190A 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650D140A 650V氮化镓增强型功率晶体管规格书
Rev. 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
INN650D350A 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
INN650D240A 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev. 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
INN650DA600A 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev 1.0
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INN650DA190A 650V氮化镓增强型功率晶体管
Rev. 1.0
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技术论坛
英诺赛科GaN FET INN650D02 源级（S极）在芯片底部，传统的贴片MOS产品底部一般为D极，这样做的目的是什么？
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GaN工艺的MOSFET在开关电源应用中，相对于普通的Si工艺MOSFET，效率能提升多少？
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氮化镓场效应晶体管INN650D01和INN650D02，是否有更高的电流级
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英诺赛科65W PD demo板使用GaN INN650D02，最大效率可以达到多少？
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利用650V GaN FET INN650D01和INN650D02实现65W快充设计,有具体的方案吗?
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请问英诺赛科的GaN器件有适合做220VAC转48VDC开关电源的型号吗？
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寻找一个合适的RF Power GaN/SiC MOSFET，用于驱动，需求是能给入8A大电流，100MHZ频率的器件。请问哪些产品比较合适？
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650V的氮化镓有吗?
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请问有氮化镓充电器65W的方案吗？
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在做数字源表项目时，用到一颗英诺赛科的INN650D150A，在做负压驱动时，负压一直被箝位在2V左右，是怎么回事？
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有100W GaN快充方案吗，最高频率可以设计到多大？效率可以做到多少，
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替代NV6136A,可以用英诺赛科GaN的什么型号?
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100W，TYP-C的充电器方案，你们有吗
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英诺赛科PD快充产品方案目前最大功率做到多少，100W可以吗，是否有成熟方案推荐？
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8KW光伏逆变器项目，想试用一下650V高压GaN，提升转换效率；请问贵司有没有合适方案推荐？
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33W氮化镓快充115Vac输入 需求GaN晶体管 要求封装尽量小
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世强AI
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应用/方案
森国科第五代TMPS碳化硅二极管KS06065D应用于讯天宏100W 3C1A氮化镓充电器设计
充电头网的拆解报告显示：东莞市讯天宏智能科技推出的一款氮化镓充电器的PFC升压整流管采用了森国科第五代TMPS碳化硅二极管：型号为KS06065D，耐压650V，正向电流6A，最高工作温度175℃，采用PDFN5*6封装。
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英诺赛科全链路氮化镓方案发布，从前端PSU电源到主板DC/DC模块，助力数据中心系统损耗减少50%
双碳目标持续发酵，数据中心这个“能耗大户”，早已得到各方面的关注。为满足数据中心绿色化转型的需求，英诺赛科推出了全链路氮化镓方案，从前端PSU电源到主板DC/DC模块，以及芯片的直接供电，全面提升数据中心效率，加速数据中心技术迭代。
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【应用】iQOO手机原装120W超快迷你充电器，内置英诺赛科定制氮化镓芯片，支持超高开关频率
充电头网最近拿到了iQOO手机标配的一款120W超快闪充迷你充电器，这款充电器内置英诺赛科定制氮化镓功率芯片，由奥海科技代工生产，整体十分小巧且通用性不错。 充电器不仅支持自家私有闪充，还支持65W PD快充以及具备PPS电压档位，可以满足绿厂用户外出情况下，手机和笔记本电脑共用充电，降低携带成本。
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【应用】亚成微自研开关电源芯片+同步整流芯片+同步整流管，提供33W-PD快速充电器应用方案
亚成微电子推出了一款全国产化33W氮化镓充电器，该方案通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，具有体积小、功率高、功耗低以及功率密度高等特点，有效帮助快充电源厂商加速中小功率氮化镓快充量产并节省物料成本。
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碳化硅写入十四五规划，大功率快充电源市场成为第三代半导体突破口
今年三月，第三代半导体被列入十四五规划，适合第三代半导体发展的环境逐步形成。目前市场上可用于大功率USB PD快充电源领域的碳化硅有五家供应商，其中泰科天润、美浦森和森国科均已有量产项目；氮化镓方面，英诺赛科的氮化镓开关管也多次导入行业热门项目。
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氮化镓快充完整解决方案：原理图、BOM、设计参考、免费样品
本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。所有推荐产品均可以提供免费样品，100%保证原厂正品，同时保证提供最具竞争力的代理商价格。
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世强平台可提供全方面的器件，助力采用氮化镓技术符合Type-C协议的60W PD快充设计
基于氮化镓采用Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，其中 60W的PD快充是目前主流的功率段之一。基于原理示意图，世强平台可提供里面的PD快充设计的全方面的器件和相关资料，协助高效高密的PD快充设计。
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