IDT74FCT163827A/C 3.3V CMOS 20-BIT BUFFER
发布时间：
2019-04-09
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT74FCT163827A; IDT74FCT163827C; XXFCTXXXXXXXXXX; 74FCT163827APAG; 74FCT163827APAG8; 74FCT163827CPAG; 74FCT163827CPAG8; FCT163827A; FCT163827C; FCT163827
加工定制
布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制，最小晶粒高度：0.3 mm； 最小横截面：0.2 mm； 最小节距：0.15 mm；能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。
立即提交 CCD/EMCCD/CMOS/sCMOS相机 TEC定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74FCT163827A/C 3.3V CMOS 20-BIT BUFFER
05/06/2019
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
74FCT163827A/C 3.3V CMOS 20-BIT BUFFER
MAY 2019
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）PDN#：逻辑-01-01
1/29/2001
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
逻辑产品概述
2018/02/16
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
逻辑产品概述
REVA
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
3.3V CMOS 20-BIT BUFFER IDT74FCT163827A/C
SEPTEMBER 2017
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）附录
May 22, 2000
|
下载 |
| 技术文档 - 中文 |
逻辑产品概览
REVA
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）PDN#：逻辑-00-07
5/22/00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT16501AT/CT FAST CMOS 18-BIT REGISTERED TRANSCEIVER
2009-9
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A0803-02 TSSOP-48、TSSOP-56（标准和绿色）
REV. 00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT162511AT/CT带奇偶校验的快速CMOS 16位注册/锁存收发器数据表
SEPTEMBER 2009
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司2975 Stender Way，Santa Clara，CA-95054产品/工艺变更通知（PCN）
12/5/2003
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司2975 Stender Way，Santa Clara，CA-95054产品/工艺变更通知（PCN）
5/25/2004
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT162823AT/CT快速CMOS 18位寄存器数据表
SEPTEMBER 2009
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：TB1503-01
July 22, 2015
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT16373AT/CT快速CMOS 16位透明锁存器数据表
JULY 2017
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：TB1503-01（R1）
October 23, 2015
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT16543AT/CT FAST CMOS 16-BIT LATCHED TRANSCEIVER
07/31/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT16543AT/CT FAST CMOS 16-BIT LATCHED TRANSCEIVER
07/31/2017
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）PDN#：逻辑-01-02
1/29/2001
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT162245T/AT/CT FAST CMOS 16-BIT BIDIRECTIONAL TRANSCEIVER
SEPTEMBER 2009
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）TB-0510-05
REV.07
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT16952AT/CT/ET快速CMOS 16位注册收发器数据表
MAY 2018
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：A1312-06
January 10, 2014
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT163344A/C 3.3V CMOS一对四地址/时钟驱动器数据表
SEPTEMBER 2009
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知
Rev. 01
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知
5/22/2000
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：L0203-09R2
8/16/2004
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT16373AT/CT FAST CMOS 16-BIT TRANSPARENT LATCH
07/31/2017
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）
3-Jul-2015
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）
July 28, 2015
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）
REV. 00
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
地面弹跳测量和比较的神话应用说明
本文详细探讨了地弹跳现象及其对高速元器件性能的影响。文章首先介绍了地弹跳的成因和影响，包括对信号质量和逻辑门切换的影响。接着，文章分析了地弹跳的测量方法，包括传统测量方法和准确测量方法，并讨论了Vcc弹跳的测量问题。此外，文章还探讨了地弹跳的影响因素，如驱动电平、交叉电流、封装设计等，并提出了避免地弹跳问题的设计建议。
阅读原文 >>
地面弹跳测量和比较的神话应用说明
本文详细探讨了地弹跳现象及其对高速元器件性能的影响。文章首先介绍了地弹跳的成因和影响，包括对信号质量和逻辑门切换的影响。接着，文章分析了地弹跳的测量方法，包括传统测量方法和准确测量方法，并讨论了Vcc弹跳的测量问题。此外，文章还探讨了地弹跳的影响因素，如驱动电平、交叉电流、封装设计等，并提出了避免地弹跳问题的设计建议。
阅读原文 >>
FCT-T双密度逻辑特性及应用说明
本文介绍了IDT公司Double-Density逻辑产品线，包括其特性、应用和电气参数。Double-Density逻辑提供小封装尺寸、极低功耗、低泄漏、减少地弹跳和多种输出驱动级别。文章详细讨论了不同类型的Double-Density逻辑，如高驱动、平衡驱动和BD-Lite，以及它们在工业温度和电压下的性能。此外，还涵盖了直流和交流电气特性、功耗、温度效应、I/O端口特性、总线竞争和与FCT八位的比较。
阅读原文 >>
FCT-T双密度逻辑特性及应用说明
本文介绍了IDT公司Double-Density逻辑产品线，包括其特性、应用和电气参数。Double-Density逻辑提供小封装尺寸、极低功耗、低泄漏、减少地弹跳和多种输出驱动级别。文章详细讨论了不同类型的Double-Density逻辑，如高驱动、平衡驱动和BD-Lite，以及它们在工业温度和电压下的性能。此外，还涵盖了直流和交流电气特性、功耗、温度效应、I/O端口特性、总线竞争和与FCT八位的比较。
阅读原文 >>
FCT-T双密度逻辑特性及应用说明
本文介绍了IDT公司Double-Density逻辑产品线，包括其特性、应用和电气参数。Double-Density逻辑提供小封装尺寸、极低功耗、低泄漏、减少地弹跳和多种输出驱动级别。文章详细讨论了不同类型的Double-Density逻辑，如高驱动、平衡驱动和BD-Lite，以及它们在工业温度和电压下的性能。此外，还涵盖了直流和交流电气特性、功耗、温度效应、I/O端口特性、总线竞争和与FCT八位的比较。
阅读原文 >>
FCT-T双密度逻辑特性及应用说明
本文介绍了IDT公司Double-Density逻辑产品线，包括其特性、应用和电气参数。Double-Density逻辑提供小封装尺寸、极低功耗、低泄漏、减少地弹跳和多种输出驱动级别。文章详细讨论了不同类型的Double-Density逻辑，如高驱动、平衡驱动和BD-Lite，以及它们在工业温度和电压下的性能。此外，还涵盖了直流和交流电气特性、功耗、温度效应、I/O端口特性、总线竞争和与FCT八位的比较。
阅读原文 >>
【产品】16位高速、低功耗寄存收发器74FCT16952T，输出偏斜小于250ps
IDT（Renesas收购）推出的74FCT16952T，是一种16位高速、低功耗寄存收发器。经过组织可用作两个独立的8位D型寄存收发器，具有独立的输入和输出控制，用于对任意方向的数据流进行独立控制。也可通过将独立收发器的控制引脚绑在一起来实现完全的16位操作。其输出缓冲器具有断电禁用功能，当用作背板驱动器时允许板的“热插入”。该产品的工作温度范围为-40℃至+85℃，符合工业级温度环境要求。
阅读原文 >>
【产品】20位缓冲器74FCT163827，输入可以由3.3V或5V器件驱动
IDT（Renesas收购）推出的74FCT163827， 是一种20位缓冲器，为宽数据/地址路径或承载奇偶校验的总线提供高性能总线接口缓冲。74FCT163827具有串联限流电阻，从而减少了对外部串联终端电阻的需求。74FCT163827的输入可以由3.3V或5V器件驱动，从而可以在3.3V / 5V混合电源系统中用作转换器。该产品的工作温度为-40℃至+85℃。
阅读原文 >>
【产品】16位高速、低功耗锁存收发器74FCT16543T，输出偏斜小于250ps
IDT（Renesas收购）推出的16位高速、低功耗锁存收发器74FCT16543T，由两个独立的8位D型锁存收发器组成，具有独立的输入和输出控制，可以用于对任意方向的数据流进行独立控制。
阅读原文 >>
3.3电压逻辑特性和应用说明
本文详细介绍了3.3伏逻辑电路的特性及其应用。文章首先阐述了3.3伏逻辑电路在降低功耗、提高系统性能和密度方面的优势，并分析了其在便携式设备、空间和军事系统等领域的应用。随后，文章重点介绍了IDT公司3.3伏逻辑电路的特点，包括电源条件、输入输出特性、AC性能、功耗、可靠性和噪声考虑等方面。此外，文章还讨论了3.3伏与5伏逻辑电路的接口问题，并提供了相应的解决方案。
阅读原文 >>
3.3电压逻辑特性和应用说明
本文详细介绍了3.3伏逻辑电路的特性及其应用。文章首先阐述了3.3伏逻辑电路在降低功耗、提高系统性能和密度方面的优势，并分析了其在便携式设备、空间和军事系统等领域的应用。随后，文章重点介绍了IDT公司3.3伏逻辑电路的特点，包括电源条件、输入输出特性、AC性能、功耗、可靠性和噪声考虑等方面。此外，文章还讨论了3.3伏与5伏逻辑电路的接口问题，并提供了相应的解决方案。
阅读原文 >>
为R4000设计读写缓冲区™ 系统接口应用说明
本文介绍了为R4000系统接口设计读写缓冲器的基本概念。内容涵盖R4000微处理器的架构、系统接口的信号和总线、读写缓冲器的设计和实现，以及读写缓冲器在不同场景下的应用。文章通过具体的逻辑电路实例，详细阐述了如何使用离散逻辑FIFO和流水线寄存器来实现读写缓冲器。
阅读原文 >>
【产品】16位高速、低功耗、边缘触发的D型寄存器74FCT16374T，三种速度可供选择
IDT（Renesas收购）推出的74FCT16374T是一种16位高速、低功耗、边缘触发的D型寄存器，是用于数据同步和存储的缓冲寄存器的理想选择，可以用作两个8位寄存器或一个带有公共时钟的16位寄存器。74FCT16374T非常适合驱动高电容负载和低阻抗信号板。该芯片的工作温度范围为-40°C~+85°C。
阅读原文 >>
【产品】16位高速、低功耗、边缘触发的D型寄存器74FCT163374，输入可由3.3V或5V器件驱动
IDT（Renesas收购）推出的74FCT163374 是一种16位高速、低功耗、边缘触发的D型寄存器，是用于数据同步和存储的缓冲寄存器的理想选择。将输出使能(xOE和时钟 (xCLK)控件组织为两个8位或一个具有公共时钟的16位寄存器来操作每个设备。74FCT163374的输入可以由3.3V或5V器件驱动，从而可以在3.3V / 5V混合电源系统中用作转换器。
阅读原文 >>
【产品】16位高速低功耗透明D型锁存器74FCT16373T，低输入和输出漏电流最大值仅1μA
IDT（Renesas收购）推出的74FCT16373T是一款16位高速低功耗透明的D型锁存器，非常适合于临时存储数据，可用于实现内存地址锁存、I/O端口和总线驱动器。该器件的输出使能和锁存使能控制经过组织用作两个8位锁存器或一个16位锁存器来操作每个设备。其中输出缓冲器具有断电禁用功能，当用作背板驱动器时允许板的“热插入”。该芯片的工作温度范围为-40°C~+85°C。
阅读原文 >>
为R4000设计读写缓冲区™ 系统接口
本文介绍了为R4000系统接口设计读写缓冲器的基本概念。内容涵盖R4000微处理器的架构、系统接口的信号和总线、读写缓冲器的设计和实现，以及读写缓冲器在不同场景下的应用。文章通过具体的逻辑电路实例，详细阐述了如何使用离散逻辑FIFO和流水线寄存器来实现读写缓冲器。
阅读原文 >>
为R4000设计读写缓冲区™ 系统接口
本文介绍了为R4000系统接口设计读写缓冲器的基本概念。内容包括：1）基本读写内存事务的形态；2）设计缓冲器和收发器的基本架构；3）解释了使用单级读缓冲器和多级写缓冲器的惯例。文章还提供了使用IDT FCT16823T、IDT 73200和IDT73210等离散逻辑组件的示例，以说明读写缓冲器的实现方法。此外，文章还讨论了R4000微处理器的特性、时钟接口、系统接口和控制信号等。
阅读原文 >>
