PMPB20XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMPB20XPEA
加工定制
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
20V，单P沟道MOSFET
30 November 2012
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMPB20XPEA
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMPB20XPEA
2018/10/26
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
DFN2020MD-6侧面可湿侧面无铅封装
August 2018
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| 技术文档 - 英文 |
小型含铅SMD和无铅DFN封装中的汽车MOSFET
REV 0
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| 数据手册 - 英文 |
大容量小信号MOSFET
November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET符合AEC-Q101标准的MOSFET，采用小型有引脚SMD和无引脚DFN封装
April 2018
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PMPB20XPEA的可靠性结果产品可靠性
2019/05/24
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET 数据手册
2018年4月
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| 测试报告 - 英文 |
PMPB20XPEA产品质量信息
2019/07/13
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMPB20XPEA
Version 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMPB20XPEA
2018/10/26
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMPB20XPE
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMPB20XPE
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMPB20XPE
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PMPB20XPE
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
Quality Information for Product Type PMPB20XPE
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
Reliability Results for Product Type PMPB20XPE
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PMPB20XPE的可靠性结果产品可靠性
2019/05/19
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMPB20XPE
Version 7
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMPB20XPE
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMPB20XPE
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMPB20XPE
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
PMPB20XPE化学成分
2019/08/16
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| 数据手册 - 英文 |
PXP3R7-12QU 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB10UP 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.3
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB10UP 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
BSS84AKQB 50 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PXP700-150QS 150 V P沟道Trench MOSFET
v.4
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB14XP 12 V、P沟道Trench MOSFET
3 July 2018
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6D120-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB15XPA 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PXP400-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN34UP — 20V，5A P沟道沟槽型MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PXP1500-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
PXP1500-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
8 July 2014
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
10 August 2015
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
29 July 2015
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世强AI
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应用/方案
采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于移动和便携式设备的低噪声MOSFET，包括WLCSP和免铅DFN封装。产品特点包括高功率能力、最小DFN解决方案的空间效率、侧湿边设计以及自动光学检查（AOI）兼容性。应用领域涵盖笔记本、无线充电、智能手机、LED驱动、水平转换器等。资料还提供了不同型号的详细规格参数，包括功率、电压、电流和ESD保护等级。
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采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于USB3.2、USB4、Thunderbolt、HDMI 2.1等应用的低噪声MOSFET产品。产品特点包括：高功率能力、空间效率、ESD保护等。产品适用于笔记本、智能手机、LCD电视、LED驱动器等多种应用场景。资料还详细列出了不同封装类型和型号的产品规格参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和规格的详细参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和配置的详细参数。
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适合移动和便携式设备的大批量小信号MOSFET, 采用WLCSP和无引脚DFN封装
该资料介绍了适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET产品，包括其特性、优势和应用领域。产品采用WLCSP和无引脚DFN封装，具有高功率性能、空间效率和可湿锡焊接侧翼等特点。这些MOSFET广泛应用于负载开关、无线充电、LED驱动器等领域，特别适合于笔记本、智能手机等空间受限的应用场景。资料还提供了不同型号产品的详细参数和技术规格。
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PMN25ENEA 小信号汽车MOSFET 产品介绍
该资料介绍了符合AEC-Q101标准的汽车用小信号MOSFET产品，包括其封装类型、主要特性、参数和应用领域。产品具备低导通电阻、高ESD保护和多种封装选项，适用于车身控制、车门、车窗、座椅、娱乐系统、安全和控制系统等汽车电子应用。资料还提供了不同型号产品的详细参数和封装尺寸。
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PMN25ENEA Small-signal automotive MOSFETs 产品介绍
该资料主要介绍了小型信号汽车级MOSFET产品，包括其关键特性和优势、应用领域以及技术参数。产品具备多种封装形式，适用于车身控制单元、娱乐系统、安全控制系统等，具有高电气和热性能。资料还提供了不同封装尺寸、功率、电压、电流等参数的详细规格。
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DFN2020MD-6 带有可湿性的无引脚封装
Nexperia推出175°C汽车级MOSFET产品DFN2020MD-6，采用2.0 x 2.0 mm尺寸，超低导通电阻。该封装尺寸紧凑，体积比SOT223小90%，具有高热传导性能。产品组合包括多种型号，适用于不同电压和电流需求，可在高达175°C的温度下工作。
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