12 V, P-channel Trench MOSFET
-
代理服务
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由平台用户转载自Nexperia品牌，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于用户通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
PHP225双P沟道中间电平场效应晶体管
17 March 2011 - 数据手册 本资料为Nexperia公司生产的PHP225型双P通道中压增强型场效应晶体管（FET）的产品数据手册。该产品采用垂直D-MOS技术，封装形式为塑料小外形封装（SO8），适用于计算、通信、消费和工业应用。主要特点包括低导通损耗、快速开关特性，适用于电机驱动、同步整流和电源管理等应用。
NEXPERIA - 双中间电平P沟道增强型场效应晶体管,双P沟道中间电平FET,DUAL P-CHANNEL INTERMEDIATE LEVEL FET,DUAL INTERMEDIATE LEVEL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHP225,计算,同步整改,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,POWER MANAGEMENT,电源管理,SYNCHRONIZED RECTIFICATION,通信,电动机驱动器,ACTUATOR DRIVERS,消费,CONSUMER,MOTOR DRIVERS,工业,致动器驱动器
PMK500XP P沟道TrenchMOS极低电平FET
28 April 2010 - 数据手册 PMK50XP是一款采用TrenchMOS技术的塑料封装P沟道增强型场效应晶体管（FET）。该产品专为计算、通信、消费和工业应用设计，具有低导通损耗、低开启电阻等特点。
NEXPERIA - 极低电平P沟道增强型场效应晶体管（FET）,P-CHANNEL TRENCHMOS EXTREMELY LOW LEVEL FET,P沟道TRENCHMOS极低电平场效应晶体管,EXTREMELY LOW LEVEL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET),FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET),场效应晶体管（FET）,PMK50XP,COMPUTING,COMMUNICATIONS,工业应用,通信,计算,INDUSTRIAL APPLICATIONS,消费,BATTERY MANAGEMENT,LOAD SWITCHING,负荷切换,电池管理,CONSUMER
40v，P沟道沟道MOSFET
2025年5月15日 - 数据手册 该资料详细介绍了Nexperia公司生产的40V P-channel Trench MOSFET，包括其特性、应用、电气参数、封装信息等。该产品采用Trench MOSFET技术，具有逻辑电平兼容性、高效热管理、小型封装等特点，适用于反向极性保护、高速线路驱动、高侧负载开关和继电器驱动等应用。
NEXPERIA - P沟道增强型场效应晶体管 (FET),BUK6Q26-40P,反向极性保护,高侧负载开关,继电器驱动,高速线路驱动
PMN50XP P沟道沟槽型MOS超低电平FET 修订版02 — 2007年10月2日 产品数据手册
2 October 2007 - 数据手册 本资料为PMN50XP P-channel TrenchMOS极低电平FET的产品数据手册。产品专为计算、通信、消费和工业应用设计，具有低导通电阻和低阈值电压等特点。资料详细介绍了产品的特性、应用、电气参数、封装信息等。
NEXPERIA - P沟道增强型场效应晶体管 (FET),PMN50XP,电池供电便携式设备,计算机通信,消费和工业应用,电池管理,负载开关,低功耗DC-DC转换器
华润微电子N+P MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+P沟道MOSFET选型表。涵盖CRM及CRMD系列器件，耐压±30V至±100V，电流±4A至±28A。提供VGS=10V及5V条件下的导通电阻、阈值电压、栅极电荷与输入电容等核心参数。适用于需精确控制导通损耗与开关速度的电路设计场景。
|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
VDS(V)
|
ID(A)
|
Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
|
CRMM4606
|
N+P沟道MOSFET
|
N+P
|
±30
|
±7
|
25/26
|
30/31.2
|
35/37
|
42/44.4
|
1/-1
|
3/-2
|
10.1
|
382
|
【产品】P沟道增强型场效应晶体管MD06P115，采用SOT-26封装，漏源电压-60V
2022-04-08 - 新产品 Diotec推出的MD06P115是一款P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT-26（SOT-457）封装，漏源电压-60V。具有导通电阻小和开关速度快的特点，适合于信号处理，电池管理，驱动器，逻辑电平转换器以及商业级/工业级应用等领域。
华润微电子N+N MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+N沟道MOSFET器件选型，涵盖CRMM9926、CRMV0318D、CRME0402D、CRMD0041S等型号。核心参数：VDS 20V–100V，ID 4A–48A，RDS(ON)@VGS=10V典型值7.2mΩ–86.4mΩ，VGS(TH)最小0.4V–1.5V、最大1V–3V，Qg 7.2nC–62.5nC，Ciss 318pF–2350pF。产品覆盖低压小功率至高压大电流场景，高耐压型号RDS(ON)和Qg偏高，大电流型号如CRMD0041S（48A）RDS(ON)仅12mΩ typ但Ciss达1726pF。适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换等，用户可按耐压、电流、效率、开关速度筛选最优型号。
|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
VDS(V)
|
ID(A)
|
Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
|
CRMM9926
|
N+N沟道MOSFET
|
N+N
|
20
|
7
|
25
|
30
|
0.4
|
1
|
7.2
|
361
|
74LVC2G86双路2输入异或门
20240426 - 数据手册
NEXPERIA - 双2输入异或门,DUAL 2-INPUT EXCLUSIVE-OR GATE,74LVC2G86DP,74LVC2G86GS,74LVC2G86DC,74LVC2G86GT,74LVC2G86GX,74LVC2G86,74LVC2G86GN,LOFF,洛夫
HEF4020B-Q100 14级二进制计数器
7 December 2021 - 数据手册
NEXPERIA - 14级二进制计数器,14-STAGE BINARY COUNTER,HEF4020B-Q100,HEF4020BT-Q100
74LVC2G07具有开漏输出的缓冲器
29 September 2021 - 数据手册
NEXPERIA - 缓冲剂,BUFFERS,74LVC2G07GV,74LVC2G07GS,74LVC2G07GM,74LVC2G07GN,74LVC2G07,74LVC2G07GW,74LVC2G07GX
74HC138-Q100；74HCT138-Q100 3转8线路解码器/解复用器；反转
13 August 2021 - 数据手册
NEXPERIA - 3至8线路解码器/解复用器,3-TO-8 LINE DECODER/DEMULTIPLEXER,74HCT138PW-Q100,74HCT138-Q100,74HC138D-Q100,74HC138PW-Q100,74HC138-Q100,74HCT138D-Q100,74HC138BQ-Q100,74HCT138BQ-Q100
PSMN1R0-40YLD Spice热模型
28 October 2021 - 应用笔记或设计指南 本资料提供了一种名为PSMN1R0-40YLD的元器件的热阻网络（Cauer）SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）和相关参数，如Cth1至Cth4。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，并提供了单位。资料还包含版权声明和免责条款。
NEXPERIA - PSMN1R0-40YLD
74LV14A六角反相施密特触发器
29 April 2021 - 数据手册
NEXPERIA - HEX INVERTING SCHMITT TRIGGER,六角反相施密特触发器,74LV14APW,74LV14ABZ,74LV14A
电子商城
服务市场
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址：深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址：深圳 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论