12 V, P-channel Trench MOSFET
发布时间：
2025-07-13
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMPB06R7VP
本资料介绍了Nexperia公司生产的12V P-channel Trench MOSFET，采用 trench MOSFET 技术制造，封装为无引脚超薄 SMD 塑料封装，适用于便携式设备的充电开关、DC-DC 转换器、电池驱动便携式设备的电源管理等应用。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PHP225双P沟道中间电平场效应晶体管
Rev. 04
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| 数据手册 - 英文 |
PMK500XP P沟道TrenchMOS极低电平FET
Rev. 02
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40v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN50XP P沟道沟槽型MOS超低电平FET 修订版02 — 2007年10月2日 产品数据手册
Rev. 02
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT765-1塑料，超薄收缩小外形封装；8根引线；0.5毫米间距；2毫米x 2.3毫米x 1毫米机身
3 June 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1116塑料、无引脚超薄小型封装；8个端子；0.3毫米节距；1.2毫米X 1毫米X 0.35毫米机身
2 June 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT505-2塑料，薄收缩小外形封装；8根引线；0.65毫米间距；3毫米x 3毫米x 1.1毫米机身
3 June 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD964硅，无引脚极小封装；2个端子；0.6毫米节距；1.6毫米x 0.8毫米x 0.29毫米机身
27 May 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1089塑料、无引脚超薄小型封装；8个端子；0.35毫米节距；1.35毫米X 1毫米X 0.5毫米机身
3 June 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1216塑料、无引脚散热增强型超薄小型封装；6个端子；0.35毫米节距；1.1毫米X 1毫米X 0.37毫米机身
31 May 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1220塑料、无引脚散热增强型超薄小型封装，具有侧面可湿侧翼（SWF）；6个端子；0.65毫米间距；2毫米X 2毫米X 0.65毫米机身
2 June 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT8006B塑料、无引脚超薄小型封装；6个端子；机身1.3 X 0.8 X 0.38毫米
31 May 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT753塑料，表面安装式封装；5根引线；0.95毫米间距；2.9毫米x 1.5毫米x 1毫米主体
31 May 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT833-1塑料、无引脚超薄小型封装；8个端子；0.5毫米节距；1毫米X 1.95毫米X 0.5毫米机身
3 June 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT972-2塑料、无引脚散热增强型超薄小型封装；8个端子；0.4毫米间距；1.7毫米X 1.35毫米X 0.5毫米机身
3 June 2022
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT14 3.3 V六路反相器施密特触发器
Rev. 4
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74LVC2G14双通道反相施密特触发器，具有5 V容差输入
Rev. 12
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74LVC1G16单缓冲器
Rev. 3
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74LV04六角逆变器
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74AXP1G125低功耗缓冲器/线路驱动器；3-状态
Rev. 3
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74AXP1G14低功耗施密特触发器逆变器
Rev. 3
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74AXP1G06低功耗逆变器，带开漏输出
Rev. 2
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74AUP2GU04低功耗双通道无缓冲反相器
Rev. 7
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74LVC1G34-Q100单缓冲器
Rev. 3
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74LVC1G07-Q100缓冲器，带开漏输出
Rev. 4
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74LV4051-Q100 8通道模拟多路复用器/解复用器
Rev. 1
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74HC4060-Q100；74HCT4060-Q100 14级二进制纹波计数器，带振荡器
Rev. 4
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74AUP2GU04-Q100低功耗双通道无缓冲反相器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
BC857xQB系列45 V、100 mA PNP通用晶体管
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
BC856xQC-Q系列65 V、100 mA PNP通用晶体管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
BC846x-Q系列65 V、500 mA NPN通用晶体管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PBSS5255PAPS-Q 55V、2A PNP/PNP低VCEsat（BISS）双晶体管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BC846xQB系列65 V、100 mA NPN通用晶体管
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
产品型号BZX84-A18的质量信息
2019/5/15
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】P沟道增强型场效应晶体管MD06P115，采用SOT-26封装，漏源电压-60V
Diotec推出的MD06P115是一款P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT-26（SOT-457）封装，漏源电压-60V。具有导通电阻小和开关速度快的特点，适合于信号处理，电池管理，驱动器，逻辑电平转换器以及商业级/工业级应用等领域。
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【产品】-1.25A/-60V的P沟道增强型FET MMFTP5618，采用SOT-23封装
Diotec（德欧泰克）推出的P沟道增强型场效应晶体管（FET） MMFTP5618，该P沟道增强型FET采用SOT-23（TO-236） 封装；漏极-源极电压为-60 V，漏极电流-1.25A ，工作结温和存储温度范围-55~+150℃。
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新型CCPAK双脉冲评估板功率氮化镓FET
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PSMN1R4-40YLD Spice热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R4-40YLD的元器件的热阻网络（Cauer）SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）和相关参数，如Cth1至Cth4。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，以及相应的单位。资料还包含了版权声明和免责条款。
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PXN012-60QL Spice热模型
本资料提供了一种名为PXN012-60QL的元器件的热阻网络（Foster）SPICE模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数，以及相关条件下的最小、典型和最大值。资料中还包含了符号、参数、条件、最小值、典型值、最大值和单位等信息。
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PSMN3R0-30MLC SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN3R0-30MLC的元器件的热阻网络（Cauer）SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）和相关参数，如Cth1至Cth4。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，以及相应的单位。资料还包含了版权声明和免责条款。
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高功率应用中的并联MOSFET
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电热MOSFET模型：汽车电子系统的快速原型制作
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用于重复雪崩的汽车ASFET如何在使用重复雪崩MOSFET的汽车应用中保持可靠性和性能
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PSMNR90-40SSH SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMNR90-40SSH的热阻网络（Cauer）的SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数，以及多个热阻值。资料中详细列出了热阻参数的最小值、典型值和最大值，并提供了相应的单位。资料还包含了版权声明和免责条款。
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PSMN1R5-40YSD香料热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-40YSD的元器件的热阻网络（Foster）SPICE模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数，以及多个热电容参数。资料中详细列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，并提供了相应的单位。资料还注明了资料版权信息，并声明了信息准确性和版权保护。
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PSMN5R5-100YSF Spice热模型
本资料提供了一种名为PSMN5R5-100YSF的元器件的热阻网络（Cauer）SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）和相关参数，如Cth1至Cth4。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，并提供了单位。资料还包含版权声明和免责条款。
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PSMN4R5-80YSF SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN4R5-80YSF的元器件的热阻网络（Cauer）SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）和相关参数，如Cth1至Cth4。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，并提供了单位。资料还包含版权声明和免责条款。
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PSMN4R2-80YSE SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN4R2-80YSE的元器件的热阻网络（Foster）SPICE模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）以及多个热电容参数（Cth1至Cth5）。资料中详细列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，并提供了单位。资料还注明了资料版权信息，并声明了所有权利保留。
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PSMN3R5-80YSF SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN3R5-80YSF的元器件的热阻网络（Cauer）SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）以及四个热电容参数（Cth1, Cth2, Cth3, Cth4）。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，并提供了单位。资料还包含版权声明和免责条款。
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PSMN1R5-50YLH SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-50YLH的元器件的热阻网络（Foster）PSMN1R5-50YLH SPICE热模型。资料中详细列出了热阻参数Rth(j-mb)及其相关条件、最小值、典型值、最大值和单位。此外，还包括了热阻的四个分量Cth1、Cth2、Cth3、Cth4及其对应的Rth1、Rth2、Rth3、Rth4值。资料最后注明了资料版权信息及使用限制。
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