BUK6D120-60P 60 V, P-channel Trench MOSFET
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK6D120-60P
加工定制
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BUK6D120-40E 40V，N沟道沟道MOSFET产品数据表
29 April 2019
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| 测试报告 - 英文 |
BUK6D120-60P型产品可靠性结果产品可靠性
2019/05/24
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
DFN2020MD-6侧面可湿侧面无铅封装
August 2018
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| 技术文档 - 中文 |
DFN2020MD-6 带有可焊性侧面的无引脚封装
2019年9月
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET符合AEC-Q101标准的MOSFET，采用小型有引脚SMD和无引脚DFN封装
April 2018
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK6D120-60P
2019/01/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK6D120-60P
2018/10/26
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| 数据手册 - 英文 |
小信号汽车MOSFET 数据手册
2018年4月
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| 测试报告 - 英文 |
BUK6D120-60P产品质量信息
2019/07/13
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK6D120-60P
2018/10/26
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| 测试报告 - 英文 |
BUK6D120-40E中国RoHS
2019/07/17
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| 测试报告 - 英文 |
BUK6D120-40E化学成分
2019/07/17
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| 数据手册 - 英文 |
PXP3R7-12QU 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB10UP 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.3
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB10UP 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
BSS84AKQB 50 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PXP700-150QS 150 V P沟道Trench MOSFET
v.4
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB14XP 12 V、P沟道Trench MOSFET
3 July 2018
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB15XPA 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PXP400-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN34UP — 20V，5A P沟道沟槽型MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
8 July 2014
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
10 August 2015
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
29 July 2015
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| 数据手册 - 英文 |
PXP1500-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
PXP1500-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y33-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.3
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y33-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y61-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y14-40P 40 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB07R3VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB09R5VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB08R4VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PxP8R3-20Qx 20 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PXP6R1-30QL 30 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
40v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
40v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
40v，P沟道沟道MOSFET
14 December 2017
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| 数据手册 - 英文 |
40v，P沟道沟道MOSFET
20 June 2014
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y55-80P - 80V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y24-40P 40 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB11R2VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB12EP 30 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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应用/方案
PMN25ENEA 小信号汽车MOSFET 产品介绍
该资料介绍了符合AEC-Q101标准的汽车用小信号MOSFET产品，包括其封装类型、主要特性、参数和应用领域。产品具备低导通电阻、高ESD保护和多种封装选项，适用于车身控制、车门、车窗、座椅、娱乐系统、安全和控制系统等汽车电子应用。资料还提供了不同型号产品的详细参数和封装尺寸。
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PMN25ENEA Small-signal automotive MOSFETs 产品介绍
该资料主要介绍了小型信号汽车级MOSFET产品，包括其关键特性和优势、应用领域以及技术参数。产品具备多种封装形式，适用于车身控制单元、娱乐系统、安全控制系统等，具有高电气和热性能。资料还提供了不同封装尺寸、功率、电压、电流等参数的详细规格。
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DFN2020MD-6 Leadless package with side-wettable 产品介绍
Nexperia推出DFN2020MD-6无引脚封装MOSFET，扩大其175°C、AEC-Q101认证的汽车级MOSFET产品线。该产品具有超低导通电阻，尺寸仅为2x2mm，比SOT223小90%，具有侧面湿边和高热性能，适用于汽车电子应用。
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DFN2020MD-6 带有可湿性的无引脚封装
Nexperia推出175°C汽车级MOSFET产品DFN2020MD-6，采用2.0 x 2.0 mm尺寸，超低导通电阻。该封装尺寸紧凑，体积比SOT223小90%，具有高热传导性能。产品组合包括多种型号，适用于不同电压和电流需求，可在高达175°C的温度下工作。
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