PMN50EPE 30 V, P-channel Trench MOSFET
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMN50EPE
加工定制
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资料平台
| 测试报告 - 英文 |
产品类型PMN50EPE的可靠性结果产品可靠性
2019/05/24
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| 技术文档 - 英文 |
小型含铅SMD和无铅DFN封装中的汽车MOSFET
REV 0
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN50EPE
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PMN50EPE
2018/10/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PMN50EPE
2018/10/26
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| 测试报告 - 英文 |
PMN50EPE产品质量信息
2019/07/13
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| 数据手册 - 英文 |
PXP3R7-12QU 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB10UP 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.3
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB10UP 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
BSS84AKQB 50 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PXP700-150QS 150 V P沟道Trench MOSFET
v.4
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB14XP 12 V、P沟道Trench MOSFET
3 July 2018
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6D120-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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PMPB15XPA 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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PXP400-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN34UP — 20V，5A P沟道沟槽型MOSFET
Rev. 1
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12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
8 July 2014
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
10 August 2015
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| 数据手册 - 英文 |
12v，P沟道沟道MOSFET
29 July 2015
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| 数据手册 - 英文 |
PXP1500-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
PXP1500-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y33-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.3
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y33-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y61-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y14-40P 40 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB07R3VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB08R4VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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PMPB09R5VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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PxP8R3-20Qx 20 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PXP6R1-30QL 30 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
40v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
40v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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40v，P沟道沟道MOSFET
14 December 2017
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| 数据手册 - 英文 |
40v，P沟道沟道MOSFET
20 June 2014
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y55-80P - 80V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB11R2VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BUK6Y24-40P 40 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMPB12EP 30 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
60V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
60V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
60V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMN100EPA 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMV100EPA 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMV240SP 100 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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PMPB09R5TP 20 V P沟道Trench MOSFET
v.1
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70v，P沟道沟道MOSFET
26 October 2016
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应用/方案
【产品】P沟道增强型场效应晶体管MD06P115，采用SOT-26封装，漏源电压-60V
Diotec推出的MD06P115是一款P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT-26（SOT-457）封装，漏源电压-60V。具有导通电阻小和开关速度快的特点，适合于信号处理，电池管理，驱动器，逻辑电平转换器以及商业级/工业级应用等领域。
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