PMH1200UPE 30 V, P-channel Trench MOSFET Product data sheet
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PMH1200UPE
加工定制
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
大容量小信号MOSFET
November 2019
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中国RoHS PMH1200UPE
2019/05/24
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化学成分PMH1200UPE
2019/05/24
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PXP3R7-12QU 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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PMPB10UP 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.3
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PMPB10UP 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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BSS84AKQB 50 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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PXP700-150QS 150 V P沟道Trench MOSFET
v.4
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PMPB14XP 12 V、P沟道Trench MOSFET
3 July 2018
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BUK6D120-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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PMPB15XPA 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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PXP400-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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PMN34UP — 20V，5A P沟道沟槽型MOSFET
Rev. 1
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PXP1500-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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PXP1500-100QS 100 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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12v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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12v，P沟道沟道MOSFET
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12v，P沟道沟道MOSFET
8 July 2014
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12v，P沟道沟道MOSFET
10 August 2015
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12v，P沟道沟道MOSFET
29 July 2015
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BUK6Y33-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.3
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BUK6Y33-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.2
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PMPB07R3VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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BUK6Y61-60P 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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BUK6Y14-40P 40 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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PxP8R3-20Qx 20 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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PXP6R1-30QL 30 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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PMPB09R5VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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PMPB08R4VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
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BUK6Y55-80P - 80V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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40v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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40v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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40v，P沟道沟道MOSFET
14 December 2017
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40v，P沟道沟道MOSFET
20 June 2014
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BUK6Y24-40P 40 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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PMPB11R2VP 12 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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PMPB12EP 30 V、P沟道Trench MOSFET
v.2
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60V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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60V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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60V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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PMN100EPA 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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PMV100EPA 60 V、P沟道Trench MOSFET产品数据手册
v.1
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世强AI
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应用/方案
采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于移动和便携式设备的低噪声MOSFET，包括WLCSP和免铅DFN封装。产品特点包括高功率能力、最小DFN解决方案的空间效率、侧湿边设计以及自动光学检查（AOI）兼容性。应用领域涵盖笔记本、无线充电、智能手机、LED驱动、水平转换器等。资料还提供了不同型号的详细规格参数，包括功率、电压、电流和ESD保护等级。
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采用WLCSP和无引脚DFN封装的移动和便携式大容量小信号MOSFET
该资料主要介绍了适用于USB3.2、USB4、Thunderbolt、HDMI 2.1等应用的低噪声MOSFET产品。产品特点包括：高功率能力、空间效率、ESD保护等。产品适用于笔记本、智能手机、LCD电视、LED驱动器等多种应用场景。资料还详细列出了不同封装类型和型号的产品规格参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和规格的详细参数。
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适合移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装
本资料介绍了一种适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET，采用WLCSP和无引脚DFN封装。主要特点包括高功率性能、空间效率提升、可焊接侧面便于视觉焊接检测，以及取代较大型封装。产品适用于负载开关、无线充电、电池开关、LED驱动器等多种应用，特别适合空间受限的设备，如笔记本电脑、智能手机等。资料还提供了不同封装类型和配置的详细参数。
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DFN0606超小基底面、更高的能效、0.35 mm间距
Nexperia推出的DFN0606超小型MOSFET封装，尺寸仅为0.6 x 0.6 mm，适用于空间受限的应用。该封装具有低RDS(on)和低电压驱动特性，提供N和P通道选项。相比DFN1006，DFN0606节省36%的空间，并具备良好的ESD保护和可靠性。适用于可穿戴设备、移动设备等应用。
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DFN060 超小占位面积，能效更高，0.35mm间距
Nexperia推出的DFN0606超小MOSFET封装，采用0.35mm间距，提供紧凑的解决方案，节省36%空间。该封装具有低导通电阻、低压驱动、高产能和板级可靠性等优势，适用于可穿戴设备、移动设备等应用。产品范围包括N沟道和P沟道，尺寸为0.62x0.62x0.37mm。
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适合移动和便携式设备的大批量小信号MOSFET, 采用WLCSP和无引脚DFN封装
该资料介绍了适用于移动和便携式设备的小信号MOSFET产品，包括其特性、优势和应用领域。产品采用WLCSP和无引脚DFN封装，具有高功率性能、空间效率和可湿锡焊接侧翼等特点。这些MOSFET广泛应用于负载开关、无线充电、LED驱动器等领域，特别适合于笔记本、智能手机等空间受限的应用场景。资料还提供了不同型号产品的详细参数和技术规格。
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