PSMN3R9-100YSF NextPower 100 V, 4.3 mΩ N-channel MOSFET in LFPAK56package Preliminary data sheet
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PSMN3R9-100YSF
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PSMN3R9-100YSF NextPower 100 V、4.3 mOhm、120 A、采用LFPAK56e封装的N沟道MOSFeT产品数据手册
11 June 2021
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| 测试报告 - 英文 |
PSMN3R9-100YSF中国RoHS
2019/07/17
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN3R9-100YSF NextPower 100 V，4 mΩN沟道MOSFET in LFPAK56封装产品数据表
9 January 2019
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| 测试报告 - 英文 |
PSMN3R9-100YSF化学成分
2019/07/17
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN3R9-100YSF NextPower 100 V、4.3 mOhm、120 A、N沟道MOSFeT，采用LFPAK56e封装
7 May 2021
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2019/05/24
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2018/05/23
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
采用NextPower技术的LFPAK33中N沟道25v4.15mΩ逻辑电平MOSFET
Rev. 4
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PSMN3R9-60XS N沟道60 V，4.0 mΩTO220F标准级MOSFET（SOT186A）
12 September 2013
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN3R9-60PS
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN3R9-60PS
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN3R9-60PS
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN3R9-60PS
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN3R9-60XS N沟道60V，4.0毫欧标准电平MOSFET，封装为TO220F（SOT186A），2013年12月12日产品数据手册。
12 September 2013
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN3R9-25MLC
2019/05/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN3R9-25MLC
Version 5
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN3R9-25MLC
2018/09/05
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化学成分PSMN3R9-25MLC
2018/05/23
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化学成分PSMN3R9-25MLC
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
SOT78中的N沟道60 V、3.9 mΩ标准级MOSFET
1 February 2013
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| 测试报告 - 英文 |
MNPS609化学成分
Version 3
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| 测试报告 - 英文 |
MNPS609化学成分
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
MNPS609化学成分
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
MNPS609化学成分
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
NXT4558-Q100 SIM卡接口电平转换器带使能引脚 版本2 — 2024年10月23日 产品数据手册
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2001年1月18日
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