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
PSMNR51-25YLH中国RoHS
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NEXPERIA - PSMNR51-25YLH
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
2022年3月 - 商品及供应商介绍 安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
NEXPERIA - MOSFET,BUK7S0R5-40H,BUK7S1R2-40H,PSMNR90-50SLH,BUK7S1R0-40H,BUK7S0R7-40H,BUK7S2R5-40H,BUK7S1R5-40H,PSMNR55-40SSH,PSMN1R2-55SLH,PSMNR70-40SSH,PSMN1R0-40SSH,BUK7S2R0-40H,DC/DC转换,ABS制动系统,汽车应用,助力转向,LED照明
LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
March 2022 - 商品及供应商介绍 Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
NEXPERIA - MOSFET,BUK7S0R5-40H,BUK7S1R2-40H,PSMNR90-50SLH,BUK7S1R0-40H,BUK7S0R7-40H,BUK7S2R5-40H,BUK7S1R5-40H,PSMNR55-40SSH,PSMN1R2-55SLH,PSMNR70-40SSH,PSMN1R0-40SSH,BUK7S2R0-40H,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,ABS BRAKING,LED LIGHTING,DC/DC转换,动力转向,ABS制动,汽车应用,DC/DC CONVERSATION,POWER STEERING,LED照明
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采用功率MOSFET设计时的浪涌电流管理具有增强SOA的ASFET
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中微爱芯MOSFET驱动器选型表
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产品型号
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品类
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工作电压Supply Voltage(V)
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输入与输出相位关系Input-Output Phase Relation
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输出高电平峰值短路电流Output High-level Peak Short Circuit Current(A)
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输出低电平峰值短路电流Output Low-level Peak Short Circuit Current(A)
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输出阻抗Output Impedance(Ω)
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上升和下降时间 Rise and Fall Times(ns)
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延迟时间Delay Time(ns)
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负载驱动能力Load Drive Capability(pF)
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工作温度Operating Temperature (℃)
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封装Package
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AiP4415
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MOSFET
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4.5V ~ 18V
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反相
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1.5
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1.5
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2
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10
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20
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1000
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-40℃~85℃
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SOT23-5
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华润微电子N+P MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+P沟道MOSFET选型表。涵盖CRM及CRMD系列器件，耐压±30V至±100V，电流±4A至±28A。提供VGS=10V及5V条件下的导通电阻、阈值电压、栅极电荷与输入电容等核心参数。适用于需精确控制导通损耗与开关速度的电路设计场景。
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产品型号
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品类
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Polarity
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VDS(V)
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ID(A)
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Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
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Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
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Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
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Min VGS(TH) (V)
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Max VGS(TH) (V)
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Qg(nC)
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Ciss(pF)
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CRMM4606
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N+P沟道MOSFET
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N+P
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±30
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±7
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25/26
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30/31.2
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35/37
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42/44.4
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1/-1
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3/-2
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10.1
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382
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华润微电子N+N MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+N沟道MOSFET器件选型，涵盖CRMM9926、CRMV0318D、CRME0402D、CRMD0041S等型号。核心参数：VDS 20V–100V，ID 4A–48A，RDS(ON)@VGS=10V典型值7.2mΩ–86.4mΩ，VGS(TH)最小0.4V–1.5V、最大1V–3V，Qg 7.2nC–62.5nC，Ciss 318pF–2350pF。产品覆盖低压小功率至高压大电流场景，高耐压型号RDS(ON)和Qg偏高，大电流型号如CRMD0041S（48A）RDS(ON)仅12mΩ typ但Ciss达1726pF。适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换等，用户可按耐压、电流、效率、开关速度筛选最优型号。
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产品型号
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品类
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Polarity
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VDS(V)
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ID(A)
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Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
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Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
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Min VGS(TH) (V)
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Max VGS(TH) (V)
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Qg(nC)
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Ciss(pF)
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CRMM9926
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N+N沟道MOSFET
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N+N
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20
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7
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25
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30
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0.4
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1
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7.2
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361
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PSMN2R0-40YLD热RC网络（Foster）SPICE热模型
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NEXPERIA - PSMN1R5-40YSD
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服务市场
可自由定制铜排形状尺寸；检测精度：0.5%~1.0；电流测量范围 ±300-500A。低噪音 (0.27mVpp)；低磁力残余误差:2mV；响应性能<4μSec；支持RoHS指令 、AEC-Q200。
最小起订量：100个 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
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授权代理品牌：电子材料
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