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Why would you need a 500Amp MOSFET?
发布时间: 2021-12-22
类型: 商品及供应商介绍,产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PSMNR55-40SS; PSMN2R0-100SSF; PSMNR51-25YL; PSMN1R5-50YL; PSMN3R9-100Y
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加工定制
可自由定制铜排形状尺寸;检测精度:0.5%~1.0;电流测量范围 ±300-500A。低噪音 (0.27mVpp);低磁力残余误差:2mV;响应性能<4μSec;支持RoHS指令 、AEC-Q200。
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资料平台
数据手册 - 英文
PSMN2R0-100SSF目标数据表
6 April 2020
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测试报告 - 英文
PSMNR51-25YLH中国RoHS
2019/11/22
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R5-25MLH热网(Cauer)热工设计模型
10 September 2019
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技术文档 - 英文
PSMNR51-25YLH香料热模型RC网络(Cauer)
30 October 2019
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数据手册 - 英文
PSMN2R0-100SSF NextPower 100 V、2 MΩ、259 A、N沟道MOSFET,采用LFPAK88封装
13 May 2020
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测试报告 - 英文
PSMN3R9-100YSF中国RoHS
2019/07/17
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R5-40YSD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
12 September 2019
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技术文档 - 英文
PSMNR51-25YLH香料热模型
30 October 2019
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数据手册 - 英文
PSMN2R0-100SSF NextPower 100 V、2.07 mOhm、267 A、N沟道MOSFET,采用LFPAK88封装
6 September 2021
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测试报告 - 英文
PSMNR51-25YLH化学成分
2019/11/22
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R5-25MLH热阻RC网络(Foster)SPICE热阻模型
10 September 2019
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数据手册 - 英文
PSMN2R0-100SSF功率MOSFET
10 February 2020
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测试报告 - 英文
PSMN3R9-100YSF化学成分
2019/07/17
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商品功能框图 - 英文
PSMN2R0-40YLD热RC网络(Foster)SPICE热模型
12 September 2019
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数据手册 - 英文
PSMNR51-25YLH N沟道25V,0.57MΩ,380A逻辑电平MOSFET,采用NextPowerS3技术数据表
30 September 2019
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2019/05/24
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2019/01/07
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2018/05/23
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测试报告 - 中文
中国RoHS PSMN3R9-25MLC
2018/03/06
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商品功能框图 - 英文
PSMN2R0-30YLE热电阻网络(Foster)SPICE热模型
21/3/2017
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技术文档 - 英文
PSMN1R5-40YSD香料热模型
12 September 2019
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数据手册 - 英文
PSMNR51-25YLH N通道25 V,0.51 mΩ,380 A逻辑电平MOSFET inLFPAK56E使用NextPowerS3技术产品数据表
12 December 2018
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商品功能框图 - 英文
PSMN3R5-40YSD热RC网络(Foster)SPICE热模型
11 September 2019
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数据手册 - 英文
PSMNR55-40SSH功率MOSFET
12 December 2019
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R9-60PS
2019/01/07
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R9-60PS
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R9-60PS
2018/04/24
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测试报告 - 中文
中国RoHS PSMN3R9-60PS
2018/03/06
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商品功能框图 - 英文
PSMN3R5-40YSD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
11 September 2019
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
21/11/2017
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
21/3/2016
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
24/6/2015
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数据手册 - 英文
PSMNR55-40SSH N沟道40 V、0.55 mOhm、500 a连续、标准电平MOSFET,采用LFPaK88封装和NextPowerS3技术
6 April 2021
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN3R9-25MLC
Version 5
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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数据手册 - 英文
PSMN1R5-50YLH N沟道50 V、1.7 mOhm、200 a连续逻辑电平MOSFeT,采用LFPaK56e封装和NextPower-S3技术初步数据手册
17 December 2020
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数据手册 - 英文
PSMN1R5-50YLH N沟道50 V、1.7 mOhm、200 A连续逻辑电平专用MOSFET,采用LFPAK56E封装产品数据手册
26 January 2022
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世强AI
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应用/方案
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸,提供高功率密度,可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性,空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准,具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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采用功率MOSFET设计时的浪涌电流管理具有增强SOA的ASFET
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LFPAK88 半导体
安世半导体推出的LFPAK88 MOSFET采用创新8x8mm管脚尺寸,实现更高的功率密度,有效替代D²PAK。该产品具备2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性,空间效率达60%。产品符合汽车AEC-Q101和工业等级标准,适用于多种应用场景。 - 采用8x8mm管脚尺寸,提升功率密度。 - 连续电流额定值超过2倍于D²PAK。 - 具备卓越的热性能和可靠性。 - 符合汽车AEC-Q101和工业等级标准。 - 应用于汽车、系统、DC/DC转换器和LED照明等领域。
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PSMN1R5-50YLH SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-50YLH的元器件的热阻网络(Foster)PSMN1R5-50YLH SPICE热模型。资料中详细列出了热阻参数Rth(j-mb)及其相关条件、最小值、典型值、最大值和单位。此外,还包括了热阻的四个分量Cth1、Cth2、Cth3、Cth4及其对应的Rth1、Rth2、Rth3、Rth4值。资料最后注明了资料版权信息及使用限制。
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PSMN1R5-50YLH SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-50YLH的元器件的热阻网络(Cauer)SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻(Rth(j-mb))以及四个热电容(Cth1, Cth2, Cth3, Cth4)。参数包括最小值、典型值和最大值,单位为欧姆和法拉。资料由Nexperia提供,发布日期为2021年5月3日。
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PSMN1R5-40YSD香料热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-40YSD的元器件的热阻网络(Cauer)SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数,以及多个热阻值。资料中详细列出了各个参数的最小值、典型值和最大值,并提供了单位。资料还包含了版权声明和免责条款。
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PSMN1R5-40YSD香料热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-40YSD的元器件的热阻网络(Foster)SPICE模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数,以及多个热电容参数。资料中详细列出了这些参数的最小值、典型值和最大值,并提供了相应的单位。资料还注明了资料版权信息,并声明了信息准确性和版权保护。
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