CMLDM8120TG SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
发布时间:
2019-04-12
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Central Semiconductor(中央半导体)
型号:
CMLDM8120TG; 2N2222A TIN/LEAD; 2N2222A PBFREE
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司推出的CMLDM8120TG表面贴装硅P沟道增强型MOSFET。该器件专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计,具备低导通电阻(rDS(ON))和高阈值电压(最大0.85V)等关键特性,同时支持逻辑电平兼容性,并采用无卤素设计,符合环保要求。凭借其优异的电学性能,该MOSFET广泛应用于负载开关、电源转换电路以及电池供电的便携式设备中,能够有效提升电路效率与稳定性。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司)——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | 2N2222A PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N2222A | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | TO-18 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)(最大值) | 800 mA | 电压 集射极击穿(最大值) | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 50mA,500mA | 电流 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V | 功率 最大值 | 500 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥9.1530
库存:
30
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| 订货型号 | 2N2222A TIN/LEAD | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N2222A | 品类 | 双极结型晶体管 |
| 描述/说明 | DISCRETE | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 最大直流电集电极电流 | 100 mA | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压 VCBO | 75 V | 发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 300 mV | Pd-功率耗散 | 500 mW |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz | 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 200 ℃ | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格:
库存:
0
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 | 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW | 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA | Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ | 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.2009
库存:
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000 V | 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A | 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V | 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V,1MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.3305
库存:
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L | 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向(最大值) | 40 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥2.7332
库存:
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) | 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)(最大值) | 30 V | 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V | 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V,1MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0170
库存:
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)(最大值) | 200 mA | 电压 集射极击穿(最大值) | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0679
库存:
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)(最大值) | 200 mA | 电压 集射极击穿(最大值) | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0424
库存:
8,200
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| 订货型号 | CMPT3820 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT3820 | 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor-Small Signal (<=1A) | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)(最大值) | 0.041666666666666664 | 电压 集射极击穿(最大值) | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 280mV @ 100mA,1A | 电流 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,5V | 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.4513
库存:
6,415
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| 订货型号 | CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMDFSHC3-100 | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Rectifier-Schottky (>=1A) | 封装/外壳/尺寸 | SMC |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)(最大值) | 100 V | 电流 平均整流 (Io) | 3A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 850 mV @ 3 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 500 µA @ 100 V | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0628
库存:
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 在线购买 >>
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 样品申请 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 批量询价 >>
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE期货订购服务,可提前预定产能;签订期货协议后,平台将按约定时间节点保障交付,降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供Central Semiconductor快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务,与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接,将IC设计高度抽象化,并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线,自动生成代码。点击预约,支持到场/视频直播使用,资深专家全程指导。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor(美国中央半导体公司)2N2906/2N2907/2N2906A/2N2907A数据手册
R4
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| 数据手册 - 英文 |
BCW31 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CZT2680 SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CXT5401 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
R7
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
CZT3120 SURFACE MOUNT SILICON NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR
R4
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
CZSH-4 SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY RECTIFIER 2.0 AMP, 40 VOLT
R7
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMNTVS12V SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 12 VOLT QUAD TVS ARRAY
R5
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CMUDW6001 SURFACE MOUNT SILICON ULTRA LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
R4
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CXT3150 SURFACE MOUNT NPN SILICON POWER TRANSISTOR
R6
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CMAD6263 SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
R2
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CXT7090L SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTOR
R3
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CXT591E SURFACE MOUNT SILICON PNP TRANSISTOR
R2
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CMPF4416A SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL JFET
R6
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CZT7090L SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) PNP POWER TRANSISTOR
R6
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CZT7090L SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) PNP POWER TRANSISTOR
R5
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CDM7-650 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL MEDIUM POWER MOSFET 7.0 AMP, 650 VOLT
R2
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CMUD7000 SURFACE MOUNT DUAL, IN SERIES SILICON SWITCHING DIODES
R4
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CMAD6001 SURFACE MOUNTULTRA LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE
R1
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CBRHDSH1-60 SURFAC HIGH DENSITY 1 AMP SILICON SCHOTTKY BRIDGE RECTIFIER
R2
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CZT3090L SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) NPN POWER TRANSISTOR
R5
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CZT3090L SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) NPN POWER TRANSISTOR
R4
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CZT853 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT NPN TRANSISTOR
R4
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CZT853 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT NPN TRANSISTOR
R3
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BAS28 SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODES
R7
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CMKT3920 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, SMALL SIGNAL NPN SWITCHING TRANSISTOR
R1
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2N6263 SILICON NPN POWER TRANSISTOR
R0
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CSHD3-40 SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY RECTIFIER 3.0 AMP, 40 VOLT
R10
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CMKD6263DO SURFACE MOUNT SILICON DUAL OPPOSING HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
R4
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CMXD3004SR SURFACE MOUNT SILICON DUAL PAIR, IN-SERIES HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE
R1
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CMPT4033 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
R5
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CMLM8205 Multi Discrete Module ™ SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL MOSFET AND LOW VF SCHOTTKY DIODE
R4
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CMRSH-4DO SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED, OPPOSING SCHOTTKY DIODE
R2
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CBRLDSH2-60 SURFACE MOUNT LOW PROFILE 2 AMP SILICON SCHOTTKY BRIDGE RECTIFIER
R1
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CMLM0405 MULTI DISCRETE MODULE™ SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) NPN TRANSISTOR AND LOW VF SCHOTTKY DIODE
R5
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CMFD2004i SURFACE MOUNT SILICON DUAL ISOLATED HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODES
R6
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CMFD2004i SURFACE MOUNT SILICON DUAL ISOLATED HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODES
R6
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CP705V PNP - High Current Transistor Die 1.0 Amp, 80 Volt
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CZT5338 SURFACE MOUNT SILICON NPN POWER TRANSISTOR
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CFTVS5V0BULC SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL ULTRA LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R5
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CMRD6263DO SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED, OPPOSING SCHOTTKY DIODE
R2
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CTLR5-06 SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER 5.0 AMP, 600 VOLT
R2
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CZT5551 SURFACE MOUNT SILICON NPN TRANSISTOR
R6
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CSHD6-40C SURFACE MOUNT SILICON DUAL, COMMON CATHODE SCHOTTKY RECTIFIER 6.0 AMP, 40 VOLT
R11
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CMPDM7003 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R2
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2N3819 SILICON N-CHANNEL JFET
R1
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CMKD6263 SURFACE MOUNT SILICON TRIPLE ISOLATED HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
R5
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CZT7120 SURFACE MOUNT SILICON PNP SWITCHING POWER TRANSISTOR
R4
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CXSH-4 SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY RECTIFIER
R8
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】拥有0.15Ω低导通电阻的增强型P沟道MOSFET,阈值电压最大为0.85V
CMLDM8120TG是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型P沟道MOSFET,其具有较低的rDS(ON),阈值电压最大值为0.85V。该产品采用P沟道DMOS工艺制造,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
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