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CMLDM8120TG SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
发布时间: 2019-04-12
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Central Semiconductor(中央半导体)
型号:
CMLDM8120TG; 2N2222A TIN/LEAD; 2N2222A PBFREE
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司推出的CMLDM8120TG表面贴装硅P沟道增强型MOSFET。该器件专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计,具备低导通电阻(rDS(ON))和高阈值电压(最大0.85V)等关键特性,同时支持逻辑电平兼容性,并采用无卤素设计,符合环保要求。凭借其优异的电学性能,该MOSFET广泛应用于负载开关、电源转换电路以及电池供电的便携式设备中,能够有效提升电路效率与稳定性。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司)——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
订货型号 2N2222A PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 2N2222A 品类 Transistors
描述/说明 Transistors 封装/外壳/尺寸 TO-18
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 800 mA 电压 集射极击穿(最大值) 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 50mA,500mA 电流 集电极截止(最大值) 10nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V 功率 最大值 500 mW
频率 跃迁 300MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥9.1530
库存:
30
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订货型号 2N2222A TIN/LEAD 品牌 Central Semiconductor
型号系列 2N2222A 品类 双极结型晶体管
描述/说明 DISCRETE 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
最大直流电集电极电流 100 mA 集电极—发射极最大电压 VCEO 40 V
集电极—基极电压 VCBO 75 V 发射极 - 基极电压 VEBO 6 V
集电极—射极饱和电压 300 mV Pd-功率耗散 500 mW
增益带宽产品fT 300 MHz 最小工作温度 - 65 ℃
最大工作温度 + 200 ℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 CMHZ4690 TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMHZ4690 品类 稳压二极管
描述/说明 Surface mount Diode-Zener Single: Low Level 封装/外壳/尺寸 SOD-123
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Pd-功率耗散 275 mW 电压容差 1.05
Ir - 最大反向漏电流 10 uA Zz - 齐纳阻抗 45 Ohms
最小工作温度 - 65 ℃ 最大工作温度 + 150 ℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.2009
库存:
16,500
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订货型号 CMR1-10M TR13 PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMR1-10M 品类 整流器
描述/说明 Surface mount Rectifier-General Purpose Single 封装/外壳/尺寸 SMA
最小包装量 5,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 1000 V 电流 平均整流 (Io) 1A
不同 If 时电压 正向 (Vf) 1.1 V @ 1 A 速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 反向泄漏 5 µA @ 1000 V 不同 Vr、F 时电容 8pF @ 4V,1MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.3305
库存:
11,375
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订货型号 CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CBRHDSH1-40L 品类 桥式整流器
描述/说明 Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电压 - 峰值反向(最大值) 40 V 电流 - 平均整流 (Io) 1.2 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 440 mV @ 1 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 50 µA @ 40 V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥2.7332
库存:
8,810
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订货型号 CTLSH01-30L TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CTLSH01-30L 品类 整流器
描述/说明 Diode-Schottky (<1A) 封装/外壳/尺寸 TLM2D3D6
最小包装量 8,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 30 V 电流 平均整流 (Io) 100mA
不同 If 时电压 正向 (Vf) 370 mV @ 10 mA 速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 反向泄漏 7 µA @ 10 V 不同 Vr、F 时电容 7pF @ 0V,1MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0170
库存:
8,200
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订货型号 CMNT3904E TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMNT3904E 品类 Transistors
描述/说明 Transistors 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 已停产(EOL) 停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA 电压 集射极击穿(最大值) 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 最大值 250 mW 频率 跃迁 300MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0679
库存:
8,200
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订货型号 CET3904E TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CET3904E 品类 Transistors
描述/说明 Transistors 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA 电压 集射极击穿(最大值) 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 最大值 250 mW 频率 跃迁 300MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0424
库存:
8,200
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订货型号 CMPT3820 TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMPT3820 品类 Transistor
描述/说明 Transistor-Small Signal (<=1A) 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 0.041666666666666664 电压 集射极击穿(最大值) 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 280mV @ 100mA,1A 电流 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 500mA,5V 功率 最大值 350 mW
频率 跃迁 150MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.4513
库存:
6,415
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订货型号 CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMDFSHC3-100 品类 整流器
描述/说明 Rectifier-Schottky (>=1A) 封装/外壳/尺寸 SMC
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
电压 DC 反向 (Vr)(最大值) 100 V 电流 平均整流 (Io) 3A
不同 If 时电压 正向 (Vf) 850 mV @ 3 A 速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 反向泄漏 500 µA @ 100 V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0628
库存:
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 在线购买 >>
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企业采购服务
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资料平台
数据手册 - 英文
Central Semiconductor(美国中央半导体公司)2N2906/2N2907/2N2906A/2N2907A数据手册
R4
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数据手册 - 英文
BCW31 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
R3
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数据手册 - 英文
CZT2680 SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR
R4
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数据手册 - 英文
CXT5401 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
R7
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数据手册 - 英文
CZT3120 SURFACE MOUNT SILICON NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR
R4
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数据手册 - 英文
CZSH-4 SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY RECTIFIER 2.0 AMP, 40 VOLT
R7
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数据手册 - 英文
CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
R3
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数据手册 - 英文
CMNTVS12V SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 12 VOLT QUAD TVS ARRAY
R5
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数据手册 - 英文
CMUDW6001 SURFACE MOUNT SILICON ULTRA LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
R4
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数据手册 - 英文
CXT3150 SURFACE MOUNT NPN SILICON POWER TRANSISTOR
R6
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数据手册 - 英文
CMAD6263 SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
R2
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数据手册 - 英文
CXT7090L SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTOR
R3
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数据手册 - 英文
CXT591E SURFACE MOUNT SILICON PNP TRANSISTOR
R2
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数据手册 - 英文
CMPF4416A SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL JFET
R6
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数据手册 - 英文
CZT7090L SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) PNP POWER TRANSISTOR
R6
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数据手册 - 英文
CZT7090L SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) PNP POWER TRANSISTOR
R5
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数据手册 - 英文
CDM7-650 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL MEDIUM POWER MOSFET 7.0 AMP, 650 VOLT
R2
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数据手册 - 英文
CMUD7000 SURFACE MOUNT DUAL, IN SERIES SILICON SWITCHING DIODES
R4
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数据手册 - 英文
CMAD6001 SURFACE MOUNTULTRA LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE
R1
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数据手册 - 英文
CBRHDSH1-60 SURFAC HIGH DENSITY 1 AMP SILICON SCHOTTKY BRIDGE RECTIFIER
R2
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数据手册 - 英文
CZT3090L SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) NPN POWER TRANSISTOR
R5
下载
数据手册 - 英文
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CMLDM8120TG是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型P沟道MOSFET,其具有较低的rDS(ON),阈值电压最大值为0.85V。该产品采用P沟道DMOS工艺制造,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
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