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CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装硅高压NPN开关功率晶体管,SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CZT2680,DRIVERS AND GENERAL HIGH VOLTAGE SWITCHING,驱动器和一般高压开关
BCW31 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
20-November 2009 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的BCW31型NPN硅晶体管。该晶体管采用SOT-23表面贴装封装，适用于集电极电流高达100mA的应用。资料提供了最大额定值、电气特性以及机械尺寸图。
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CXT5401 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
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23-February 2010 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CXT3150型NPN硅功率晶体管。该晶体管采用外延平面工艺制造，环氧树脂封装，适用于高电流、高增益、快速开关应用。
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11-December 2017 - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CZT955型号表面贴装硅高电流PNP晶体管。这是一种采用外延平面工艺制造的晶体管，环氧树脂封装，适用于高压和高电流放大器应用。
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Central Semiconductor双极结型晶体管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）双极结型晶体管选型。参数信息如下：最大直流电集电极电流：10mA~50A，集电极-发射极最大电压VCEO：12V~400V，此产品广泛应用于小信号的一般放大和开关等应用
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产品型号
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品类
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最小工作温度
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最大直流电集电极电流
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集电极-基极电压VCBO
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最大工作温度
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集电极-射极饱和电压
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发射极-基极电压VEBO
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集电极-发射极最大电压VCEO
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Pd-功率耗散
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增益带宽产品fT
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2N2222ATIN/LEAD
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双极结型晶体管
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-65℃
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100mA
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75V
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+200℃
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300mV
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6V
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40V
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500mW
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300MHz
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Central Semiconductor整流器选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）整流器选型。整流器参数如下：电压DC反向(Vr)（最大值）：20V—1300V，电流平均整流(Io)：15mA—16A。此产品广泛应用于工业，消费，医疗和电源等应用
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产品型号
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品类
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不同If时电压正向(Vf)
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电流平均整流(Io)
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速度
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不同Vr时电流反向泄漏
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电压DC反向(Vr)（最大值）
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CMAD6001 TR PBFREE
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整流器
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1.1V@100mA
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250mA
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标准恢复>500ns，>200mA（Io）
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500pA@75V
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75V
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10-May 2019 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CZT7090L低VCE(SAT)PNP功率晶体管。该晶体管采用节省空间的SOT-223表面贴装封装，适用于移动系统直流-直流转换器、电机控制、电源管理和闪光灯单元等领域。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) PNP POWER TRANSISTOR,表面贴装硅低VCE（SAT）PNP功率晶体管,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CZT7090L
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电子商城
服务市场
可定制插座连接器的间距1.25mm~2.54mm；列数：单列/双列/三列/四列；端子类型：直焊针、直角焊针、表面贴装式、无焊柔性针压接、绕接、载体.；镀层、车针长度/直径、连接针长度等参数可按需定制。
最小起订量：1 提交需求>
可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数，插拔寿命达100万次以上。
最小起订量：1 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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