V35PWM60 Vishay General Semiconductor High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier
发布时间：
2019-06-20
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
V35PWM60; TMBS®; eSMP®; V35PWM60-M3/I; V35PWM60HM3/I
本数据手册详细介绍了Vishay公司推出的V35PWM60系列TMBS®（沟槽MOS势垒肖特基）整流器。该器件专为低电压高频应用设计，具备超低正向压降（0.35V，IF=5A）与低功耗特性，能够实现高效运行。产品符合MSL等级1标准，耐焊接热最高可达260°C，并已通过AEC-Q101认证，采用SlimDPAK（TO-252AE）封装，适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管及极性保护等场景。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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V35PWM60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.35 V
Revision: 01-Jun-17
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FRED Pt®整流器采用eSMP®系列节省空间的封装方案，适用于所有主要应用
2017/10/27
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V35PWM60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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V35PW12 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5A时超低VF=0.40 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW12 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PW15 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.50 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM45 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.33V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW15 Vishay General Se半导体高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PW10 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PW45 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PW45 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM45 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PW15 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5A时超低VF=0.50V
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM15 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PW10 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.36 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM45 Vishay General Semiconducto高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.33 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.31 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.31 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW60 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM10 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM10 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.41 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM15 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.50 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM12 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM12 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V40DL45BP Vishay General Semiconductor TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器，用于光伏太阳能电池旁路保护
Revision: 15-Mar-2019
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V30DL45BP Vishay General Semiconductor TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器，用于光伏太阳能电池旁路保护
Revision: 15-Mar-2019
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V8PAL50-M3 Vishay General Semiconductor表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Feb-2019
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V40PW12C Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision:11-Feb-2019
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V20DL45BP Vishay General Semiconductor TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器，用于光伏太阳能电池旁路保护
Revision: 14-Mar-2019
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V3PAN50-M3 Vishay General Semiconductor表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Feb-2019
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V30DL45BP Vishay通用半导体沟道MOS势垒肖特基整流器，用于光伏太阳能电池旁路保护IF=5 A时的超低VF=0.28 V
Revision: 18-Mar-14
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V30DL45BP Vishay通用半导体沟道MOS势垒肖特基整流器，用于光伏太阳能电池旁路保护IF=5 A时的超低VF=0.28 V
Revision: 18-Mar-14
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V40PWM45C Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.35 V
Revision: 01-Jun-17
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V40PWM45C Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.35 V
Revision: 01-Jun-17
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V8PL6-M3 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 30-Jan-2019
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V40PW45C Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V40PW45C Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V40PW60C Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V8PA10 Vishay General Semiconductor表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Feb-2019
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V3PAL45 Vishay General Semiconductor表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Feb-2019
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V3PAL45 Vishay General Semiconductor表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Feb-2019
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V40PW10C Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V40PW10C Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V30DL45 Vishay General Semiconductor低压TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 15-Mar-2019
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V8PAM10 Vishay General Semiconductor表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Feb-2019
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V60D45C Vishay General Semiconductor双低电压TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Mar-2019
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V8PAL45 Vishay General Semiconductor表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Feb-2019
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V8PAL45 Vishay General Semiconductor表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Feb-2019
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V4PAL45 Vishay General Semiconductor表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 13-Feb-2019
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世强AI
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应用/方案
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