V35PWM60 Vishay General Semiconductor High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

知识图谱

发布时间： 2019-06-20 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

● 特征：

■ 非常低调-典型高度为1.3 mm
■ 沟道MOS肖特基工艺
■ 非常适合自动放置
■ 低正向压降，低功耗
■ 高效运行
■ 符合MSL 1级，符合J-STD-020，LF最大峰值为260°C
■ AEC-Q101合格可用
▲ 汽车订购代码：基本P/NHM3

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V35PWM60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.35 V

01-Jun-17 - 数据手册

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FRED Pt®整流器采用eSMP®系列节省空间的封装方案，适用于所有主要应用

2017/10/27 - 技术文档 FRED Pt® 矩流器产品采用 Pt FRED Pt® 技术制造，提供多种封装选项，包括 SlimDPAK、SlimSMA 和 SMF，适用于各种主要应用。产品具有高达 175°C 的最大工作结温，反向电压范围从 100V 到 600V，电流范围从 1A 到 30A。FRED Pt® 矩流器经过 AEC-Q101 认证，适用于汽车、电信和 DC/DC 转换器等应用，具有快速恢复、软恢复和低漏电流特性。

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V35PWM60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器

01-Jun-17 - 数据手册 Vishay General Semiconductor推出的V35PWM60是一款高电流密度表面贴装 trench MOS 隧道型肖特基整流器，具有超低正向压降（0.35V，IF=5A）和高效能操作。该产品适用于自动化放置，适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用。

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V35PW12 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器

11-Feb-2019 - 数据手册 Vishay公司推出V35PW12型号的TMBS®（Trench MOS Barrier Schottky）肖特基整流器，具有超低正向压降和高效能操作特点。该产品适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用。

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V35PW12 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5A时超低VF=0.40 V

01-Jun-17 - 数据手册 Vishay公司推出V35PW12系列高电流密度表面贴装 trench MOS 隧道型肖特基整流器，具有超低正向压降，适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用。

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V35PW15 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.50 V

01-Jun-17 - 数据手册 Vishay公司推出的V35PW15是一款超低正向压降的表面贴装 trench MOS 隧道型肖特基整流器，适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用。该产品具有超低剖面高度、高效率运行和符合AEC-Q101标准等特点。

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V35PWM45 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.33V

01-Jun-17 - 数据手册 Vishay General Semiconductor推出的V35PWM45是一款高电流密度表面贴装 trench MOS 隧道体肖特基整流器，具有超低正向电压降，适用于自动化放置，低正向电压降和低功耗，适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用。

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V35PW15 Vishay General Se半导体高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器

11-Feb-2019 - 数据手册 Vishay公司推出的V35PW15是一款超低正向压降的表面贴装肖特基整流器，采用Trench MOS Schottky技术，适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用。

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V35PW10 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器

11-Feb-2019 - 数据手册 Vishay公司推出V35PW10系列TMBS®（沟槽MOS阻挡肖特基）整流器，具有超低正向压降（0.36V，5A），适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用。产品采用Trench MOS Schottky技术，具有低功耗、高效率等特点，符合AEC-Q101标准。

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V35PW45 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器

11-Feb-2019 - 数据手册 Vishay公司推出V35PW45型号的TMBS®（沟槽MOS阻挡肖特基）整流器，属于eSMP®系列。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有超低正向压降，典型值为0.27V（IF=5A），适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用。

VISHAY - 高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器,HIGH CURRENT DENSITY SURFACE-MOUNT TMBS® (TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY) RECTIFIER,V35PW45-M3/I,V35PW45HM3/I,TMBS®,ESMP®,V35PW45,LOW VOLTAGE HIGH FREQUENCY DC/DC CONVERTERS,续流二极管,低压高频DC/DC变换器,POLARITY PROTECTION APPLICATIONS,极性保护应用,FREEWHEELING DIODES

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V35PW60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.31 V

01-Jun-17 - 数据手册 Vishay公司推出V35PW60系列表面贴装 trench MOS 隧道型肖特基整流器，具有超低正向压降和高效能操作。该产品适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用。

VISHAY - HIGH CURRENT DENSITY SURFACE MOUNT TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,高电流密度表面安装沟槽MOS势垒肖特基整流器,V35PW60HM3,V35PW60-M3/I,V35PW60,TMBS®,ESMP®,LOW VOLTAGE HIGH FREQUENCY DC/DC CONVERTERS,续流二极管,低压高频DC/DC变换器,FREEWHEELING DIODES

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V35PWM45 Vishay General Semiconducto高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.33 V

01-Jun-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V35PWM45型号表面贴装 trench MOS 隧道型肖特基整流器。该产品采用Trench MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护等应用。

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eSMP® 系列用于选定二极管和整流器的小尺寸和低型面高度封装解决方案

2017/11/05 - 应用及方案 eSMP®系列封装提供小尺寸和低型面高度的二极管和整流器解决方案，包括ESD保护二极管、TVS二极管、齐纳二极管、整流器等，适用于汽车、照明、电信和工业等领域。该系列封装设计支持更高的电流和功率效率，提供不对称和对称扁平式封装。

VISHAY - ESMP®

SEMTECH ST整流桥选型表

选型表 - SEMTECH ST 先之科提供整流桥选型：整流桥将4只整流二极管集成为单片模块，实现全桥或半桥整流功能，具有体积小、安装方便、可靠性高的特点，广泛应用于AC-DC电源、开关电源、充电器、适配器、工业控制电源、家电及汽车电子等领域的交流整流电路。产品提供28种封装形式，可满足不同功率等级、安装方式和散热条件的严格要求。该系列整流桥反向耐压覆盖40V至1600V超宽范围，平均电流从0.5A到50A，正向压降低至0.55V，配合低反向漏电流，确保高效率运行。浪涌电流能力最高450A，为系统提供可靠的过流保护。结电容低至13pF，有利于高频应用中的EMI控制。

产品型号	品类	封装	VRWM(V)	IF(AV)(A)	VF(V)	IFSM(A)	IR@TA=25℃(uA)	CJ(PF)
GBJ35005	整流桥	GBJ	50	35	1.1	350	5	75

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

SEMTECH ST碳化硅肖特基二极管选型表

选型表 - SEMTECH ST 先之科提供碳化硅肖特基二极管选型：碳化硅材料具有超宽的禁带宽度、极高的临界击穿电场和优异的热导率，使SiC肖特基二极管在高压、高温、高频应用中展现出远超传统硅器件的性能优势。产品提供5种功率封装形式TO-252、TO-247-3、TO-220FB-2、TO-220F-2、TO-247-2，适用于工业级功率应用。该系列SiC肖特基二极管反向耐压高达1200V，可在高温（最高175°C以上）环境下稳定工作，大幅降低散热系统复杂度。零反向恢复电荷（或极小）的特性使其开关损耗极低，特别适合高频开关电源（>100kHz）、光伏逆变器、电动汽车OBC/DC-DC、工业PFC及5G基站电源等高端应用场景。正向压降1.4V~1.7V，在高压大电流应用中仍保持优异的导通效率。