NCEP02T10 NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
发布时间：
2019-06-21
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
NCE（新洁能）
型号：
NCEP02T10
本数据手册详细介绍了NCEP02T10型N通道超深沟槽功率MOSFET的技术特性与应用优势。该器件采用独特的Super Trench技术，专为优化高频开关性能而设计，具备低导通电阻和低切换损耗的显著特点。在关键参数方面，NCEP02T10支持200V漏源电压（VDS）和100A连续漏极电流（ID），在VGS=10V条件下导通电阻（RDS(ON)）低于11mΩ，并拥有极低的栅电荷与导通电阻乘积。此外，该产品通过了100% UIS测试，工作温度范围覆盖-55°C至175°C，且采用无铅镀锡工艺，符合环保要求。凭借其优异的电学性能，该MOSFET主要适用于DC/DC转换器、高频开关以及同步整流等对能效要求严苛的电子电路场景。NCE在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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NCE官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是NCE的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供NCE的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）
新洁能（NCEPOWER）专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，主营产品包括：车规级功率器件、中低高压MOSFET、IGBT单管、功率模块、驱动IC等，是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET量产的企业。
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现货平台 / NCE 授权代理店
| 订货型号 | NCEP02T10 |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEP02T10 |
| 品类 | N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET,工业级,BVDSS(V):200,ID(A):100 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 |
| Technology | SGT-I |
| Polarity | N |
| BVDSS(V) | 200 |
| ID(A) | 100 |
| VTH(V) | 3 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 10 |
| RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 11 |
| VGS(th)(V) | ±20 |
| CISS(pF) | 4200 |
| QG(nC) | 63.2 |
| PD(W) | 300 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥8.4270
库存：
2
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| 订货型号 | NCEP1580F |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEP1580F |
| 品类 | N-Channel Super Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCEP1580F uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-3L |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Technology | Trench |
| Polarity | N |
| BVDSS(V) | 150V |
| ID(A) | 80A |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 10.4 |
| QG(nC) | 44.1 |
| PD(W) | 55 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4.2940
库存：
50
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| 订货型号 | NCEAP4065QU |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEAP4065QU |
| 品类 | Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCEAP4065QU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFN3.3X3.3-8L |
| 最小包装量 | 25,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | 40 V |
| VGS | ±20 V |
| IDM | 440 A |
| PD(TC=25℃) | 65 W |
| Derating factor | 0.44 W/℃ |
| EAS | 500 mJ |
| TJ | -55 To 175 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | NCEP15T18T |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEP15T18T |
| 品类 | N-Channel Super Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | The series of devices uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. |
| 封装/外壳/尺寸 | TO247-3L |
| 最小包装量 | 30 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | ±20~150 V |
| ID | 126 A~180 A |
| IDM | 720 A |
| PD (TC=25℃) | 360 W |
| EAS | 1750 mJ |
| TJ | -55 To 175 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | NCEP025F90D |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEP025F90D |
| 品类 | N-Channel Super Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCEP025F90D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2L |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | 250 V |
| VGS | ±20 V |
| ID | 90 A |
| ID (100°C) | 63.6 A |
| IDM | 360 A |
| PD | 330 W |
| EAS | 1700 mJ |
| TJ | -55 To 175 °C |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | NCEAP40ND40AG |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEAP40ND40AG |
| 品类 | Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCEAP40ND40AG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | 40 V |
| VGS | ±20 V |
| ID | 43 A |
| IDM | 200 A |
| PD | 33 W |
| EAS | 92 mJ |
| TJ | -55 To 175 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.9070
库存：
0
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| 订货型号 | NCEAP40T20AGU 2.0 |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEAP40T20AGU |
| 品类 | Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCEAP40T20AGU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | 40V |
| ID | 300A |
| RDS(ON) | 0.85mΩ |
| typical@VGS | 10V |
| qualified | AEC-Q101， Pb-free lead plating |
| operating temperature | 175°C |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥12.0000
库存：
0
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| 订货型号 | NCEAP15T14D |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEAP15T14D |
| 品类 | Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | The series of devices uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2L |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | 150 V |
| VGS | ±20 V |
| ID | 140 A |
| IDM | 560 A |
| PD | 320 W |
| Derating factor | 2.1 W/℃ |
| EAS | 1296 mJ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供NCEAP15T14D在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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NCEAP15T14D 交期查询 >>
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| 订货型号 | NCEPB303GU |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEPB303GU |
| 品类 | Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCEPB303GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN5x6 package |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Technology | SGT半桥 |
| Polarity | N |
| BVDSS(V) | 30 |
| Q1 "High Side" MOSFET，ID(A) | 30 |
| Q2 "Low Side" MOSFET，ID(A) | 100 |
| Q1，RDS(ON)@10VTyp(mΩ) | 5.2 |
| Q1，RDS(ON)@10VMax(mΩ) | 5.8 |
| Q1，RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 7.7 |
| Q1，RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 8.9 |
| Q2，RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：9.8mΩ | 1.7 |
| Q2，RDS(ON)@10VMax(mΩ)：11.5mΩ | 1.9 |
| Q2，RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：15.3mΩ | 2.4 |
| Q2，RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：19mΩ | 2.8 |
| VGS(th)(V) | ±20 |
| Q1,CISS(pF) | 822 |
| Q2,CISS(pF) | 3370 |
| Q1,QG(nC) | 15 |
| Q2,QG(nC) | 55 |
| Q1,PD(W) | 30 |
| Q2,PD(W) | 80 |
| Q1,VGS(th)(V) | 1.5 |
| Q2,VGS(th)(V) | 1.7 |
| N1-CH VTH(V) | 1.5 |
| N2-CH VTH(V) | 1.6 |
| N1-CH RDS(ON)@10VTyp(mΩ) | 15.8 |
| N1-CH RDS(ON)@10VMax(mΩ) | 18 |
| N1-CH RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 22 |
| N1-CH RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 28 |
| N2-CH RDS(ON)@10VTyp(mΩ) | 11.7 |
| N2-CH RDS(ON)@10VMax(mΩ) | 14 |
| N2-CH RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 15.6 |
| N2-CH RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 20 |
| N1-CH CISS(pF) | 964 |
| N1-CH QG(nC) | 22.9 |
| N1-CH PD(W) | 2 |
| N2-CH CISS(pF) | 1780 |
| N2-CH QG(nC) | 38.2 |
| N2-CH PD(W) | 2.5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供NCEPB303GU在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
NCEPB303GU 在线购买 >>
世强硬创平台提供NCEPB303GU样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
NCEPB303GU 样品申请 >>
世强硬创平台提供NCEPB303GU批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
NCEPB303GU 批量询价 >>
世强硬创平台提供NCEPB303GU交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
NCEPB303GU 交期查询 >>
世强硬创平台提供NCEPB303GU期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
NCEPB303GU 期货订购 >>
| 订货型号 | NCEPB302G |
| 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEPB302G |
| 品类 | Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCEPB302G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN5x6 package |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Technology | SGT半桥 |
| Polarity | N |
| BVDSS(V) | 30 |
| Q1 "High Side" MOSFET，ID(A) | 25 |
| Q2 "Low Side" MOSFET，ID(A) | 75 |
| Q1，RDS(ON)@10VTyp(mΩ) | 7.6 |
| Q1，RDS(ON)@10VMax(mΩ) | 8.1 |
| Q1，RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 10 |
| Q1，RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 11 |
| Q2，RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：9.8mΩ | 3.9 |
| Q2，RDS(ON)@10VMax(mΩ)：11.5mΩ | 4.4 |
| Q2，RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：15.3mΩ | 5.1 |
| Q2，RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：19mΩ | 5.6 |
| VGS(th)(V) | ±20 |
| Q1,CISS(pF) | 822 |
| Q2,CISS(pF) | 2200 |
| Q1,QG(nC) | 15 |
| Q2,QG(nC) | 34.6 |
| Q1,PD(W) | 28 |
| Q2,PD(W) | 65 |
| Q1,VGS(th)(V) | 1.5 |
| Q2,VGS(th)(V) | 1.5 |
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2021/05/21
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NCEP4065准晶N沟道超沟槽功率MOSFET
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应用/方案
150V/180A N-Channel Super Trench Power MOSFET NCEP15T18T with An Extremely Low Combination of RDS(ON) and Qg
NCEP15T18T N-Channel Super Trench Power MOSFET uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
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