中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER)

2023-02-24 世强
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产品亮点:

车规级功率器件(20V~1200V):包含N型MOSFET、P型MOSFET、双通道MOSFET、IGBT等,具备超低的导通电阻、优异的开关特性,且均通过了IATF16949和ISO9001认证,符合AECQ101标准。 广泛应用于车身域控、动力电池管理、DC/DC、动力总成、辅助驾驶、车载照明等系统中。

 

功率MOSFET:包含屏蔽栅沟槽型MOSFET(VDSS:30~250V)、沟槽型功率MOSFET(VDSS:12~200V)、高压超结MOSFET(VDSS:200-1050V),通过采用先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构,实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时,电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定;应对于高频率的开关应用,新洁能为设计师们提供低开关损耗的系列产品,使其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端,新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode,在提高和加快反向续流能力的同时,降低反向恢复过程中的峰值电流(Irm)和电压(Vrm)。

 

IGBT单管(600V~1350V):通过注入增强(Injection Enhance, IE)与场截止(Field Stop,FS)技术,获得了先进的导通压降(Vce),并且在导通损耗与关断损耗(Eoff)之间做出了良好权衡。出色的导通压降与极短的拖尾电流为设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。此外,该产品封装齐全,还具备良好的短路性能,为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。广泛应用于光伏逆变器、变频器、不间断UPS电源、电动工具、电磁加热、工业缝纫、电焊机以及所有的硬开关。

 

IGBT功率模块(650V~1700V):以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,该系列包括650V、750V、1200V和1700V系列产品,并搭载了不同系列的IGBT芯片,以保证产品工作效率良好;同时,可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品,满足不同的应用要求。广泛应用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。


选型指南:

【选型】NCE(新洁能)IGBT选型表【选型】NCE(新洁能)MOSFET选型表

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  • 极度认真 Lv8. 研究员 2023-11-17
    niu
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研讨会2024年功率器件新技术研讨会

描述- 3月28日,世强硬创邀请ROHM、EPC、扬杰科技、新洁能、黑金刚等顶尖企业,分享功率器件最新技术和产品,点击了解报名。

议题- 汽车电动化大势所趋,IGBT、MOSFET加速渗透  |  国产车规功率器件有望打破行业壁垒,加速替代进程  |  碳化硅SiC加速上车,缓解电动汽车里程焦虑  |  大功率储能下衍生出的高压大电流功率器件需求  |  光伏逆变、充电桩和工控多轮驱动,功率半导体前景广阔  |  虹美车规SiC二极管/GaN FET/IGBT,提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案  |  扬州国芯达林顿阵列,耐压高,驱动能力强,助力电机的研发  |  扬杰科技多封装车规级IGBT单管,适用于光伏、储能、充电桩及PTC  |  EPC发挥其GaN技术优势,将帮助实现高效能电机驱动应用和DC/DC转换器  |  虹美SGT MOS,可实现高效能源转换,用于储能/BMS/消费电子的高性价比方案  |  瑶芯微SiC MOS,多内阻等级、封装选择,可降低热损耗,适用于光伏、储能、充电桩  |  龙腾半导体超结MOSFET,极低导通电阻和栅极电荷,应用于储能电机驱动和充电器等领域  |  思瑞浦增强型隔离产品,6000VRMS隔离耐压,支持超宽体封装,广泛应用于工业与汽车领域  |  EPC GaN IC,QFN封装易焊接,在DC/DC及马达驱动的应用  |  必易微高频氮化镓直驱电源芯片,用于100W氮化镓快充  |  ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商  |  中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE)  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER)  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI)  |  国内IC行业第一家中外合资企业,一流的模拟集成电路和功率器件设计公司——上海贝岭(Shanghai Belling)  |  行业领先的数字隔离器制造商——荣湃半导体(2Pai Semi)  |  全球光电传感器行业领航者——群芯微(Qunxin Microelectronics)  |  Littelfuse(力特)——全球排名第一的电路保护供应商  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes)  |  通过德国VDE认证的国内专业光耦制造商:奥伦德(Orient)  |  国内第一家光耦合器制造厂家——华联电子(XMHL)  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY)  |  模拟与嵌入式产品和解决方案供应商——思瑞浦(3PEAK)  |  NIPPON CHEMI-CON(黑金刚) —— 铝电解电容器的顶级制造商  | 

活动    发布时间 : 2024-01-12

锐腾多款导热系数范围3.0~5.0W/m.k的导热硅脂,广泛应用于新能源汽车上的IGBT模块

温度特性是IGBT模块产品设计和可靠性评估中的重要指标,为大幅提高其功率密度、散热性能与长期可靠性,高效的散热方案尤其重要。为减少热源和水路的热阻, 提高模组的导热效率,通常需要在IGBT模组与冷片之间的刚性界面涂抹导热硅脂。锐腾开发了多款性能不同的导热硅脂,导热系数范围3.0~5.0W/m.k。

应用方案    发布时间 : 2024-01-31

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品牌:NCE

品类:N-Channel Automotive MOSFET

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品牌:NCE

品类:MOSFET

价格:¥0.7680

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品牌:NCE

品类:N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET

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品牌:NCE

品类:P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥2.7040

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品类:N-Channel Super Trench II Power MOSFET

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品牌:NCE

品类:N-Channel Super Trench II Power MOSFET

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品类:N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET

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品牌:NCE

品类:MOSFET

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品牌:NCE

品类:N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET

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品类:MOSFET

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品牌:NCE

品类:N-Channel Super Trench II Power MOSFET

价格:¥2.3100

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品牌:NCE

品类:N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET

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品类:N-Channel MOSFET

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品牌:扬杰科技

品类:Mosfet

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品类:MOSFET

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品类:MOSFET

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品牌:TOSHIBA

品类:MOSFET

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品类:MOSFET管

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