Materials Declaration Form T2D2*MQ66B62
发布时间：
2018-02-24
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ST（意法半导体）
型号：
STB28N60M2
本物料声明表详细介绍了STMicroelectronics公司STB28N60M2产品的合规性信息。该资料采用IPC 1752形式D标准，版本为2，内容涵盖产品基本信息、制造详情及材料成分声明。文件明确指出该产品符合欧盟RoHS指令2011/65/EU及REACH法规要求，并详细列出了各成分的名称、CAS号及具体含量，为用户提供了完整的环境合规性数据支持。针对文中所述器件，STMicroelectronics在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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可定制ATA TE Cooler的冷却功率范围：35~800W；控温精度：≦±0.1℃；尺寸：冷面：20*20到500*300；热面：60*60到540*400 （长*宽；单位mm）。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
STB28N60M2、STI28N60M2、STW28N60M2STP28N60，N沟道600 V、0.135Ω（典型值）、22 a MDmesh™M2功率MOSFET，采用D²PaK、I²PaK、TO-220和TO-247封装
Rev 4
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表R1D2*VJLLB62
Version A
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| 技术文档 - 英文 |
STP200NF04 STB200NF04-STB200NF04-1 N沟道40V-120 A-3.3 mΩTO-220/D²PAK/I²PAK STripFET™II MOSFET
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
STB20NM60-1-STP20NM60FP STB20NM60-STP20NM60-STW20NM60 N沟道600V-0.25Ω-20a-TO-247-TO-220/FP-D2/I2PaK MDmesh™功率MOSFET
Rev 12
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表R1D2*VJLLB32
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB26N60M2 N通道600 V，0.14Ω典型值，20 A MDmesh™ D²PAK封装中的M2功率MOSFET
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明X4D2*4D4CA52
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB20N90K5 N沟道900 V、0.21Ω（典型值）、20 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 4
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| 数据手册 - 英文 |
STB20N90K5 N沟道900 V、0.21Ω（典型值）、20 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLD2*VK86B52
Version A
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| 测试报告 - 英文 |
STB28N65M2材料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB25NF06LAG汽车级N沟道60 V，53 mΩ典型值，20 ASTripFET™ D²PAK封装中的II功率MOSFET数据表
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STB23NM50N TLD2*M255B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB25NF06AG汽车级N沟道60 V，0.056Ω典型值，19 A带状场效应晶体管™ D²PAK封装中的II功率MOSFET
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
STB22N60DM6物料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB21NK50Z汽车级N通道500 V，0.23Ω，17 A，齐纳保护超级网™ D2PAK封装中的功率MOSFET
Rev 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2D2*MD67B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STP200NF03 STB200NF03-STB200NF03-1 N通道30V-0.0032Ω-120A-D2PAK/I2PAK/TO-220带状场效应晶体管™ 三功率MOSFET
Rev 4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T2D2*2MFKB32
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB270N4F3汽车级N沟道40 V，1.6 mΩ典型值，160 A带状场效应晶体管™ D2PAK封装中的F3功率MOSFET
Rev 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2D2*M266B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB23N80K5-N沟道800 V、0.23Ω（典型值）、16 A MDMesh K5功率MOSFET，采用D²PAK封装
Rev 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB23N80K5 N沟道800 V、0.23Ω（典型值）、16 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
STB20N65M5材料申报表
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB22N60DM6 N沟道600 V、200 mΩ（典型值）、15 A、MDmesh DM6功率MOSFET，采用D²PAK封装
Rev 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB22N60DM6 N沟道600 V、200 MΩ（典型值）、15 a、MDMesh™DM6功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLD2*MQ6HB62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB22N60M6 N沟道600 V、196 MΩ（典型值）、15 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用D2PaK封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
STB26NM60N物料申报表
Version A
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| 测试报告 - 英文 |
STB28NM50N物料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB24N60M6 N沟道600 V、162 MΩ（典型值）、17 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明R1D2*2F67B32
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB20N60M2-EP N沟道600 V、0.230Ω（典型值）、13 A MDMESH™M2 EP功率MOSFET，采用D²PAK封装\n
Rev 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2D2*2F6KB32
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB20NM60D N通道600V-0.26Ω-20A-D20™ 功率MOSFET
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STB28N60DM2
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB24NM60N N通道600 V，0.168Ω典型值，17 A MDmesh™ D²PAK封装中的II功率MOSFET
Rev 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STB24N60DM2
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB24NF10 STP24NF10 N沟道100V-0.0055Ω-26A-TO-220-D²PAK低栅电荷剥离场效应晶体管™ II功率MOSFET
09-Aug-2006
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| 数据手册 - 英文 |
采用D²PaK、DPaK、TO-220FP、TO-220和IPaK封装的620 V、3Ω、2.2 a N沟道STB2N62K3、STD2N62K3、STU2N62 K3和STU2N62 K3 SuperMESH3™功率MOSFET
Rev 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB20NM50-STB20NM50-1 STP20NM50-STP20NM50FP N沟道500V-0.20Ω-20a-TO220/FP-D2PaK-I2PaK MDmesh™功率MOSFET
Rev 13
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世强AI
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应用/方案
MDMESH™DM6快速恢复体二极管SJ MOSFET
MDmesh™ DM6系列600V-650V快速恢复体二极管超结MOSFET，适用于全桥和半桥拓扑结构。该系列具有极低的RDS(on)和优化的电容特性，适用于轻载条件，提供高效率性能和增加功率密度。主要应用包括电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等。
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600 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost ef ciency and robustness 产品介绍
STMicroelectronics推出的600 V MDmesh™ DM6fast-recovery SJ MOSFETs，采用新型寿命终结工艺，优化电容特性和低栅极电荷（Qg）、极低恢复电荷（Qrr）、低恢复时间（trr）以及每单位面积RDS(on)的显著提升，适用于全桥和半桥拓扑结构，提高效率与系统可靠性。该系列MOSFETs具有极低RDS(on)、高dv/dt、优化体二极管恢复阶段和软度，适用于电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等领域。
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STM32L4系列超低功耗高性能MCU
STM32L4系列MCU采用ARM Cortex-M4核心，具备FPU和ST ART Accelerator™，在80 MHz频率下实现100 MIPS性能，同时保持超低功耗。该系列具备创新的外设、1 MB闪存和320 Kbyte SRAM，以及安全性和安全性功能。STM32L4支持多种低功耗模式，提供灵活的电源控制和快速唤醒时间。此外，该系列还具备智能外设、集成安全性和安全性功能，以及广泛的生态系统支持。
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HB系列650 V IGBT：沟槽栅极场截止高速技术
HB系列650V IGBT器件采用沟槽栅极场止技术，具备低饱和电压和低关断能量，适用于焊接、光伏逆变器、不间断电源、功率因数校正、感应烹饪和高频转换器等应用。该系列器件具有高可靠性、高效率和宽安全工作区，可提高系统效率并节省能源。
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功能安全解决方案：让工厂更安全、更智能
该资料主要介绍了STMicroelectronics公司提供的功能安全解决方案，旨在为智能工厂提供更安全、更智能的运行环境。资料涵盖了满足严格SIL要求的解决方案，包括针对STM32微控制器的功能安全设计包、安全自动化用电压调节器、安全数字输入/输出以及集成隔离开关等产品。此外，ST还提供了一系列评估板和工具，以帮助制造商实现功能安全标准认证，并支持客户开发满足SIL2/SIL3认证的解决方案。
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STM32Cube：支持STM32开发的软件套件
STM32Cube生态系统是一个全面的软件解决方案，旨在支持STM32微控制器和微处理器的开发。它包括软件工具、嵌入式软件库和配置工具，旨在减少开发努力、时间和成本。该生态系统分为STM32Cube MCU/MPU包和STM32Cube扩展包，提供从低级驱动到高级应用解决方案的软件砖块。此外，还包括STM32CubeMX配置工具、STM32CubeIDE集成开发环境、STM32CubeProgrammer编程工具和STM32CubeMonitor监控工具，以支持多操作系统软件开发。
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交钥匙PLC芯片组：用于智能能源基础设施
STMicroelectronics推出的ST8500系统级芯片（SoC）和STLD1伴侣芯片，为智能能源基础设施提供全面的电力线通信（PLC）解决方案。该平台支持多标准和多频段，具备可编程性、超低功耗和强大的数据处理能力，适用于智能电表、智能电网、智能家庭能源、街道照明和智能城市解决方案等应用。ST8500 SoC集成了高性能DSP引擎、ARM Cortex-M4F核心、PLC模拟前端和多种外设，STLD1伴侣芯片提供线路驱动功能，确保优异的通信性能和EMC合规性。
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1200 V SiC二极管
ST公司推出新型1200V碳化硅二极管，电流范围2至40A，适用于表面贴装和通孔封装。这些二极管具有低正向电压（VF），提高系统效率。产品特点包括最佳性能可重复性、低VF变化、高可靠性、多种封装选项，适用于太阳能转换器、电动汽车充电站、电池充电器等应用。
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