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03-Mar-2014 - 数据手册
ST - STW24N60DM2,STB24N60DM2,STP24N60DM2
材料申报表TLD2*MQ6HB62
2013-05-03 - 测试报告 本资料为STMicroelectronics公司提供的材料声明表，版本2。表格内容涵盖供应商信息、产品信息、制造信息、材料成分声明等。资料中详细列出了产品STB24N60M2的制造信息，包括材料成分、RoHS指令和REACH法规的合规性等信息。
ST - STB24N60M2
STP200NF04 STB200NF04-STB200NF04-1 N沟道40V-120 A-3.3 mΩTO-220/D²PAK/I²PAK STripFET™II MOSFET
11-Oct-2004 - 技术文档 本资料详细介绍了STMicroelectronics公司生产的STP200NF04、STB200NF04和STB200NF04-1型号的N通道40V、120A、3.3mΩ的TO-220/D²PAK/I²PAK封装的StripFET™II MOSFET。资料涵盖了该MOSFET的通用特性、绝对最大额定值、热数据、电气特性、安全工作区、机械数据、SPICE热模型、测试电路图以及订购代码等信息。该MOSFET适用于高电流、高开关速度的应用，如汽车行业。
ST - STP200NF04,STB200NF04,STB200NF04-1
STB24N60M6 N沟道600 V、162 MΩ（典型值）、17 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用D²PaK封装
August 2018 - 数据手册 该资料详细介绍了STMicroelectronics公司生产的STB24N60M6型号N沟道600V、162mΩ典型导通电阻、17A电流的MDmesh™ M6功率MOSFET。该产品采用D²PAK封装，具有低开关损耗、低栅极输入电阻、100%雪崩测试和齐纳保护等特点，适用于开关应用、LLC转换器和升压PFC转换器等。
ST - N沟道MDMESH™M6功率MOSFET,N-CHANNEL MDMESH™ M6 POWER MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,STB24N60M6,升压PFC转换器,BOOST PFC CONVERTERS,SWITCHING APPLICATIONS,开关应用,LLC转换器,LLC CONVERTERS
材料成分声明T2D2*2MFKB32
2012-05-02 - 测试报告 本资料为RoHS物质成分声明，详细列出了电子产品的材料成分，包括硅芯片、引线框架、封装等，并声明产品不含RoHS指令中规定的限制物质。声明中包含了各成分的重量、单位、CAS编号、豁免情况等信息，并由供应商进行数字签名确认。
ST - STB24NM65N
正品的irf3710s和stb25nm50n谁家有供应？质量要保证。
2020-01-15 - 技术问答 抱歉，世强目前没有代理infineon和ST的功率器件，请您持续保持关注。不过，如上的型号，世强有代理PANJIT和IXYS（littelfuse收购）的型号可以替代，分别推荐型号为PANJIT的功率MOS PJD55N10A（100V/55A/18mΩ，TO-252AA）、IXYS的功率MOS IXKC23N60C5（600V/23A/0.1Ω，ISOPLUS220），有需求可以再联系。
STB24NM60N N通道600 V，0.168Ω典型值，17 A MDmesh™ D²PAK封装中的II功率MOSFET
24-Jul-2014 - 数据手册 STB24NM60N是一款650V、17A的N沟道MDmesh™ II Power MOSFET，采用D²PAK封装。该器件采用第二代MDmesh™技术，结合垂直结构和条带布局，实现极低的导通电阻和栅极电荷，适用于高效率转换器。
ST - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,STB24NM60N,HIGH EFFICIENCY CONVERTERS,高效转换器
材料申报表R1D2*VJLLB32
2013-03-22 - 测试报告 本资料为STMicroelectronics公司提供的材料声明表，根据IPC 1752标准编制。表格内容涵盖了产品信息、制造信息、材料成分声明等，包括产品型号、版本、制造地点、材料成分、RoHS指令和REACH法规合规性等信息。声明表强调了信息准确性，并声明了免责条款。
ST - STB20N95K5
STB24NF10 STP24NF10 N沟道100V-0.0055Ω-26A-TO-220-D²PAK低栅电荷剥离场效应晶体管™ II功率MOSFET
09-Aug-2006 - 数据手册 本资料介绍了STMicroelectronics公司生产的STB24NF10和STP24NF10两款N通道100V低导通电阻STripFET™ II功率MOSFET。这些器件专为降低导通电阻而设计，适用于电信和计算机应用中的高效率、高频隔离DC-DC转换器，以及任何低栅极驱动要求的场合。
ST - N沟道功率MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,功率 MOSFET,STP24NF10,STB24NF10,HIGH-EFFICIENCY ISOLATED DC-DC CONVERTERS,计算机应用,COMPUTER APPLICATION,TELECOM APPLICATION,高效隔离式DC-DC转换器,电信应用
材料申报表R1D2*VJLLB62
2016-11-03 - 测试报告 本资料为STMicroelectronics公司提供的IPC 1752材料声明表，版本2。表格中详细列出了产品STB20N95K5的制造信息，包括材料成分、环保合规性声明、以及与RoHS和REACH指令相关的查询和响应。资料中还包括了材料的不确定性声明和法律责任声明。
ST - STB20N95K5
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28-Feb-2014 - 数据手册
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材料成分声明X4D2*4D4CA52
2012-08-10 - 测试报告 这份资料是一份关于电子产品的材料成分声明，特别是针对RoHS（欧盟关于限制在电子电器设备中使用某些有害物质的指令）规定的有害物质。资料中详细列出了产品中各种同质材料的成分，包括硅芯片、引线框架、封装材料等，并说明了每种成分中特定有害物质的含量和CAS编号。同时，资料还包含了供应商的数字签名和认证，确认产品符合RoHS指令的要求。
ST - STB270N4F3
MDMESH™DM6快速恢复体二极管SJ MOSFET
June 2020 - 商品及供应商介绍 MDmesh™ DM6系列600V-650V快速恢复体二极管超结MOSFET，适用于全桥和半桥拓扑结构。该系列具有极低的RDS(on)和优化的电容特性，适用于轻载条件，提供高效率性能和增加功率密度。主要应用包括电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等。
ST - FAST-RECOVERY BODY DIODE,快恢复体二极管,STW70N60DM6,STL33N60DM6,STL15N60DM6,DM6 SERIES,STW70N60DM6-4,DM6,STW75N60DM6,STWA68N65DM6,STW45N60DM6,STD12N60DM6,STP26N60DM6,STW65N60DM6,STL26N60DM6,STB26N60DM6,STWA70N65DM6,STO68N65DM6,STF22N60DM6,STP50N65DM6,STB33N60DM6,STL52N60DM6,STO65N60DM6,STWA65N60DM6,STWA75N60DM6,STF26N60DM6,STB50N65DM6,STP45N60DM6,STW50N65DM6,STWA70N60DM6,STP22N60DM6,STWA67N60DM6,STO67N60DM6,STO52N60DM6,STW70N65DM6-4,STL45N60DM6,STP33N60DM6,STW68N65DM6,STF33N60DM6,STB45N60DM6,STD15N60DM6,STB50N60DM6,STW70N65DM6,STB22N60DM6,STP50N60DM6,STL22N60DM6,LED LIGHTING,TELECOM,电信,SOLAR INVERTERS,充电站,CHARGING STATIONS,服务器,太阳能逆变器,SERVERS,LED照明
600 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost ef ciency and robustness 产品介绍
2019/01/29 - 商品及供应商介绍 STMicroelectronics推出的600 V MDmesh™ DM6fast-recovery SJ MOSFETs，采用新型寿命终结工艺，优化电容特性和低栅极电荷（Qg）、极低恢复电荷（Qrr）、低恢复时间（trr）以及每单位面积RDS(on)的显著提升，适用于全桥和半桥拓扑结构，提高效率与系统可靠性。该系列MOSFETs具有极低RDS(on)、高dv/dt、优化体二极管恢复阶段和软度，适用于电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等领域。
ST - STF22N60DM6*,STW70N60DM6,STL22N60DM6*,STL33N60DM6*,STF33N60DM6*,STL26N60DM6*,STW75N60DM6,STW45N60DM6,STW65N60DM6,STP26N60DM6*,STP33N60DM6*,STWA67N60DM6*,STB22N60DM6*,STWA65N60DM6,STWA75N60DM6,STB33N60DM6*,STP45N60DM6,STWA70N60DM6,STP22N60DM6*,MDMESH™ DM6,STO65N60DM6*,STF26N60DM6*,STO67N60DM6*,STL45N60DM6*,STW70N60DM6-4*
N沟道带状FET 12 V至30 V
2018/07/14 - 选型指南 这份资料主要介绍了STMicroelectronics公司生产的N通道STripFET功率MOSFET产品系列。涵盖了从12V到350V不同电压等级的产品，详细列出了每个产品的型号、额定电压、导通电阻、电流容量、栅极电荷量以及封装类型等信息。此外，还包括了部分产品的汽车级认证情况。资料还提供了ST-MOSFET Finder应用程序的二维码，方便用户查询完整的产品目录。
ST - STP160N3LL,STD155N3LH6,STR2M2VH5,STP105N3LL,SH5N2VH5,STV300NH02L,STL23NS3LLH7,ST1220N3LLH7,STD100N3LF3,STD96N3LLH6,STL90N3LLH6,STB155N3H6,STD86N3LH5AG,STD155N3H6,STB100NF03L-03T4,STL160NS3LLH7,STL86N3LLH6AG,STH300NH02L-6,STD86N3LH5,STP80NF03L-04,STL66N3LLH5,STB200NF03T4,STL105NS3LLH7,STS6NF20V,STB100NF03L-03-1,STL110NS3LLH7,STB155N3LH6,STL65DN3LLH5
服务市场
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量：1支 提交需求>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量：1 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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