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Materials Declaration Form STB24N60DM2

发布时间： 2018-09-17

类型：测试报告，认证报告、性能测试报告

品牌：

ST（意法半导体）

型号：

STB24N60DM2; TLD2*FQ6HB62

本资料为STMicroelectronics提供的IPC 1752材料声明表，详细阐述了STB24N60DM2产品的制造信息。该声明表全面披露了产品的材料成分，并明确其在RoHS指令、加州65号提案及REACH法规等关键环保标准下的合规性状态。此外，文件还包含了产品的不确定性声明、法律免责条款以及供应商的认证信息，旨在为用户提供完整、可信的物质合规性数据支持，满足电子行业对供应链透明度的严格要求。针对该产品，STMicroelectronics在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于此合规资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队可协助用户进行选型确认、设计验证及调试工作，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。

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加工定制

可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。

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可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃；尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。

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资料平台

数据手册 - 英文	STB24N60DM2、STP24N60DM2、STW24N60DM N沟道600 V、0.175Ω（典型值）、18 a FDmesh II Plus™低Qg功率MOSFET，采用D2PaK、TO-220和TO-247封装 Rev 3	下载
测试报告 - 英文	材料申报表TLD2*MQ6HB62 Version A	下载
技术文档 - 英文	STP200NF04 STB200NF04-STB200NF04-1 N沟道40V-120 A-3.3 mΩTO-220/D²PAK/I²PAK STripFET™II MOSFET Rev. 3	下载
数据手册 - 英文	STB24N60M6 N沟道600 V、162 MΩ（典型值）、17 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用D²PaK封装 Rev 1	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明T2D2*2MFKB32 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB24NM60N N通道600 V，0.168Ω典型值，17 A MDmesh™ D²PAK封装中的II功率MOSFET Rev 2	下载
测试报告 - 英文	材料申报表R1D2*VJLLB62 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB24NF10 STP24NF10 N沟道100V-0.0055Ω-26A-TO-220-D²PAK低栅电荷剥离场效应晶体管™ II功率MOSFET 09-Aug-2006	下载
测试报告 - 英文	材料申报表R1D2*VJLLB32 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB24N60M2、STI24N60M2、STP24N60M2、STW24N60M2N沟道600 V、0.168Ω（典型值）、18 a MDMesh II Plus™低Qg功率MOSFET，采用D2PaK、I2PaK、TO-220和TO-247封装 Rev 5	下载
测试报告 - 英文	STB22N60DM6物料申报表 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB24N65M2、STF24N65M2、STP24N65M2 N沟道650 V，0.185Ω典型值，D2PAK、TO-220FP和TO-220封装中的16 A MDmesh M2功率MOSFET Rev 2	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明X4D2*4D4CA52 Version A	下载
数据手册 - 英文	STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65-STB24NM65-STP24NM65N N沟道650 V-0.16Ω-19 a-TO-220-TO-220FP-D2PaK I2PaK-TO-247第二代MDmesh™功率MOSFET Rev 1	下载
测试报告 - 英文	材料申报表T2D2*MQ66B62 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB20NM60-1-STP20NM60FP STB20NM60-STP20NM60-STW20NM60 N沟道600V-0.25Ω-20a-TO-247-TO-220/FP-D2/I2PaK MDmesh™功率MOSFET Rev 12	下载
测试报告 - 英文	材料申报表STB23NM50N TLD2*M255B62 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB26N60M2 N通道600 V，0.14Ω典型值，20 A MDmesh™ D²PAK封装中的M2功率MOSFET Rev 1	下载
测试报告 - 英文	STB28N65M2材料申报表 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB20N90K5 N沟道900 V、0.21Ω（典型值）、20 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装 Rev 4	下载
数据手册 - 英文	STB20N90K5 N沟道900 V、0.21Ω（典型值）、20 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装 Rev 3	下载
测试报告 - 英文	材料申报表TLD2*VK86B52 Version A	下载
测试报告 - 英文	材料申报表T2D2*MD67B62 Version A	下载
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数据手册 - 英文	STB25NF06LAG汽车级N沟道60 V，53 mΩ典型值，20 ASTripFET™ D²PAK封装中的II功率MOSFET数据表 Rev 1	下载
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数据手册 - 英文	STP200NF03 STB200NF03-STB200NF03-1 N通道30V-0.0032Ω-120A-D2PAK/I2PAK/TO-220带状场效应晶体管™ 三功率MOSFET Rev 4	下载
测试报告 - 英文	STB26NM60N物料申报表 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB21NK50Z汽车级N通道500 V，0.23Ω，17 A，齐纳保护超级网™ D2PAK封装中的功率MOSFET Rev 2	下载
测试报告 - 英文	STB28NM50N物料申报表 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB270N4F3汽车级N沟道40 V，1.6 mΩ典型值，160 A带状场效应晶体管™ D2PAK封装中的F3功率MOSFET Rev 5	下载
测试报告 - 英文	材料申报表T2D2*2F6KB32 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB23N80K5-N沟道800 V、0.23Ω（典型值）、16 A MDMesh K5功率MOSFET，采用D²PAK封装 Rev 2	下载
数据手册 - 英文	STB23N80K5 N沟道800 V、0.23Ω（典型值）、16 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装 Rev 1	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明R1D2*2F67B32 Version A	下载
数据手册 - 英文	STB22N60DM6 N沟道600 V、200 mΩ（典型值）、15 A、MDmesh DM6功率MOSFET，采用D²PAK封装 Rev 2	下载
数据手册 - 英文	STB22N60DM6 N沟道600 V、200 MΩ（典型值）、15 a、MDMesh™DM6功率MOSFET，采用D²PaK封装 Rev 1	下载
测试报告 - 英文	材料申报表STB28N60DM2 Version 2	下载
数据手册 - 英文	STB22N60M6 N沟道600 V、196 MΩ（典型值）、15 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用D2PaK封装 Rev 1	下载
数据手册 - 英文	STB20N60M2-EP N沟道600 V、0.230Ω（典型值）、13 A MDMESH™M2 EP功率MOSFET，采用D²PAK封装\n Rev 3	下载

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STM32L4系列MCU采用ARM Cortex-M4核心，具备FPU和ST ART Accelerator™，在80 MHz频率下实现100 MIPS性能，同时保持超低功耗。该系列具备创新的外设、1 MB闪存和320 Kbyte SRAM，以及安全性和安全性功能。STM32L4支持多种低功耗模式，提供灵活的电源控制和快速唤醒时间。此外，该系列还具备智能外设、集成安全性和安全性功能，以及广泛的生态系统支持。

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功能安全解决方案：让工厂更安全、更智能

该资料主要介绍了STMicroelectronics公司提供的功能安全解决方案，旨在为智能工厂提供更安全、更智能的运行环境。资料涵盖了满足严格SIL要求的解决方案，包括针对STM32微控制器的功能安全设计包、安全自动化用电压调节器、安全数字输入/输出以及集成隔离开关等产品。此外，ST还提供了一系列评估板和工具，以帮助制造商实现功能安全标准认证，并支持客户开发满足SIL2/SIL3认证的解决方案。

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STM32Cube：支持STM32开发的软件套件

STM32Cube生态系统是一个全面的软件解决方案，旨在支持STM32微控制器和微处理器的开发。它包括软件工具、嵌入式软件库和配置工具，旨在减少开发努力、时间和成本。该生态系统分为STM32Cube MCU/MPU包和STM32Cube扩展包，提供从低级驱动到高级应用解决方案的软件砖块。此外，还包括STM32CubeMX配置工具、STM32CubeIDE集成开发环境、STM32CubeProgrammer编程工具和STM32CubeMonitor监控工具，以支持多操作系统软件开发。

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交钥匙PLC芯片组：用于智能能源基础设施

STMicroelectronics推出的ST8500系统级芯片（SoC）和STLD1伴侣芯片，为智能能源基础设施提供全面的电力线通信（PLC）解决方案。该平台支持多标准和多频段，具备可编程性、超低功耗和强大的数据处理能力，适用于智能电表、智能电网、智能家庭能源、街道照明和智能城市解决方案等应用。ST8500 SoC集成了高性能DSP引擎、ARM Cortex-M4F核心、PLC模拟前端和多种外设，STLD1伴侣芯片提供线路驱动功能，确保优异的通信性能和EMC合规性。

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1200 V SiC二极管

ST公司推出新型1200V碳化硅二极管，电流范围2至40A，适用于表面贴装和通孔封装。这些二极管具有低正向电压（VF），提高系统效率。产品特点包括最佳性能可重复性、低VF变化、高可靠性、多种封装选项，适用于太阳能转换器、电动汽车充电站、电池充电器等应用。

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STM8A-SAFEASIL：用于STM8A 8位汽车MCU的功能安全封装

STM8A-SafeASIL功能安全包是STMicroelectronics为STM8A 8位汽车微控制器提供的一套灵活的设计支持包，旨在简化基于STM8AF和STM8AL微控制器的安全关键系统的认证过程。该包支持ISO 26262功能安全标准，包括ASIL A/B等级，旨在帮助设计者使用成本敏感的STM8A微控制器构建符合汽车安全完整性等级ASIL B的系统。包内包含详细的文档、技术规格和自我测试库，以支持功能安全要求。

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