Materials Declaration Form R1D2*VJLLB62
发布时间：
2018-02-24
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ST（意法半导体）
型号：
STB20N95K5
本资料为STMicroelectronics提供的IPC 1752材料声明表，版本2，详细阐述了产品STB20N95K5的制造信息。该声明表不仅列出了详细的材料成分，还包含了环保合规性声明，涵盖了与RoHS和REACH指令相关的查询及响应内容。此外，资料中还明确提供了材料的不确定性声明及法律责任声明，旨在为用户提供全面、透明的产品合规性数据，满足行业对电子物料环境属性的严格要求。针对文中所述器件，STMicroelectronics在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
采用D²PaK封装的STB20N95K5、STF20N95K5、STP20N95 K5和STW20N95 K5N沟道950 V、0.275Ω（典型值）、17.5 a MDmesh™K5功率MOSFET，TO-220FP、TO-220和TO-247
Rev 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表R1D2*VJLLB32
Version A
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| 技术文档 - 英文 |
STP200NF04 STB200NF04-STB200NF04-1 N沟道40V-120 A-3.3 mΩTO-220/D²PAK/I²PAK STripFET™II MOSFET
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
STB20NM60-1-STP20NM60FP STB20NM60-STP20NM60-STW20NM60 N沟道600V-0.25Ω-20a-TO-247-TO-220/FP-D2/I2PaK MDmesh™功率MOSFET
Rev 12
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明X4D2*4D4CA52
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB20N90K5 N沟道900 V、0.21Ω（典型值）、20 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 4
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| 数据手册 - 英文 |
STB20N90K5 N沟道900 V、0.21Ω（典型值）、20 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2D2*MQ66B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB26N60M2 N通道600 V，0.14Ω典型值，20 A MDmesh™ D²PAK封装中的M2功率MOSFET
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLD2*VK86B52
Version A
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| 测试报告 - 英文 |
STB28N65M2材料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB25NF06LAG汽车级N沟道60 V，53 mΩ典型值，20 ASTripFET™ D²PAK封装中的II功率MOSFET数据表
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STB23NM50N TLD2*M255B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB25NF06AG汽车级N沟道60 V，0.056Ω典型值，19 A带状场效应晶体管™ D²PAK封装中的II功率MOSFET
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
STB22N60DM6物料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STP200NF03 STB200NF03-STB200NF03-1 N通道30V-0.0032Ω-120A-D2PAK/I2PAK/TO-220带状场效应晶体管™ 三功率MOSFET
Rev 4
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2D2*MD67B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB21NK50Z汽车级N通道500 V，0.23Ω，17 A，齐纳保护超级网™ D2PAK封装中的功率MOSFET
Rev 2
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| 测试报告 - 英文 |
STB20N65M5材料申报表
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB270N4F3汽车级N沟道40 V，1.6 mΩ典型值，160 A带状场效应晶体管™ D2PAK封装中的F3功率MOSFET
Rev 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2D2*M266B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB22N60DM6 N沟道600 V、200 mΩ（典型值）、15 A、MDmesh DM6功率MOSFET，采用D²PAK封装
Rev 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB22N60DM6 N沟道600 V、200 MΩ（典型值）、15 a、MDMesh™DM6功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T2D2*2MFKB32
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB22N60M6 N沟道600 V、196 MΩ（典型值）、15 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用D2PaK封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLD2*MQ6HB62
Version A
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| 测试报告 - 英文 |
STB26NM60N物料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB23N80K5-N沟道800 V、0.23Ω（典型值）、16 A MDMesh K5功率MOSFET，采用D²PAK封装
Rev 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB23N80K5 N沟道800 V、0.23Ω（典型值）、16 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
STB28NM50N物料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB24N60M6 N沟道600 V、162 MΩ（典型值）、17 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STB28N60DM2
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB20NM60D N通道600V-0.26Ω-20A-D20™ 功率MOSFET
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明R1D2*2F67B32
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB20N60M2-EP N沟道600 V、0.230Ω（典型值）、13 A MDMESH™M2 EP功率MOSFET，采用D²PAK封装\n
Rev 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2D2*2F6KB32
Version A
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STB24N60DM2
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB24NM60N N通道600 V，0.168Ω典型值，17 A MDmesh™ D²PAK封装中的II功率MOSFET
Rev 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB24NF10 STP24NF10 N沟道100V-0.0055Ω-26A-TO-220-D²PAK低栅电荷剥离场效应晶体管™ II功率MOSFET
09-Aug-2006
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| 数据手册 - 英文 |
采用D²PaK、DPaK、TO-220FP、TO-220和IPaK封装的620 V、3Ω、2.2 a N沟道STB2N62K3、STD2N62K3、STU2N62 K3和STU2N62 K3 SuperMESH3™功率MOSFET
Rev 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB20NM50-STB20NM50-1 STP20NM50-STP20NM50FP N沟道500V-0.20Ω-20a-TO220/FP-D2PaK-I2PaK MDmesh™功率MOSFET
Rev 13
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| 数据手册 - 英文 |
STB27NM60ND，STW27NM60ND汽车级N通道600 V，0.13Ω，21 A™ D2PAK和TO-247封装中的II功率MOSFET（带快速二极管）
Rev 4
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| 数据手册 - 英文 |
STB20NF06L-STF20NF06L STP20NF06L N-通道60V-0.06Ω-20A-D2PAK/TO-220/TO-220FP带状场效应晶体管™ 二、电源
Rev 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB26NM60N，STP26NM60N N-信道600 V，0.135Ω典型值，20 A MDmesh™ D²PAK和TO-220封装中的II功率mosfet
Rev 7
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| 数据手册 - 英文 |
STB28N60DM2、STP28N60DM2、STW28N60DM N沟道600 V、0.13Ω（典型值）、21 a MDmesh™DM2功率MOSFET，采用D²PaK、TO-220和TO-247封装
Rev 5
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| 数据手册 - 英文 |
STB28N60M2、STI28N60M2、STW28N60M2STP28N60，N沟道600 V、0.135Ω（典型值）、22 a MDmesh™M2功率MOSFET，采用D²PaK、I²PaK、TO-220和TO-247封装
Rev 4
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| 数据手册 - 英文 |
STB23NM50N、STF23NM50N、STP23NM50、STW23NM N N沟道500 V、0.162Ω、17 a TO-220、TO-220FP、TO-247、D²PaK MDmesh™II功率MOSFET
Rev 4
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世强AI
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应用/方案
MDMESH™DM6快速恢复体二极管SJ MOSFET
MDmesh™ DM6系列600V-650V快速恢复体二极管超结MOSFET，适用于全桥和半桥拓扑结构。该系列具有极低的RDS(on)和优化的电容特性，适用于轻载条件，提供高效率性能和增加功率密度。主要应用包括电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等。
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600 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost ef ciency and robustness 产品介绍
STMicroelectronics推出的600 V MDmesh™ DM6fast-recovery SJ MOSFETs，采用新型寿命终结工艺，优化电容特性和低栅极电荷（Qg）、极低恢复电荷（Qrr）、低恢复时间（trr）以及每单位面积RDS(on)的显著提升，适用于全桥和半桥拓扑结构，提高效率与系统可靠性。该系列MOSFETs具有极低RDS(on)、高dv/dt、优化体二极管恢复阶段和软度，适用于电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等领域。
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