SiSA18ADN N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
发布时间：
2018-02-26
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
SiSA18ADN
资料平台
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N沟道30V（D-S）MOSFET SiSA18ADN Vishay Siliconix
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低压UPS-ENYCAPTM-能源版-新
2019/04/11
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SiSA18ADN N沟道30v（D-S）MOSFET
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SiSA18ADN N沟道30v（D-S）MOSFET
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N沟道30V（D-S）MOSFET SiSA18ADN
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SiSA18ADN N沟道30V（D-S）MOSFET数据表
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Si4800BDY N沟道MOSFET规格书
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SQUN700E汽车级40 v N和P沟道共漏MOSFET对和200 v N沟道MOSFET
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SQUN700E汽车级40 v N和P沟道共漏MOSFET对和200 v N沟道MOSFET
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SQUN700E汽车级40 v N和P沟道共漏MOSFET对和200 v N沟道MOSFET
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SiRA16DP N沟道MOSFET
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双N沟道30v（D-S）MOSFET Si1900DL
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SQUN702E 40 V N和P沟道共漏MOSFET对和200 V N沟道MOSFET
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SQUN702E 40 V N和P沟道共漏MOSFET对和200 V N沟道MOSFET
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SQUN702E 40 V N和P沟道共漏MOSFET对和200 V N沟道MOSFET
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N沟道8V（D-S）MOSFET Si8466EDB
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Si7844DP Vishay Siliconix双N沟道30 V（D-S）MOSFET
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N沟道75-V（D-S）MOSFET Si7812DN
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N沟道25-V（D-S）MOSFET SiS430DN
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N沟道20V（D-S）MOSFET SiR866DP
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N沟道25-V（D-S）MOSFET SiR892DP
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N沟道190v（D-S）MOSFET SiB452DK
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N沟道20V（D-S）MOSFET SiA430DJ
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N沟道100v（D-S）MOSFET SiR606DP
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N沟道30v（D-S）MOSFET SiA462DJ
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N沟道30v（D-S）MOSFET SiB408DK
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N沟道30V（D-S）MOSFET SiA929DJ
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N沟道20V（D-S）MOSFET Si2374DS
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双N沟道30v（D-S）MOSFET尺寸730dt
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汽车N沟道20v（D-S）175°C MOSFET
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N沟道100 V（D-S）MOSFET Si7454DDP
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N沟道20V（D-S）MOSFET SiA448DJ
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N沟道100 V（D-S）MOSFET SiS698DN
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N沟道25-V（D-S）MOSFET SiR850DP
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双N沟道30v（D-S）MOSFET Si7998DP
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双N沟道30v（D-S）MOSFET Si7998DP
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世强AI
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应用/方案
在VGS=4.5V时，新的突破性技术将导通电阻降低到0.00135Ω
Vishay Intertechnology, Inc. 推出新一代 TrenchFET® Gen IV 功率MOSFET技术，该技术显著降低导通电阻至0.00135Ω（VGS=4.5V），优化关键规格，包括极低的Qgd和Qgd/Qgs比率，提高对CdV/dt门极耦合的免疫性。Thermally enhanced PowerPAK®封装提升系统功率密度，适用于个人电脑、服务器、DC/DC模块、电信设备、游戏机等多种应用。
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消费者（游戏）
Vishay Intertechnology, Inc. 提供一系列针对游戏机及其配件的关键元器件，包括功率效率高的电阻、低功耗的电容、高电流电感、MOSFET、肖特基整流器、红外接收模块等。这些元器件适用于便携式游戏机、控制器、方向盘等，旨在提供高效、小型化、低功耗的解决方案。
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计算机（便携式计算机）
Vishay Intertechnology, Inc. 提供一系列针对便携式电脑的关键元器件，包括MOSFET、电感器、电阻器、二极管和光电器件等。产品特点包括高效能、优化性能、小型化设计、高功率等级、ESD保护和成本效益。这些元器件适用于平板电脑、超薄本、笔记本电脑等多种便携式电脑产品。
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中低压N沟道MOSFETs聚焦产品
Vishay Intertechnology公司推出一系列低中压N通道MOSFET，包括40V至100V的PowerPAK® SC-70和SC-75封装，以及80V至250V的ThunderFET®和TrenchFET® GEN IV MOSFET。这些产品采用最新技术，提供超过50%的更低导通电阻，适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器、同步整流和ORing等应用，旨在提高效率并降低功耗。
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低压UPS-ENYCAPTM-能源版-新
本文档详细介绍了ENYCAPTM低电压不间断电源（UPS）的能量版本。内容包括了UPS中使用的各种元器件，如升压转换器、降压转换器、输入阶段、存储元件等。重点介绍了混合能量电容器作为储能元件的优势，如无需平衡电路、长寿命、高充电/放电循环次数以及高能量密度。文档还提供了相关元器件的详细信息，包括产品名称、状态、描述、特性、封装和Q级。
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低压UPS-ENYCAPTM-能源版-新
本资料介绍了ENYCAPTM低电压UPS的能量版本，包括其应用概述、关键元器件及其特性。资料详细描述了Boost和Buck转换器的设计，涉及功率MOSFET、TVS保护二极管、整流器、电容器、电阻器、电感器和EMI滤波器等。此外，还介绍了输入阶段的EMI滤波器、过压保护和反极性保护，以及储能元件的混合能量电容器，具有高电压、高能量密度和长寿命等特点。
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平板显示器-新
本资料介绍了VISHAY公司为平板显示器行业提供的元器件解决方案。包括低剖面电感器、小型缓冲电容器、超级电容器、SMD LED、触摸感应按钮、以太网和USB连接器、EMI滤波器、可编程电流限制和斜率控制、反向极性保护、SMPS降压转换器、瞬态保护、自动白平衡传感器、手势控制和环境光感应传感器、温度传感器、ESD保护和电平转换等。这些元器件满足工业应用需求，确保长期稳定运行。
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笔记本产品介绍
本资料详细介绍了VISHAY公司为笔记本电脑设计所使用的元器件，包括电源管理、充电器电源、CPU电源、系统硬件、负载开关、光传感器、保护和电容等。资料中涵盖了多种类型的元器件，如MOSFET、控制器IC、LDO、红外和红外接收模块、开关和信号开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、电容器、电阻器、NTC和PTC热敏电阻、电感器和EMI滤波器、次级保护保险丝等。资料还提供了每种元器件的具体产品名称、状态、描述、特性、封装和Q-Level等信息。
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48V/12V DC/DC变换器
本资料详细介绍了48V/12V DC/DC转换器的相关元器件及其应用。内容包括12V输出和48V输入的EMI滤波器、反向极性保护、安全开关、瞬态保护等。此外，还涵盖了双向同步降压升压转换器中的缓冲电容器、高侧电流传感器、高侧开关、低侧电流传感器、低侧开关、储能电感等。资料中列出了多种VISHAY公司生产的元器件，包括MOSFET、二极管、电容器、电感器、瞬态保护器件、ESD保护器件、反向极性保护器件和精密电阻等。
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开关模式电源
本文档详细介绍了开关模式电源（SMPS）的设计和应用，涵盖了适配器、桌面电源和服务器电源。主要内容包括：EMI滤波、输入整流、功率因数校正（PFC）、PWM、输出滤波和钳位电路等关键组件。文档重点介绍了VISHAY公司提供的各种元器件，如MOSFET、控制器IC、光耦合器、肖特基二极管、超快恢复二极管、TVS、桥式整流器、稳压二极管、开关二极管、X/Y电容器、铝电解电容器、高压电阻、NTC和PTC热敏电阻、电感/EMI滤波器和二次保护保险丝等。此外，文档还讨论了不同应用场景下的元器件选择和设计要点。
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R25、VR37、VR68高欧姆/高压金属釉电阻器产品概述
Vishay公司推出的VR25、VR37、VR68系列高阻值/高压金属膜电阻，具有多种规格和功率等级，适用于高电压、高稳定性、高可靠性要求的场合。该系列电阻具有高阻值（最高达68MΩ）、高脉冲负荷能力（最大10kV）、多种终止方式（径向卷带、Z形弯曲）等特点，符合多项安全标准，适用于太阳能逆变器、电源、风力发电、交通信号灯模块、家用电器等多种应用领域。
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