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N沟道30V(D-S)MOSFET SiSA18ADN Vishay Siliconix
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低压UPS-ENYCAPTM-能源版-新
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SiSA18ADN N沟道30v(D-S)MOSFET
21-Jan-13 - 数据手册
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N沟道30V(D-S)MOSFET SiSA18ADN
21-Jan-13 - 数据手册
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计算机(便携式计算机)
2017/11/05 - 快速参考指南 Vishay Intertechnology, Inc. 提供一系列针对便携式电脑的关键元器件,包括MOSFET、电感器、电阻器、二极管和光电器件等。产品特点包括高效能、优化性能、小型化设计、高功率等级、ESD保护和成本效益。这些元器件适用于平板电脑、超薄本、笔记本电脑等多种便携式电脑产品。
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中低压N沟道MOSFETs聚焦产品
2017/11/03 - 快速参考指南 Vishay Intertechnology公司推出一系列低中压N通道MOSFET,包括40V至100V的PowerPAK® SC-70和SC-75封装,以及80V至250V的ThunderFET®和TrenchFET® GEN IV MOSFET。这些产品采用最新技术,提供超过50%的更低导通电阻,适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器、同步整流和ORing等应用,旨在提高效率并降低功耗。
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VISHAY - AUTOMOTIVE P-CHANNEL COMMON DRAIN MOSFET PAIR,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,汽车用P沟道共漏MOSFET对,AUTOMOTIVE N-CHANNEL COMMON DRAIN MOSFET PAIR,汽车N沟道共漏MOSFET对,SQUN700E,汽车,AUTOMOTIVE
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勒森图贴片圆柱金属膜电阻的产品选型表
选型表 - 勒森图 勒森图提供如下贴片圆柱金属膜电阻的产品选型,覆盖产品均适配≤200V 电压量程,核心选型维度包含型号,品类,电压量程,最大功率,源精度,电阻温度系数,(T.C.R.)及测量精度七大项,产品按额定功率分为 0.25W和0.4W两大系列,可匹配不同精度与功率场景的选型需求
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产品型号
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品类
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电压量程
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最大功率
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源精度
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T.C.R. PPM/℃
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测量精度
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SMM02040D2672BB300-LST
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贴片圆柱金属膜电阻
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≤200V
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0.25W
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0.1%
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25PPM
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0.001
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鑫飞宏MOS管选型表
选型表 - 鑫飞宏 鑫飞宏提供MOSFET功率器件选型,涵盖N沟道、P沟道、N+P双沟道及半桥驱动等细分品类,电压覆盖±12V至500V,电流范围0.7A-330A,Rds(on)低至0.8mΩ。产品支持2.5V/4.5V/10V多栅极驱动电压,部分型号集成ESD保护。封装形式多样,包括SOT-23/523、DFN2x2/3x3、PDFN3.3x3.3/5x6、TO-252/263、TOLL及WLCSP等,适用于消费电子、电机驱动、电源管理及工业控制领域。
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产品型号
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品类
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VDS
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ID
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Vgs (±V)
|
Vth(V)
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ESD
Diode
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RDS(on) mΩ 10V(Typ)
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RDS(on) mΩ 10V(Max)
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RDS(on) mΩ 4.5V(Typ)
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RDS(on) mΩ 4.5V(Max)
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RDS(on) mΩ 2.5V(Typ)
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RDS(on) mΩ 2.5V(Max)
|
Ciss Typ(pF)
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Qg Typ(nC)
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Type
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Package
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FHC1208
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MOS管
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12(Vss)
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8(Is)
|
8
|
0.4~1.4
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Yes
|
/
|
/
|
4.7(Rss)
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5.5(Rss)
|
6.8(Rss)
|
9.0(Rss)
|
2760
|
24.7
|
N+N
|
WLCSP6-2.14x1.67x0.1
|
电子商城
现货市场
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