Material Composition Declaration 5V ELECTRONIC FUSE
发布时间：
2018-03-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NIS5135MN2TXGL701
本资料为关于5V电子保险丝的物质成分声明文件，详细阐述了该产品在RoHS指令下的合规性情况。文件核心内容涵盖了产品中各物质成分的名称、CAS号、具体含量及计量单位，并提供了供应商的联系方式与相关认证信息，以确保供应链的透明度与可追溯性。此外，声明中还列出了该电子保险丝的型号规格、重量及关键工艺参数等基本信息，为用户进行产品合规性审查及选型评估提供了详实的数据支撑。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NIS5135:5.0V电子保险丝
12/9/2017
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| 测试报告 - 英文 |
NIS5135MN2TXG材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NIS5135MN2TXG材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NIS5135系列+5伏电子保险丝
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
NIS5135系列+5伏电子保险丝
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
NIS5135系列+5伏电子保险丝
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
NIS5135系列+5伏电子保险丝
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
NIS5135系列+5伏电子保险丝
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
NIS5135：5.0 V电子保险丝，eFuse
2/25/2020
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NIS5135MN2TXG
2018-01-02
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| 数据手册 - 英文 |
NIS5135 5.0 V电子保险丝，eFuse产品概述
3/28/2019
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| 测试报告 - 英文 |
电子熔断器材料组成声明
2017-11-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NIS5135MN2TXG-L701
2018-01-02
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| 数据手册 - 英文 |
NIS5135系列+5 V电子保险丝数据表
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
NIS5135系列+5 V电子保险丝数据表
Rev.10
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| 测试报告 - 英文 |
NIS5135MN2TXG-L701材料成分声明
2020-01-24
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| 测试报告 - 英文 |
NIS5135MN2TXG-L701材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NIS5135MN2TXG-L701材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NL17SZ07单通道同相缓冲器，提供开漏输出数据手册
Rev. 20
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| 电路原理图 - 英文 |
NCV78825 LED驱动器
REV. A
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| 数据手册 - 英文 |
适用于RF和模拟电路的NCV8163 250 mA、超低噪声、高PSRR LDO稳压器数据手册
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
ISL9V3040X3ST-F085C EcoSpark®点火IGBT 300 MJ，400 V，N−通道点火IGBT
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS86500L MOSFET，N沟道，PowerTrench®
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
MC7800、MC7800A、MC7800AE、NCV7800电压调节器–正极
Rev. 29
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| 数据手册 - 英文 |
LP2950、LP2951、NCV2951稳压器-低功耗、低压差
Rev. 34
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| 数据手册 - 英文 |
CAT24C512 EEPROM串行512 Kb i²C
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
FL7921R集成临界模式PFC和准谐振电流模式PWM照明控制器
Rev. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
带ESD保护的CSPEMI202FCTAG 2通道耳机麦克风EMI滤波器+
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
带AR0239的Pinnacle Imaging Systems Denali ISP
2020/04/04
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| 数据手册 - 英文 |
NV24C32MUW EEPROM串行32-Kb i²C汽车级1，采用可湿性侧面UDFN-8封装
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCV890104降压开关稳压器-汽车级、可编程扩频、可调RSTB 1.2 A、2 MHz
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
MBR120LSFT1G材料成分声明
2020-4-12
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| 数据手册 - 英文 |
用于DrMOS的NCP81232双通道/多相位控制器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
XGS 2000：CMOS图像传感器，2.3MP，全局快门产品概述
5/20/2021
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| 数据手册 - 英文 |
NBA3N012C：3.3 V汽车级LVDS线路接收器
5/21/2021
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| 数据手册 - 英文 |
MC10EL89 5V ECL同轴电缆驱动器
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
AR1337：CMOS成像传感器，13 MP，采用SuperPD™PDAF技术数据表
5/22/2021
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4H05N产品概述
1/24/2020
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| 测试报告 - 英文 |
MBR440MFST1G材料成分声明
2019-09-16
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| 测试报告 - 英文 |
1SMA5930BT3G材料成分声明
2019-09-16
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| 数据手册 - 英文 |
FSL136HR绿色模式电源开关
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
MT9V024IA7XTC-DP-E材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-08-14
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| 测试报告 - 英文 |
NGTG40N120FL2WG材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
AR1335HS2C11SMAA0-DRBR材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
74FST3257MNTWG材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
7WB3126MUTCG材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
CM1216-06MR材料成分声明
2019-09-10
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世强AI
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应用/方案
产品概述NIS5135:5.0 V电子保险丝
NIS5135是一款5.0V电子保险丝，具有成本效益，可重置，能够显著提高硬盘或其他电路的可靠性，防止灾难性和关闭故障。它设计用于缓冲负载设备免受过高输入电压的损害，并包括一个过压钳位电路，在瞬态期间限制输出电压，但不关闭单元，从而允许负载电路继续运行。该产品提供两种热选项：锁定和自动重试。主要特点包括集成功率器件、内部电荷泵、过压钳位电路、人体模型（HBM）和机器模型（MM）的ESD等级，以及无铅和无卤素选项。适用于主板、硬盘和风扇驱动器等应用。
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