Schematic for the NCP348G Evaluation Board
发布时间：
2018-03-02
类型：
电路原理图，原理图、参考电路
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NCP348G
本原理图详细介绍了NCP348G评估板的电路设计方案，涵盖了输入输出配置、电容规格、引脚定义及电路连接等核心内容。资料具体阐述了C1、C2、R1、R2等关键元件的选型与布局，并明确了EN、IN、OUT等功能引脚的电气连接关系，为工程师进行硬件开发与调试提供了准确的技术参考。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足的库存以满足不同阶段的采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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NCP348：带内部低Ron NMOS FET的正过压保护电路产品概述
7/11/2019
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NCP3488DR2G ANA 12V MOSFET驱动器材料成分声明
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NCP348：带内部低Ron NMOS FET和状态标志的正过电压保护电路
5/23/2021
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2019-03-30
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NCP348带内部低Ron NMOS FET和状态标志的正过压保护电路产品概述
3/28/2019
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材料成分声明过电压保护
2017-11-28
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NCP348，NCP348AE正过电压保护控制器，带内部低RON NMOS FET和状态标志
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NCP3488DR2G材料成分声明
2019-07-14
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NCP348：带内部低导通电阻NMOS FET和状态标志的正过压保护电路产品概述
5/20/2021
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12V MOSFET驱动器的材料组成
2017-11-28
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NCP348、NCP348AE正过压保护控制器，内置低导通电阻NMOS FET和状态标志
Rev. 6
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NCP348、NCP348AE正过压保护控制器，内置低导通电阻NMOS FET和状态标志
Rev. 6
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NCP348MTTBG材料成分声明
2019-07-14
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NCP348AEMTTBG OVP主管材料成分声明
2019-03-30
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NCP348、NCP348AE正过压保护控制器
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材料成分声明OVP主管
2017-11-28
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用于同步Buck变换器的双输出NCP3488 MOSFET驱动器
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2019-07-14
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NCP3488双自举12v MOSFET驱动产品概述
5/12/2019
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产品概述NCP3488：双自举12伏MOSFET驱动器
12/25/2017
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NCP3488：双通道自举12 V MOSFET驱动器
2/1/2020
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NL17SZ07单通道同相缓冲器，提供开漏输出数据手册
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NCV78825 LED驱动器
REV. A
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适用于RF和模拟电路的NCV8163 250 mA、超低噪声、高PSRR LDO稳压器数据手册
Rev. 3
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ISL9V3040X3ST-F085C EcoSpark®点火IGBT 300 MJ，400 V，N−通道点火IGBT
Rev. 2
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FDMS86500L MOSFET，N沟道，PowerTrench®
Rev. 2
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MC7800、MC7800A、MC7800AE、NCV7800电压调节器–正极
Rev. 29
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LP2950、LP2951、NCV2951稳压器-低功耗、低压差
Rev. 34
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CAT24C512 EEPROM串行512 Kb i²C
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FL7921R集成临界模式PFC和准谐振电流模式PWM照明控制器
Rev. 1.1
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带ESD保护的CSPEMI202FCTAG 2通道耳机麦克风EMI滤波器+
Rev. 0
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带AR0239的Pinnacle Imaging Systems Denali ISP
2020/04/04
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NV24C32MUW EEPROM串行32-Kb i²C汽车级1，采用可湿性侧面UDFN-8封装
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NCV890104降压开关稳压器-汽车级、可编程扩频、可调RSTB 1.2 A、2 MHz
Rev. 4
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MBR120LSFT1G材料成分声明
2020-4-12
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用于DrMOS的NCP81232双通道/多相位控制器
Rev. 3
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XGS 2000：CMOS图像传感器，2.3MP，全局快门产品概述
5/20/2021
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NBA3N012C：3.3 V汽车级LVDS线路接收器
5/21/2021
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MC10EL89 5V ECL同轴电缆驱动器
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AR1337：CMOS成像传感器，13 MP，采用SuperPD™PDAF技术数据表
5/22/2021
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NTTFS4H05N产品概述
1/24/2020
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2019-09-16
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1SMA5930BT3G材料成分声明
2019-09-16
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FSL136HR绿色模式电源开关
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MT9V024IA7XTC-DP-E材料成分声明
2019-09-10
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NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-09-10
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NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-08-14
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世强AI
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应用/方案
NCP348：带内部低Ron NMOS FET和状态标志的正过电压保护电路
NCP348是一款集成的正压保护电路，具备内部低阻NMOS FET和状态指示功能。该产品能够在检测到错误的输入操作条件时，从输出引脚断开系统连接，提供高达+28V的正压保护。NCP348使用内部NMOS，无需外部元件，降低系统成本和PCB面积。它能够即时断开输出与输入的连接，具有过压锁定和欠压锁定功能，内部具有50ms启动延迟。此外，它提供负跳变状态指示输出，并符合IEC61000-4-2标准，具备ESD保护。
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NCP348G评估板测试程序
本资料为NCP348G评估板的测试程序。内容包括测试设备的准备（如电源、电阻、万用表等），测试步骤的详细说明，包括设置电路、调整输入电压、测量输出电压、电流消耗等，以及如何检查和计算关键参数（如Rdson）。测试程序分为两部分，第一部分为正常工作状态下的测试，第二部分为EN状态下的测试。最后，还包括了关闭测试板的步骤。
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带内部NCFET和低NMOR过压保护标志的产品概述
NCP348是一款内置低阻NMOS FET和状态标志的正压保护电路。它能检测到错误的输入操作条件时断开系统输出，保护系统免受+28V的正压损害。该器件无需外部元件，降低系统成本和PCB面积。NCP348能够在输入电压超过过压阈值（6.4V）或欠压阈值（3.25V）时瞬间断开输出。它提供负跳变标志输出，当发生故障时通知系统。此外，该器件具有ESD保护输入，并符合IEC61000-4-2标准。
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