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NCP348：带内部低Ron NMOS FET和状态标志的正过电压保护电路
5/23/2021 - 数据手册
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材料成分声明过电压保护
2017-11-28 - 测试报告 本资料为某制造商对其产品中物质组成的声明，包括材料成分、RoHS指令合规性声明、物质含量等信息。声明中详细列出了产品中各成分的名称、CAS号、含量等，并确认产品符合RoHS指令要求。
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NCP348G评估板材料清单
3/22/2007 - 物料清单 这份资料为NCP348G评估板的物料清单，包括元器件的标识符、数量、值、公差、封装、制造商等信息。物料清单中列出了NCP348、Murata、Panasonic等制造商的元器件，如电阻、电容、连接器等。同时，还提供了制造商零件编号、替代品和RoHS合规性信息。
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NCP348：带内部低Ron NMOS FET的正过压保护电路产品概述
7/11/2019 - 数据手册 NCP348是一款集成的正压过电压保护电路，具有内部低RDS(on)NMOS FET和状态标志。该器件能够在检测到错误的输入操作条件时断开系统输出，提供高达+28V的正压保护。NCP348使用内部NMOS，无需外部元件，降低系统成本和PCB面积。它能够瞬间断开输出与输入的连接，并在输入电压超过过压阈值或欠压阈值时提供警报。
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NCP3488DR2G材料成分声明
2019-07-14 - 测试报告 本资料为Onsemi公司关于其产品（ANA 12V MOSFET DRIVER）的化学物质声明，包括材料成分、RoHS合规性声明、焊接工艺参数等。声明中详细列出了产品中使用的各种材料及其含量，并确认产品符合RoHS指令的要求。
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NCP348G评估板测试程序
3/22/2007 - 用户指南 本资料为NCP348G评估板的测试程序。内容包括测试设备的准备（如电源、电阻、万用表等），测试步骤的详细说明，包括设置电路、调整输入电压、测量输出电压、电流消耗等，以及如何检查和计算关键参数（如Rdson）。测试程序分为两部分，第一部分为正常工作状态下的测试，第二部分为EN状态下的测试。最后，还包括了关闭测试板的步骤。
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NCP348带内部低Ron NMOS FET和状态标志的正过压保护电路产品概述
3/28/2019 - 数据手册 NCP348是一款内置低阻NMOS FET和状态标志的正压保护电路，能够检测到错误的输入操作条件时从输出引脚断开系统连接。该产品提供高达+28V的正压保护，内部NMOS无需外部元件，降低系统成本和PCB面积。NCP348能够在输入电压超过过压阈值或欠压阈值时瞬间断开输出，具有内部充电泵、过压锁定、欠压锁定、内部50ms启动延迟、警报FLAG(BAR)输出、关闭EN(BAR)输入等功能。
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NCP3488DR2G ANA 12V MOSFET驱动器材料成分声明
2019-03-30 - 测试报告 本资料为元器件制造商对产品中物质成分的声明，包括RoHS指令规定的限制物质含量。声明中详细列出了产品中各成分的名称、CAS号、含量及单位，并提供了供应商的认证信息。此外，还包含了产品制造过程中的关键参数，如最高温度、回流次数等。
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带内部NCFET和低NMOR过压保护标志的产品概述
10/28/2017 - 应用笔记或设计指南 NCP348是一款内置低阻NMOS FET和状态标志的正压保护电路。它能检测到错误的输入操作条件时断开系统输出，保护系统免受+28V的正压损害。该器件无需外部元件，降低系统成本和PCB面积。NCP348能够在输入电压超过过压阈值（6.4V）或欠压阈值（3.25V）时瞬间断开输出。它提供负跳变标志输出，当发生故障时通知系统。此外，该器件具有ESD保护输入，并符合IEC61000-4-2标准。
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NCP348，NCP348AE正过电压保护控制器，带内部低RON NMOS FET和状态标志
May, 2010 - 数据手册 NCP348和NCP348AE是ON Semiconductor公司生产的正压过压保护控制器，具备内部低RDS(on)NMOS FET和状态指示功能。该控制器能够在检测到错误的输入操作条件时从输出引脚断开系统，提供高达+28V的正压保护。内部NMOS的使用无需外部元件，降低了系统成本和PCB面积。产品特性包括过压保护、内部低RDS(on)NMOS晶体管、内部电荷泵、过压锁定、欠压锁定、内部50ms启动延迟、警报输出、关闭输入、符合IEC61000-4-2标准、ESD保护等。
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NCP348MTTBG过电压保护材料成分声明
2019-03-30 - 测试报告 本资料为某制造商对其产品中物质组成的声明，包括RoHS指令下的限制物质含量。声明中详细列出了产品中各种材料的名称、CAS号、重量以及是否含有RoHS限制物质。此外，还提供了产品的制造信息，如制造地点、重量、温度等。
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NCP348：带内部低导通电阻NMOS FET和状态标志的正过压保护电路产品概述
5/20/2021 - 数据手册
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采用 FAN7930 临界导通模式 (BCM) 功率因数校正 (PFC) 的设计思路
7/21/11 - 应用及方案 本文介绍了基于飞兆半导体控制器FAN7930的临界导通模式（BCM）功率因数校正器（PFC）的设计思路。内容包括电感与零电流检测（ZCD）电路设计、器件选型和闭环控制。文章通过200W实验样机验证了设计步骤的正确性，并详细阐述了BCM PFC变换器的工作原理、无过冲启动和交流断电检测等关键设计要点。
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NCP51810：用于氮化镓功率开关的高性能、150 V半桥栅极驱动器
12/2/2020 - 商品及供应商介绍 NCP51810是一款高性能的150V半桥栅极驱动器，专为驱动GaN功率开关设计。该驱动器具有快速传播延迟、宽共模电压范围、独立的欠压锁定和热关断保护功能。适用于高频操作，支持48V输入设计，适用于谐振转换器、数据中心48V到低压中间总线转换器等多种应用。
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Aug.2019 - 应用及方案
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