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Thermal RC network (Foster)
发布时间: 2018-03-06
类型: 技术文档,技术说明、产品技术资料
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
BUK752R3-40E
本技术资料详细介绍了名为BUK752R3-40E的元器件的热阻(Rth)和热电容(Cth)SPICE模型参数。该模型采用Foster(福斯特)热RC网络结构,精确描述了从结点到安装基的热特性,涵盖了多个关键的热阻与热电容值及其对应的电阻参数。资料中不仅列出了模型的符号定义,还详细规定了参数的测试条件、最小值、典型值、最大值及单位,为热仿真与电路设计提供了准确的数据支撑。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
数据手册 - 英文
N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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测试报告 - 英文
化学成分BUK752R3-40E
Version 5
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测试报告 - 英文
化学成分BUK752R3-40E
2018/09/05
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测试报告 - 英文
化学成分BUK752R3-40E
2018/04/24
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测试报告 - 英文
化学成分BUK752R3-40E
2018/03/06
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技术文档 - 英文
热网(福斯特)BUK752R3-40C
Version 1
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数据手册 - 英文
BUK752R3-40C N沟道沟槽型MOS标准电平FET 修订版03 — 2009年1月26日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
中国RoHS BUK752R3-40E
2019/01/06
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测试报告 - 英文
中国RoHS BUK752R3-40E
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS BUK752R3-40E
2018/04/24
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测试报告 - 中文
中国RoHS BUK752R3-40E
2018/03/06
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技术文档 - 英文
领先的汽车功率MOSFET
September 2010
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数据手册 - 英文
BUK752R3-40C N沟道TrenchMOS标准电平FET
Rev. 03
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数据手册 - 英文
PESD5V0X1BT超低电容双向ESD保护二极管产品数据手册
v.3
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数据手册 - 英文
PESD27VV1BSF极低电容高压双向ESD保护二极管产品数据手册
v.1
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数据手册 - 英文
采用CCPAK1212封装的GaN039-650NBB 650 V、33 mOhm氮化镓(氮化镓)FET初步数据手册
5 December 2023
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数据手册 - 英文
PESD24VF1BL-Q超低电容双向ESD保护二极管
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BC846x系列65 V、100 mA NPN通用晶体管
Rev. 11
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PESD1V0Y1BBSF超低箝位双向ESD保护二极管
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PRTR5V0U2AX-Q超低电容双轨至轨ESD保护二极管
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1PS79SB70-Q通用肖特基二极管产品数据手册
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74CBTLV1G125单总线开关产品数据表
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74LVC2G14双倒相施密特触发器,带5V容限输入产品数据表
Rev. 13
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数据手册 - 英文
74LVC2G07带开漏输出的缓冲器产品数据手册
Rev. 12
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74LVC2G04双逆变器产品数据表
Rev. 12
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74HC1GU04单无缓冲逆变器产品数据表
Rev. 7
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74AUP1T97低功耗可配置栅极(带电压电平转换器)产品数据手册
Rev. 8
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74LVC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 5
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74HC1G04-Q100;74HCT1G04-Q100变频器产品数据表
Rev. 2
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74LVC2GU04双无缓冲逆变器产品数据表
Rev. 13
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数据手册 - 英文
74AUP1G57低功耗可配置多功能门产品数据手册
Rev. 10
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74HC1G04;74HCT1G04变频器产品数据表
Rev. 6
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74AUP1G240低功耗逆变缓冲器/线路驱动器;三态产品数据表
Rev. 7
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74LVC1G32-Q100单2输入或栅极产品数据表
Rev. 6
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74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 15
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数据手册 - 英文
74AHC1G86;74AHCT1G86 2输入异或门产品数据手册
Rev. 6
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数据手册 - 英文
74AHC1G08;74AHCT1G08 2-输入和门产品数据手册
Rev. 8
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数据手册 - 英文
HEF4082B双通道4输入与门
Rev. 7
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PESD5V5S1BSF超低钳位双向ESD保护二极管
v.1
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数据手册 - 英文
PDTC143ET-Q 50 V,100 mA NPN电阻晶体管;R1=4.7 kΩ,R2=4.7 kΩ
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数据手册 - 英文
PBSS5540Z-Q 40 V低VCEsat PNP晶体管
v.1
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HEF4013B-Q100双D型触发器
Rev. 4
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数据手册 - 英文
PMV37ENE 60 V N沟道Trench MOSFET
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数据手册 - 英文
74LVT245 3.3 V八通道收发器,带方向引脚;3-状态
Rev. 5
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数据手册 - 英文
74LVC3G17三路同相施密特触发器,具有5 V容差输入
Rev. 14
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数据手册 - 英文
74HC7541;74HCT7541八通道施密特触发器缓冲器/线路驱动器;3-状态
Rev. 8
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应用/方案
LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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功率氮化镓场效应晶体管质量和可靠性
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