Switching evaluation of fast GaN devices;Power GaN FETs
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代理服务
●概述
■低电感SMD封装(如CCPAK)中的现代氮化镓器件能够实现快速、干净的开关瞬态
■为了评估这些设备的性能,需要仔细设置:
▲优化测试平台
▲合适的测量设置
▲适当的准备和后处理
■所有开关调查都需要良好的技术,但:
氮化镓不那么宽容,因为器件可以比大多数硅和碳化硅晶体管更快、更有效地切换
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产品型号
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品类
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Package
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VDS
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ID
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Rds
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CM7N65PDX100
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Silicon Carbide Power MOSFET
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PDFN5x6
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650V
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7A
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540mΩ
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增強型氮化镓功率電晶體技術 應用簡介
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