Si4864DY N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si4864DY
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix Si4864DY N-Channel 20-V (D-S) MOSFET的SPICE器件模型，涵盖其典型电气特性、子电路模型及核心规格参数。该模型专为线性及开关应用设计，支持-55至125°C的宽温度范围，并精确描述了栅极电荷、瞬态响应及二极管反向恢复特性。资料指出，该模型采用宏模型（子电路模型）形式，利用新颖的栅极至漏极反馈电容网络来模拟栅极电荷特性，且所有模型参数值均经过优化，以在阈值电压附近的栅极偏置下实现饱和输出阻抗的最佳拟合。值得注意的是，该模型旨在提供电路仿真支持，不作为器件的精确物理解释。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该模型，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Si4864DY N沟道20-V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si4864DY N沟道20-V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si4864DY N沟道20-V（D-S）MOSFET
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Si4864DY Vishay Siliconix N沟道20-V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si4864DYèRC Vishay Siliconix R-C热模型参数
Revision 19-Mar-07
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Si48Dy N沟道150-V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si48Dy N沟道150-V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si48Dy N沟道150-V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si4835DDY P沟道30 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si4835DDY P沟道30 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si4835DDY P沟道30 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si4835DDY P沟道30v（D-S）MOSFET
Rev. B
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用户线路卡
2019/02/24
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用户线路卡
2017/11/03
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Si4874BDY N沟道30伏MOSFET
Rev. C
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Si4874BDY N沟道30伏MOSFET
Rev. C
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Si4874BDY N沟道30伏MOSFET
Rev. C
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Si4896DY N沟道80-V（D-S）MOSFET
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Si4896DY N沟道80-V（D-S）MOSFET
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Si4896DY N沟道80-V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si4804BDY\ RC Vishay Siliconix，R-C热模型参数
Revision 19-Mar-07
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Si4858DY Vishay Siliconix N沟道30-V（D-S）MOSFET
S09-0221-Rev. C
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Si4892DY Vishay Siliconix N沟道30-V（D-S）MOSFET
Rev. G
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Si4804BDY-Vishay-Siliconix双N沟道30v（D-S）MOSFET
S10-0461-Rev.
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Si4896DY Vishay Siliconix N沟道80-V（D-S）MOSFET
S09-0870-Rev. C
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Si4896DY Vishay Siliconix N沟道80-V（D-S）MOSFET
S09-0870-Rev. C
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2019/04/11
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笔记本
2017/11/02
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
直流-直流设计指南
本文介绍了Vishay Siliconix的DC-DC转换器设计指南，涵盖了开关特性、MOSFET驱动、非隔离拓扑（如Buck、Boost和Buck-Boost转换器）以及隔离拓扑（如Flyback和Forward转换器）。文章详细讨论了开关过程中的关键参数，如导通损耗、开关损耗和关断损耗，并提供了相应的损耗模型。此外，还介绍了同步整流技术及其在提高转换器效率方面的应用。
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Si4835DDY与Si4835BDY的规格比较
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET，Si4835DDY和Si4835BDY。两款产品在封装、引脚布局和绝对最大额定值方面相同。主要参数包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、功率耗散等，两款产品在典型值和最大值上略有差异。资料还提供了静态、动态和开关特性参数的详细比较。
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Si4816BDY与Si4816DY的规格比较
本资料对比了Vishay Siliconix的两种MOSFET产品Si4816BDY和Si4816DY的规格参数。包括绝对最大额定值、MOSFET规格、动态和开关特性、以及肖特基二极管规格。资料提供了两种产品的详细性能比较，但强调这些比较仅供参考，不构成产品保证。
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Si4840BDY与Si4840DY的规格比较
本资料对Vishay Siliconix的Si4840BDY和Si4840DY两款N-Channel 40V MOSFET进行规格比较。两款器件封装、引脚排列相同，主要参数包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、功率耗散等。Si4840BDY在静态参数如栅极阈值电压、导通电阻等方面略优于Si4840DY，动态参数如总栅极电荷、栅极电荷等则略低于Si4840DY。资料提醒，规格比较仅供参考，具体参数应以官方数据手册为准。
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Si4830CDY与Si4830ADY的规格比较
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款双通道N沟道30V（D-S）MOSFET，Si4830CDY和Si4830ADY。两款产品具有相同的SO-8封装和引脚配置，部分参数如漏源电压、栅极源极电压、连续漏极电流等在标准条件下相同。资料详细列出了两款产品的绝对最大额定值、MOSFET规格参数，包括静态和动态特性，以及栅极阈值电压、漏源导通电阻等关键参数。同时，资料提醒设计者应参考相应的数据手册以获取保证的性能规格。
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规格比较Si4866BDY与Si4866DY
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款N-Channel, 12-V (D-S) MOSFET，Si4866BDY和Si4866DY。两款产品具有相同的SO-8封装和引脚配置，部分参数如漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流等在绝对最大额定值上相同。在静态特性方面，两款产品在栅极阈值电压、栅极-体泄漏电流、零栅极电压漏极电流等参数上有所不同。动态特性方面，总栅极电荷、栅极-源极电荷、栅极-漏极电荷等参数也存在差异。资料提醒设计者应参考相应数据手册以获取保证的性能规格。
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Si4825DDY与Si4825DY的规格比较
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款P-Channel 30V (D-S) MOSFET，Si4825DDY与Si4825DY。资料详细列出了两款的绝对最大额定值、规格参数，包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、功率耗散等，并提供了部分参数的最小值、典型值和最大值。同时，资料说明了规格比较仅供参考，不构成产品数据表或性能保证，设计者应参考相应的数据表以获取保证的规格限制。
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用户线路卡
本资料详细介绍了VISHAY公司为用户线卡提供的元器件，包括电源IC和控制器IC、功率MOSFET、模拟开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、EMI滤波器、光电耦合器和固态继电器、可见LED、电容器、电阻器和电感器。资料涵盖了数据线、以太网、光接入、保护、xDSL、DSLAM、分布式电源、开关、负载点电源、路由器、DC/DC电源供应等应用，并提供了具体产品的名称、状态、描述、特性、封装和Q级信息。
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用户线路卡
本资料详细介绍了VISHAY公司为用户线卡提供的元器件，包括电源IC和控制器IC、功率MOSFET、模拟开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、EMI滤波器、光电耦合器和固态继电器、可见LED、电容器、电阻器和电感器。资料涵盖了数据线、以太网、光接入、保护、xDSL、DSLAM、分布式电源、开关、负载点电源、路由器、DC/DC电源供应等应用，并提供了具体产品的名称、状态、描述、特性、封装和Q级信息。
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用户线路卡
本资料详细介绍了VISHAY公司在元器件行业中的应用案例，涵盖了多种类型的电子元件及其在数据线卡上的应用。内容包括电源集成电路和控制集成电路、功率MOSFET、模拟开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、EMI滤波器、光电耦合器和固态继电器、可见LED、电容器、电阻和电感等。此外，还涉及了分布式电源、路由器直流/直流转换器、xDSL、以太网、光接入和PoE等方面的技术细节和应用实例。
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喷墨式打印机
本文介绍了VISHAY公司在喷墨打印机中使用的元器件，包括功率MOSFET、光电传感器、肖特基器件、超快整流器、齐纳二极管、开关二极管、高压电阻、电感/EMI滤波器、ESD二极管等。文章概述了喷墨打印机的应用概述，包括其工作原理、主要技术、优缺点以及成本效益。此外，文章还详细介绍了各种元器件的特性和应用，如传感器、控制板、墨水电机驱动、打印头、图像和滴液传感器、接口/外围设备、媒体和位置传感器、电源、EMI滤波、反馈回路、输入整流器、输出滤波器、输出整流器、PFC、PWM、Snubber等。
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喷墨式打印机
本文介绍了VISHAY公司在喷墨打印机中使用的元器件，包括功率MOSFET、光电传感器、肖特基器件、超快整流器、齐纳二极管、开关二极管、高压电阻、电感/EMI滤波器、ESD二极管等。文章概述了喷墨打印机的应用概述，包括其工作原理、主要技术、优缺点以及成本效益。此外，文章还详细介绍了各种元器件的特性和应用，如传感器、控制板、墨水电机驱动、打印头、图像和滴液传感器、接口/外围设备、媒体和位置传感器、电源、EMI滤波、反馈回路、输入整流器、输出滤波器、输出整流器、PFC、PWM、Snubber等。
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喷墨式打印机
本文介绍了VISHAY公司在喷墨打印机中使用的元器件，包括功率MOSFET、光电传感器、肖特基器件、超快整流器、齐纳二极管、开关二极管、高压电阻、电感/EMI滤波器、ESD二极管等。文章概述了喷墨打印机的应用概述，包括其工作原理、技术类型、墨水类型、打印质量和成本效益。此外，还详细介绍了喷墨打印机中使用的各种传感器、控制板、墨水电机驱动器、打印头、图像和滴液传感器、接口/外围设备、媒体和位置传感器、电源、EMI滤波器、反馈回路、输入整流器、输出滤波器、输出整流器、PFC、PWM、Snubber等元器件的特性和应用。
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喷墨式打印机
本资料详细介绍了VISHAY公司在喷墨打印机中的应用，涵盖了各种元器件，包括功率MOSFET、光电传感器、肖特基二极管、超快整流器、齐纳二极管、开关二极管、高压电阻、电感/EMI滤波器、ESD二极管等。资料中详细列出了不同类型传感器、控制板、打印头、接口/外围设备、媒体和位置传感器、电源、反馈回路、输入整流器、输出滤波器、输出整流器、PFC、PWM、Snubber等元器件的名称、描述、特点、封装和Q-Level等信息。
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液晶电视
本资料详细介绍了VISHAY元器件在液晶电视中的应用，涵盖了主电路板、背光逆变器、电源供应等关键部分。资料中列出了多种元器件，包括功率MOSFET、控制器功率IC、光耦合器、肖特基二极管、超快恢复二极管、TVS、桥式整流器、稳压二极管、开关二极管、X/Y电容器、铝电解电容器、高压电阻、NTC和PTC热敏电阻、电感/EMI滤波器、次级保护保险丝、红外接收器、环境传感器、LDO和模拟开关等。资料还针对背光逆变器、MOSFET驱动器、保护装置、主电路板、电源供应等部分进行了详细的产品介绍和特性描述。
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液晶电视
本资料介绍了VISHAY在液晶电视中的应用，包括主电路板、背光逆变器、电源供应等模块。主要内容包括：
- 主电路板涉及硬件设备和电源，采用开关模式提高转换效率。
- 背光逆变器包含照明点火器、保护装置和MOSFET驱动器，关注高压设计。
- 电源部分涉及开放式开关模式电源，重点关注PFC技术以提高效率。
- 详细列出了各种组件的产品名称、状态、描述、特性、封装和Q级。
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液晶电视
本资料详细介绍了VISHAY元器件在液晶电视中的应用，涵盖了主电路板、背光逆变器、电源供应等关键部分。资料中列出了多种元器件，包括功率MOSFET、控制器功率IC、光耦合器、肖特基二极管、超快恢复二极管、TVS、桥式整流器、稳压二极管、开关二极管、X/Y电容器、铝电解电容器、高压电阻、NTC和PTC热敏电阻、电感器/EMI滤波器、次级保护保险丝、红外接收器、环境传感器、LDO和模拟开关等。资料还针对背光逆变器、MOSFET驱动器、保护器件、主电路板、电源供应等部分进行了详细说明，包括产品名称、状态、描述、特性、封装和Q级等信息。
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手机电池充电的离散方法
本文探讨了为手机等便携式设备充电的电池充电电路设计。文章重点介绍了Vishay Siliconix的LITTLE FOOT *Plus*充电解决方案，该方案通过集成MOSFET和肖特基二极管，简化了充电电路设计，提高了效率。文章分析了充电过程中的功率损耗和热管理，讨论了不同封装的热阻和散热性能，并提供了充电电路设计的实际案例。
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P沟道30-V（D-S）MOSFET Si4825DDY Vishay Siliconix
Vishay Siliconix推出新型Si4825DDY P-Channel 30V (D-S) MOSFET，具备卤素免费、TrenchFET® Power MOSFET等特点，适用于笔记本适配器开关、负载开关等应用。产品规格包括VDS、RDS(on)、ID等参数，并提供典型特性曲线和应用信息。
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利用功率mosfet上表面温度估算结温
本文档为Vishay Siliconix的应用笔记AN834，主要探讨了通过测量功率MOSFET顶部表面温度来估算结温的方法。文章通过ThermaSim™软件模拟，分析了不同封装类型的MOSFET（如Si4800BDY、Si4686DY、Si7336ADP等）的结温与顶部表面温度之间的关系，并得出结温上升与顶部表面温度上升成正比的结论。文章还提供了不同封装类型MOSFET的热系数，以供设计工程师参考。
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POL功率
本资料介绍了POL Power在点负载转换器解决方案中使用的元器件，包括功率MOSFET、二极管、控制器IC、电容器、电阻、电感和分流电阻等。资料详细列出了各种元器件的产品名称、状态、描述、特性、封装和Q级等信息，涵盖了高侧开关、低侧开关、输入和输出电容等多个方面。
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笔记本
本资料详细介绍了VISHAY公司为笔记本电脑设计所使用的元器件，包括电源管理、充电器电源、系统硬件、负载开关、光传感器、保护器件等。资料中涵盖了多种类型的元器件，如MOSFET、控制器IC、LDO、红外和红外接收模块、开关和信号开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、电容器、电阻器、NTC和PTC热敏电阻、电感器和EMI滤波器、二次保护保险丝等。资料还提供了不同元器件的详细规格和特性，包括产品名称、状态、描述、特性、封装和Q级。
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