Si4864DY N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
●描述
■所附的SPICE模型描述了N通道垂直双金属氧化物半导体的典型电气特性。在脉冲0-V至5-V栅极驱动下，在-55°C至125°C的温度范围内提取并优化了子电路模型。饱和输出阻抗在阈值电压附近的栅极偏置处最适合。
■采用一种新型的栅-漏反馈电容网络来模拟栅极电荷特性，同时避免了开关Cgd模型的收敛困难。所有模型参数值都经过优化，以提供与测量的电气数据的最佳拟合，并且不是设备的精确物理解释。
●特点
■N通道垂直数字多通道振荡器
■宏模型（子电路模型）
■3级MOS
■适用于线性和开关应用
■在-55°C至125°C温度范围内准确
■对栅极电荷、瞬态和二极管反向恢复特性进行建模
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