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PSMN3R5-40YSD Thermal RC network (Cauer) SPICE thermal model
发布时间: 2020-01-21
类型: 商品功能框图,功能框图、系统框图
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PSMN3R5-40YSD; PSMN3R2-40YLD
本技术资料详细介绍了PSMN3R5-40YSD元器件的热阻网络(Cauer)SPICE热模型。该模型涵盖了从结点到安装基座的完整热阻参数,并精确列出了各个热阻值的最小值、典型值及最大值,为工程师进行热仿真与设计验证提供了关键数据支持。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
PSMN3R2-40YLD目标数据表
2 January 2019
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R5-40YSD
2019/01/07
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R5-40YSD
2018/10/26
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商品功能框图 - 英文
PSMN3R5-40YSD热RC网络(Foster)SPICE热模型
11 September 2019
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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数据手册 - 英文
PSMN3R5-40YSD N沟道40 V、3.5 MΩ、120 a标准电平MOSFET集成LFPaK56,采用NextPower-S3肖特基增强技术
11 September 2018
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测试报告 - 英文
PSMN3R2-40YLD中国RoHS
2019/09/04
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商品功能框图 - 英文
PSMN3R2-40YLD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
11 September 2019
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数据手册 - 英文
使用NextPower-S3 Schottky Plus技术的LFPAK56中PSMN3R2-40YLD N沟道40V,3.1 mΩ,120A逻辑电平MOSFET初步数据表
1 August 2019
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN3R5-40YSD
Version 1
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN3R5-40YSD
2018/10/26
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商品功能框图 - 英文
PSMN3R2-40YLD热RC网络(Foster)SPICE热模型
11 September 2019
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数据手册 - 英文
PSMN3R5-40YSD N沟道40 V,3.5 mΩ,120 A标准级MOSFET inLFPAK56采用NextPower-S3肖特基Plus技术产品数据表
2 October 2018
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商品功能框图 - 英文
PSMN2R8-40YSD热RC网络(Foster)SPICE热模型
12 September 2019
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数据手册 - 英文
采用NextPower技术的LFPAK中N沟道30v3.5mΩ逻辑电平MOSFET
Rev. 01
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测试报告 - 英文
PSMN3R2-40YLD化学成分
2019/09/02
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R7-40YLD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
12 September 2019
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
02/3/2016
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
2/3/2016
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
21/11/2017
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
21/3/2016
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
21/3/2016
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数据手册 - 英文
PSMN3R2-25YLC N沟道25V 3.4毫欧逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术,修订版01 —— 2011年5月2日产品数据手册
Rev. 01
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商品功能框图 - 英文
PSMN2R8-40YSD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
12 September 2019
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数据手册 - 英文
PSMN3R5-80YSF NextPower 80 V、3.5 mOhm、150 A、N沟道MOSFeT,采用LFPAK56e封装
3 September 2021
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数据手册 - 英文
PSMN3R5-80YSF NextPower 80 V、3.5 mOhm、150 A、N沟道MOSFeT,采用LFPAK56e封装
16 April 2021
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R2-30YLC
2019/01/07
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R2-30YLC
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN3R2-30YLC
2018/05/23
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测试报告 - 中文
中国RoHS PSMN3R2-30YLC
2018/03/06
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN3R2-30YLC
Version 8
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN3R2-30YLC
2018/09/05
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世强AI
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应用/方案
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸,提供高功率密度,可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性,空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准,具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET?
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PSMN3R5-80YSF SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN3R5-80YSF的元器件的热阻网络(Foster)SPICE模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数,以及相关条件下的最小、典型和最大值。资料中还包含了模型的符号、参数和单位。此外,资料注明了资料版权信息,并声明了信息准确性和版权保护。
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PSMN3R5-80YSF SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN3R5-80YSF的元器件的热阻网络(Cauer)SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻(Rth(j-mb))以及四个热电容参数(Cth1, Cth2, Cth3, Cth4)。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值,并提供了单位。资料还包含版权声明和免责条款。
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