BUK9508-55A The Power MOSFET 设计指南
发布时间：
2020-01-21
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK9508-55A; BUK9Y40-55B; PSMN7R0-30YL; PSMN011-30YL; BUK7L06-34ARC; BUK9Y38-100E; BUK9Y30-75B; BUK761R6-40E
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
战壕™ 逻辑电平场效应晶体管
22 March 2017
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN7R0-30YL
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN7R0-30YL
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN7R0-30YL
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN7R0-30YL
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN011-100YSF热RC网络（Foster）SPICE热模型
25/4/2019
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| 数据手册 - 英文 |
LFPAK中的N沟道30v7mΩ逻辑电平MOSFET
Rev. 04
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
11 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN011-30YL N型10.7毫欧姆30V沟槽MOS逻辑电平场效应晶体管，LFPAK封装，修订版2 — 2011年5月17日产品数据手册
Rev. 2
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
11 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
热RC网络（Foster）SPICE热模型BUK9Y40-55B
Version:1
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN011-30YL采用LFPAK封装的N沟道10.7 mΩ30 V TrenchMOS逻辑电平FET产品数据手册
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN7R0-30YL
Version 5
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN7R0-30YL
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN7R0-30YL
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN7R0-30YL
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
BUK7L06-34ARC
Rev. 05
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| 技术文档 - 英文 |
热RC网络（Foster）SPICE热模型BUK9Y30-75B
Version:1
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 03
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 04
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
11/4/2013
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
02/3/2016
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
2/3/2016
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
21/11/2017
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
21/3/2016
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
5 September 2013
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK761R6-40E
Version 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK761R6-40E
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK761R6-40E
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK761R6-40E
2018/03/06
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| 技术文档 - 英文 |
热RC网络（Foster）SPICE热模型BUK9Y38-100E
25/1/2013
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| 数据手册 - 英文 |
LFPAK56中的N沟道100v，38mΩ逻辑电平MOSFET
9 May 2013
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK761R6-40E
2019/01/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK761R6-40E
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK761R6-40E
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BUK761R6-40E
2018/03/06
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| 技术文档 - 英文 |
用于电源管理的十种新型高性能mosfet
February 2009
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| 数据手册 - 英文 |
采用NextPower技术的LFPAK中N沟道30v7.1mΩ逻辑电平MOSFET
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK9Y30-75B
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK9Y30-75B
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK9Y30-75B
2018/04/24
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
TN00008功率MOSFET常见问题及解答
本技术文档针对汽车级MOSFET平台、器件、功能及可靠性等方面，解答了常见问题。内容涵盖MOSFET栅极电压、热管理、体二极管、安全工作区（SOA）和雪崩 ruggedness 等方面，旨在为读者提供清晰、准确的答案。文档适用于汽车和非汽车应用，但主要针对汽车应用。
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MOSTFET和氮化镓FET应用手册：电源设计工程师指南
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LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET？
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AN11160设计RC缓冲器
本文档详细介绍了RC阻尼电路的设计，用于抑制功率半导体应用中反向恢复效应引起的高频振荡。文章首先介绍了RC阻尼电路的基本原理和测试电路，然后讨论了如何确定电路中的寄生电感和电容。接着，文章详细阐述了RC阻尼电路的设计理论，包括阻尼系数、截止频率等参数的计算方法。最后，通过实际案例展示了如何设计一个有效的RC阻尼电路，并验证了其效果。
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AN11160设计RC缓冲器应用笔记
本文介绍了RC阻尼电路的设计，用于抑制功率半导体应用中反向恢复效应引起的高频振荡。文章详细阐述了RC阻尼电路的原理、测试电路的设计、等效电路的分析、阻尼元件CLK和LLK的确定方法，以及阻尼电路的设计过程。通过实际案例，展示了如何通过RC阻尼电路消除MOSFET的振荡现象，并提供了计算阻尼元件和阻尼电路参数的具体方法。
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采用功率MOSFET设计时的浪涌电流管理具有增强SOA的ASFET
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LFPAK88 半导体
安世半导体推出的LFPAK88 MOSFET采用创新8x8mm管脚尺寸，实现更高的功率密度，有效替代D²PAK。该产品具备2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率达60%。产品符合汽车AEC-Q101和工业等级标准，适用于多种应用场景。
- 采用8x8mm管脚尺寸，提升功率密度。
- 连续电流额定值超过2倍于D²PAK。
- 具备卓越的热性能和可靠性。
- 符合汽车AEC-Q101和工业等级标准。
- 应用于汽车、系统、DC/DC转换器和LED照明等领域。
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