P-Channel 20 V (D-S) MOSFET Si8461DB
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si8461DB
本技术资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si8461DB P-Channel 20 V (D-S) MOSFET的SPICE模型。该模型作为宏模型（子电路模型），属于第三级MOS，能够精准模拟器件在-55°C至+125°C宽温范围内的典型电气特性。模型针对0V至10V的脉冲栅极驱动进行了优化，并包含栅极电荷特性，所有参数值均经过调整以提供与测量数据的最佳拟合，从而确保在线性应用和开关应用中的仿真精度。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该模型，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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P沟道20V（D-S）MOSFET Vishay Siliconix Si8461DB
Rev. C
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| 商品功能框图 - 英文 |
磁带信息MICRO FOOT®2 x 3:0.8 mm间距，0.275 mm凸起高度（Si8407DB-T2，Si8902EDB-T2）
11-Oct-10
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| 评估板使用说明 - 英文 |
MOSFET的设备定向选项
05-Apr-05
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si8461DB
Rev. C
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si8461DB
Rev. C
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便携式媒体播放器
2019/04/11
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便携式媒体播放器
2017/11/02
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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表
Rev. C
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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表
Rev. B
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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表
Rev.A
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Si8461DB Vishay Siliconix P沟道20V（D-S）MOSFET
Rev. C
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手机
2019/04/11
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手机
2017/11/03
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功率MOSFET MICRO-FOOT®极小型芯片级MOSFET
2017/11/05
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R-C热模型参数Si8461DB\u RC
Revision: 02-Jun-09
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Si8497DB P沟道30 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si8497DB P沟道30 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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P沟道12V（D-S）MOSFET Si8483DB
Rev. C
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P沟道12V（D-S）MOSFET Si8483DB
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P沟道12V（D-S）MOSFET Si8483DB
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Si8457DB P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si8457DB P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si8457DB P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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P沟道12V（D-S）MOSFET数据表
Rev. C
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Si8466EDB Vishay Siliconix N沟道8 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si8466EDB Vishay Siliconix N沟道8 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si8429DB P沟道1.2 V（G-S）MOSFET
Rev. E
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Si8429DB P沟道1.2 V（G-S）MOSFET
Rev.E
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Si8429DB P沟道1.2 V（G-S）MOSFET
Rev. E
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P沟道30V（D-S）MOSFET Si8497DB
Rev. B
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P沟道30V（D-S）MOSFET Si8497DB
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P沟道30V（D-S）MOSFET Si8497DB
Rev. B
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功率MOSFET 1.2V额定值MOSFET行业首个设计用于1.2V导通电阻额定值的负载开关
2017/11/05
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N沟道8V（D-S）MOSFET Si8466EDB
Rev. B
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N沟道8V（D-S）MOSFET Si8466EDB
Rev. B
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N沟道8V（D-S）MOSFET Si8466EDB
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N沟道8V（D-S）MOSFET Si8466EDB
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N沟道20V（D-S）MOSFET Si8472DB
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N沟道20V（D-S）MOSFET Si8472DB
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N沟道20V（D-S）MOSFET Si8472DB
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
MICRO-FOOT®封装的PCB设计和表面贴装组装指南
本文详细介绍了Vishay Siliconix的MICRO FOOT®封装技术及其在PCB设计和表面贴装装配中的应用指南。文章重点阐述了MICRO FOOT产品的结构、可靠性、PCB布局、表面贴装装配过程以及返工流程。文章强调了MICRO FOOT产品在便携式设备中的应用优势，如减小板空间需求、提高热性能和降低寄生效应。此外，还提供了关于MICRO FOOT产品的可靠性测试数据、PCB布局指南、表面贴装装配流程图、焊膏印刷和芯片拾取放置的详细说明。
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消费者（可穿戴设备）
Vishay Intertechnology, Inc. 提供一系列针对可穿戴设备的元器件，包括智能手表、眼镜、健身手环和便携式设备。产品涵盖电阻、二极管、电容器、MOSFET、电感器、光电器件等，强调小型化、低功耗、高效率和精确度等特点。资料中详细列出了不同类型产品的型号、规格和特点，并提供数据表链接。
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手机
Vishay为手机应用提供广泛的元器件，包括射频控制、音频控制、视觉显示和电源管理。产品涵盖二极管、MOSFET、红外收发器、功率IC、模拟开关、电阻、电感、电容等，支持SIM卡使用、USB连接、IrDA和蓝牙数据交换等功能。
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手机
Vishay为手机应用提供广泛的元器件，包括射频控制、音频控制、视觉显示和电源管理。产品涵盖二极管、MOSFET、红外收发器、功率IC、模拟开关、电阻、电感、电容等，支持SIM卡使用、USB连接、IrDA和蓝牙数据交换等功能。
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手机
Vishay为手机应用提供广泛的元器件，包括射频控制、音频控制、视觉显示和电源管理。产品涵盖二极管、MOSFET、红外收发器、功率IC、模拟开关、电阻、电感、电容等，支持SIM卡使用、USB连接、IrDA和蓝牙数据交换等功能。
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无电池物联网传感器-新
本资料详细介绍了构建无需电池的物联网传感器的组件和模块。内容包括电池替代部件（如缓冲电容器、储能电容器）、充电控制组件（如双向隔离开关、反向漏电保护二极管）、能量收集元件（如PIN光电二极管）、传感器/逻辑组件（如环境传感器、湿度传感器、光传感器、存在/接近传感器、温度传感器）、发射/接收组件（如去耦电容、射频匹配元件）、电压控制组件（如降压转换器、降压开关、缓冲电容器、EMI滤波器、储能电感器、瞬态保护二极管）等。
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无电池物联网传感器-新
本资料详细介绍了构建无需电池的物联网传感器的组件和模块。内容包括电池替代部件（如缓冲电容器、储能电容器）、充电控制组件（如双向隔离开关、反向漏电保护二极管）、能量收集元件（如PIN光电二极管）、传感器/逻辑组件（如环境传感器、湿度传感器、光传感器、存在/接近传感器、温度传感器）、发射/接收组件（如去耦电容、射频匹配元件）、电压控制组件（如降压转换器、降压开关、缓冲电容器、EMI滤波器、储能电感器、瞬态保护二极管）等。
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便携式媒体播放器
本资料详细介绍了VISHAY公司为便携式媒体播放器（PMP）提供的元器件。内容涵盖音频、电池管理、通信、外围设备、电源管理、传感器、用户界面等多个方面。资料中列出了多种类型的元器件，包括功率管理IC、LDO、MOSFET、模拟开关、二极管、LED、ESD保护器件、电容器、电感器、电阻器、热敏电阻器和环境光传感器等。每种元器件都提供了产品名称、状态、描述、特性、封装和Q-Level等信息。
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便携式媒体播放器
本资料详细介绍了VISHAY元器件在便携式媒体播放器（PMP）中的应用。涵盖了音频、电池管理、通信、外围设备、电源管理、传感器、用户界面等多个方面。资料中列出了多种VISHAY元器件，包括功率管理IC、LDO、MOSFET、模拟开关、二极管、LED、ESD保护器件、电容器、电感器、电阻器、热敏电阻和光敏电阻等，并提供了产品名称、状态、描述、特性、封装和Q-Level等信息。
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消费者（家庭娱乐）
Vishay Intertechnology, Inc. 提供一系列针对家庭娱乐领域的元器件，包括机顶盒、液晶电视、媒体流设备、音频放大器和电子阅读器。产品涵盖铝电解电容器、MOSFET、电感器、二极管、电阻器、光电器件和集成电路等，强调功率效率、小型化、低重量和低剖面高度等特性，满足家庭娱乐设备的需求。
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