P-Channel 20 V (D-S) MOSFET Si8461DB
●说明：
■所附的SPICE模型描述了p通道垂直DMO的典型电气特性。在脉冲0 V至10 V栅极驱动下，在-55°C至+125°C温度范围内提取并优化了子电路模型。饱和输出阻抗在阈值电压附近的栅偏压处最适合。
■在避免开关C-gd模型收敛困难的同时，采用了一种新型的栅漏反馈电容网络来模拟栅电荷特性。所有模型参数值均经过优化，以提供与测量的电气数据的最佳拟合，并不打算作为设备的精确物理解释。
●特点
■P通道垂直DMO
■宏模型（子电路模型）
■3级MOS
■适用于线性和开关应用
■在-55°C至+125°C温度范围内精确
■模拟浇口电荷
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