N-Channel 20 V (D-S) MOSFET Si1062X
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si1062X
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix推出的新型Si1062X N-Channel 20V MOSFET。该器件采用TrenchFET®技术，专为便携式设备负载/电源切换、驱动器、电池供电系统及电源转换电路等应用场景设计。其核心特性包括极低的静态导通电阻（VGS=4.5V时为0.420Ω）、最大漏极电流达0.5A以及典型值为1nC的低栅极电荷，同时具备1000V的门极-源极ESD保护能力，能够提供高效的功率转换与快速的开关性能。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Si1062X Vishay Siliconix N沟道20V（D-S）MOSFET
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Si1062X Vishay Siliconix N沟道20V（D-S）MOSFET
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