本文内容由平台用户转载自Vishay品牌，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于用户通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
N沟道60-V（D-S）MOSFET Si7478DP
16-Feb-09 - 数据手册
VISHAY - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SI7478DP,SI7478DP-T1-E3,SI7478DP-T1-GE3
查看更多版本
光模块项目，推荐一款N沟道MOSFET，用于替换VISHAY的SI7478DP-T1-GE3。
2023-04-04 - 技术问答 推荐扬杰科技的YJG95G06A，VDSS=30V，ID=60A，DFN3333，相关资料链接：https://www.sekorm.com/product/410493.html
Si7478DP N沟道60 V（D-S）MOSFET
16-Feb-09 - 数据手册
VISHAY - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET,N沟道60-V（D-S）MOSFET,SI7478DP,SI7478DP-T1-E3,SI7478DP-T1-GE3
查看更多版本
SI60-78V硅集成晶体管
16-Feb-09 - 数据手册 这份资料详细介绍了Vishay Siliconix的Si7478DP N-Channel 60-V (D-S) MOSFET产品。资料中包含了产品的概述、特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格、典型特性、封装信息和应用注意事项。
VISHAY - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET,N沟道60-V（D-S）MOSFET,SI7478DP,POWERPAK SO-8,SI7478DP-T1-E3,SI7478DP-T1-GE3
查看更多版本
R-C热模型参数Si7478DP\U RC
12-Jan-06 - 数据手册 本资料提供了Vishay Siliconix Si7478DP_R-C热模型的参数值，包括Foster/Tank和Cauer/Filter配置的电路线性模型参数。这些参数通过曲线拟合技术得出，适用于P-SPICE模拟，并提供了详细的解释和应用指南。
VISHAY - SI7478DP_RC
N沟道20-V（D-S）175°C MOSFET SUM60N02-3m9P
04-Feb-08 - 数据手册 本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的SUM60N02-3m9P型号N-Channel 20-V (D-S) 175 °C MOSFET。该产品是一款TrenchFET® Power MOSFET，具有175°C的结温，适用于多种应用场景。
VISHAY - TRENCHFET®功率MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,TRENCHFET® POWER MOSFET,N沟道贴片MOS管,SUM60N02-3M9P
查看更多版本
汽车TrenchFET®SQ系列功率MOSFET
2018/02/05 - 技术文档 该资料介绍了VISHAY公司生产的SQ系列汽车级TrenchFET®功率MOSFET。产品包括N型和P型MOSFET，适用于12V至300V的N型MOSFET和-12V至-200V的P型MOSFET。这些MOSFET适用于汽车电池、照明、娱乐、制动、电动动力总成等应用。产品具有低导通和低开关损耗，AEC Q-101认证，适用于高达+175°C的温度。提供多种封装，包括TO-247、D-Pak、TO-220、TO-263、SC-70、SOT-23、TSOP-6和SO-8等。
VISHAY - POWER MOSFETS,功率金氧半电晶体,POWERPAK® 1212,MOSFET,PAT,POWERPAK® SO-8L,POWERPAK®,SYL,KGD,POWERPAK® SC-70,SBL,AEC Q-101,SQ,动力传动系统,CAR BATTERIES,汽车,AUTOMOTIVE,照明,信息娱乐,LIGHTING,汽车电池,ELECTRIC VEHICLES,BRAKING,制动,POWER TRAIN,INFOTAINMENT,电动车辆
功率MOSFET低压TrenchFET®
2018/02/04 - 技术文档 该资料介绍了VISHAY公司生产的低电压TrenchFET®功率MOSFET器件，具有业界最低的RDS(on)值，适用于提高开关电源效率。产品特点包括：低于0.58 mΩ的RDS(on)、25V至30V的击穿电压、优异的RDS - Qg功率损耗比。资料还展示了典型效率提升，并提供了针对无人机、消费电子、计算机、服务器和电信等应用的适用性信息。
VISHAY - SIA468DJ,SISS02DN
N沟道12-V（D-S）MOSFET SiR492DP
22-Sep-08 - 数据手册 本文介绍了Vishay Siliconix公司推出的一款新型N-Channel 12-V (D-S) MOSFET，型号为SiR492DP。该产品采用TrenchFET® Power MOSFET技术，具有低热阻、小尺寸和低1.07 mm轮廓的PowerPAK® Power MOSFET封装，适用于二次同步整流、点负载和负载开关等应用。
VISHAY - TRENCHFET®功率MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,TRENCHFET® POWER MOSFET,N沟道贴片MOS管,SIR492DP,LOAD SWITCH,负载开关
查看更多版本
功率MOSFET中压TRENCHFET®
2018/02/04 - 技术文档 该资料主要介绍了新一代中压 trenchfet 功率 MOSFET 的特性。内容包括：提高功率密度、减少组件数量、紧凑高效的设计、优化布局、降低 RDS-Qoss，以及与竞争对手相比的效率提升。此外，还展示了该产品在电信、电源、电机驱动和可再生能源等领域的应用。
VISHAY
N沟道12-V（D-S）MOSFET SiS452DN
25-Jan-10 - 数据手册 本文介绍了Vishay Siliconix公司推出的SiS452DN N-Channel 12-V (D-S) MOSFET产品。该产品采用TrenchFET® Power MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能。文章详细介绍了产品的特性、应用领域、封装信息以及热性能等方面的内容。
VISHAY - TRENCHFET®功率MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,TRENCHFET® POWER MOSFET,N沟道贴片MOS管,SIS452DN,POL,波尔
查看更多版本
Power MOSFE Ts TrenchFET®和E系列
2018/02/05 - 技术文档 该资料介绍了多种类型的功率MOSFET，包括TrenchFET®和E系列。这些MOSFET具有广泛的 breakdown 电压（从-200V到800V），适用于商业、汽车和医疗产品。资料还展示了不同封装类型，如PowerPAK、MICRO FOOT®、SC-75/SC-89、SOT-23、TSOP-6等，并提供了相应的应用场景和电路设计建议。
VISHAY - E SERIES
100 V TrenchFET Gen V 功率MOSFET，采用PowerPAK 10 x 12封装
2025 - 商品及供应商介绍
VISHAY - POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIJK5100E,AUTOMATION,电信,POWER SUPPLIES,E-BIKES,电机驱动控制,电动自行车,MOTOR DRIVE CONTROL,DATA CENTER,SYNCHRONOUS RECTIFICATION,自动化,BATTERY MANAGEMENT,POWER TOOLS,数据中心,OR-ING和热插拔开关,TELECOM,动力工具,同步整流,OR-ING AND HOT SWAP SWITCHING,电源,电池管理
真茂佳中低压MOSFET选型表
选型表 - 真茂佳 真茂佳（ZMJSEMI）提供车规级与工业级中低压MOSFET选型，电压覆盖20V-500V，N沟道和P沟道，Rds(on)范围0.4mΩ-3600mΩ。产品涵盖SpeedFET（高频低FOM，开关速度快）、RobustFET（高雪崩耐量，鲁棒性强）、BPFET（高EAS能力，极致雪崩容差）及SJMOS（超结技术，高电压低导通电阻）四大技术系列，提供纯MOSFET及N+P、N+N组合型。关键参数包括VDS耐压、ID电流、Rds(on)导通电阻、Vth阈值电压、EAS雪崩能量、Ciss/Coss/Crss电容、Rg栅极电阻、Qg/Qgs/Qgd栅极电荷等。适用于BMS、电动工具、工业电源、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关及汽车电子等场景。
|
产品型号
|
品类
|
Type
|
Product Status
|
Qualification
|
Technology
|
VDS
|
VGS min/max
|
ID Tc=25℃
|
PD Tc=25℃
|
EAS L=0.1mH
|
Vth min/typ/max
|
Rds(on Vgs=10V
typ/max
|
Ciss
|
Coss
|
Crss
|
Rg
|
Qg
|
Qgs
|
Qgd
|
|
ZMSA012N03HNC
|
中低压MOSFET
|
N
|
Sample
|
Automotive
|
SpeedFET
|
30V
|
±20V
|
223A
|
150W
|
220mJ
|
2.0/2.7/4.0V
|
1.3/1.6mΩ
|
2164pF
|
941pF
|
80pF
|
1.6Ω
|
29.2nC
|
8.9nC
|
5.4nC
|
欧创芯（OCX）中低压MOS选型表
选型表 - 欧创芯 欧创芯提供中低压MOSFET选型。耐压60~100V，连续漏极电流2~50A，采用Trench沟槽工艺，阈值电压1.5~1.8V，栅源耐压±20V，提供SOT-23、SOT-23-3L、TO-252-3L封装。导通电阻低至12mΩ@VGS=10V，输入电容321~2030pF。适用于电源管理、电机驱动及LED驱动等功率开关场景。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
工艺
|
沟道
|
Vos_Max(V)
|
DMax(A)
|
Ves(t)Typ(V)
|
Ves_Max(V)
|
C iss_Typ(pF)
|
Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
|
Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
|
|
OCT2N10TS
|
中低压MOS
|
SOT-23
|
Trench
|
N
|
100
|
2.0
|
1.5
|
±20
|
321
|
220
|
250
|
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论