R-C Thermal Model Parameters Si7478DP_RC

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

■说明：
●利用曲线拟合技术推导了R-C热模型中的参数值。“为功率MOSFET生成热模型的简单方法”中描述了这些技术。当在P-Spice中实现时，这些值具有与MOSFET的单脉冲瞬态热阻抗曲线匹配的特性曲线。

●包括Foster/Tank和Cauer/Filter配置中电路的R-C值

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