N-Channel 150 V (D-S) MOSFET Si3440ADV
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si3440ADV
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si3440ADV N-Channel 150 V (D-S) MOSFET的SPICE模型。该模型精准描述了器件在-55°C至+125°C温度范围内的电特性，涵盖阈值电压、导通电阻、跨导及正向电压等关键指标，适用于线性及开关应用场景。资料列出了详细的参数与测量数据，显示该MOSFET具有3V的阈值电压、0.315Ω的低导通电阻以及1.7S的高跨导，同时提供了输入电容、输出电容及反向转移电容等详细参数，总栅极电荷为1.8nC。这些精确的电气参数为电路仿真与设计提供了可靠依据。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该模型，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Si3440ADV N沟道150 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si3440ADV N沟道150 V（D-S）MOSFET
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N沟道150 V（D-S）MOSFET Si3440ADV
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N沟道150 V（D-S）MOSFET Si3440ADV
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Si3440ADV Vishay Siliconix N沟道150 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si3440ADV Vishay Siliconix N沟道150 V（D-S）MOSFET
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Si3440ADV Vishay Siliconix N沟道150 V（D-S）MOSFET
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R-C热模型参数Si3440ADV\U RC
Revision: 05-May-17
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Si3438DV N沟道40 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si3438DV N沟道40 V（D-S）MOSFET
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Si3438DV Vishay Siliconix N沟道40-V（D-S）MOSFET
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Si3438DV Vishay Siliconix N沟道40-V（D-S）MOSFET
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N沟道40-V（D-S）MOSFET Si3438DV
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N沟道40-V（D-S）MOSFET Si3438DV
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N沟道40-V（D-S）MOSFET Si3438DV
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N沟道40-V（D-S）MOSFET Si3438DV
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P沟道第三代MOSFET聚焦产品
2017/11/03
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Si3456DDV N沟道30 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si3456DDV N沟道30 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si3456DDV N沟道30 V（D-S）MOSFET
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Si3473CDV与Si3473DV
Revision: 20-Jul-09
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笔记本
2019/04/11
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笔记本
2017/11/02
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Si3495DV P沟道20-V（D-S），1.5-V（G-S）MOSFET
Rev. C
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Si3495DV P沟道20-V（D-S），1.5-V（G-S）MOSFET
Rev. C
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Si3495DV P沟道20-V（D-S），1.5-V（G-S）MOSFET
Rev. C
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手机
2017/11/03
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Si3495DV，Vishay Siliconix，P沟道20-V（D-S），1.5-V（G-S）MOSFET
S09-2110-Rev. C
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P沟道150V（D-S）MOSFET Si3437DV
Rev. B
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P沟道150V（D-S）MOSFET Si3437DV
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Si3410DV Vishay Siliconix N沟道30-V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si3410DV Vishay Siliconix N沟道30-V（D-S）MOSFET
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Si3443CDV Vishay Siliconix P沟道20V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si3443CDV Vishay Siliconix P沟道20V（D-S）MOSFET
S12-0335-Rev. C
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Si3433CDV Vishay Siliconix P沟道20-V（D-S）MOSFET
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技术论坛
我正在使用Silicon Labs Si3402，现正在关注元件价格和可用性。我们发现一种替代性光电耦合器（Toshiba TLP291 GB 分类），它比Silicon Labs的 EVB 上的 NEC (CEL) PS2911-1-L 便宜得多，所以想确认一下，更换该元件是否可能对反馈回路稳定性产生重大影响？
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有可以完全替换VISHAY的Si3464DV-T1-GE3这个芯片吗？
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应用/方案
规格比较Si3493BDV与Si3493DV
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款P-Channel 20V (D-S) MOSFET，Si3493BDV和Si3493DV。两款产品具有相同的TSOP-6封装和引脚配置。主要比较了绝对最大额定值、静态和动态规格、开关特性等参数。资料中提供了详细的技术参数，包括漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流、功率耗散、栅极阈值电压、导通电阻、总栅极电荷等。同时，资料也提醒设计者应参考各自的数据表以获取保证的性能规格。
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Si3460DDV与Si3460BDV的规格比较
本资料对比了Vishay Siliconix的两种N-Channel 20V (D-S) MOSFET：Si3460DDV和Si3460BDV。两者封装、引脚排列相同，但Si3460DDV在连续漏极电流、功率耗散等参数上略优于Si3460BDV。资料提供了绝对最大额定值和详细规格参数，包括静态和动态特性，但强调这些比较仅供参考，不构成性能保证。
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Si3483CDV与Si3483DV的规格比较
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款P-Channel 30V (D-S) MOSFET，Si3483CDV与Si3483DV。两款产品具有相同的TSOP-6封装和引脚配置，部分参数如漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流等在绝对最大额定值上相同。在静态和动态参数方面，两款产品存在细微差异，如栅极阈值电压、导通电阻、总栅极电荷等。资料提醒设计者应参考各自的数据表以获取保证的性能规格。
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Si3457CDV与Si3457BDV的规格比较
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款P-Channel，30V（D-S）MOSFET，分别为Si3457CDV和Si3457BDV。两者封装、引脚排列相同，部分参数如漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流等绝对最大额定值相同。在静态特性方面，两款产品在栅极阈值电压、栅极-体泄漏电流、零栅极电压漏极电流、导通状态漏极电流、漏源导通电阻等方面存在细微差异。动态特性方面，两款产品在总栅极电荷、栅极-源极电荷、栅极-漏极电荷、栅极电阻等方面也有所不同。资料提醒设计者应参考相应数据手册以获取保证的性能规格限制。
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规格比较Si3458BDV与Si3458DV
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款N-Channel, 60-V (D-S) MOSFET，Si3458BDV和Si3458DV。两款产品具有相同的TSOP-6封装和引脚配置。资料中详细列出了两款的绝对最大额定值、静态和动态规格参数，包括漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流、功率耗散等。同时，资料也指出了部分参数在原始数据表中未指定。
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Si3424CDV与Si3424BDV的规格比较
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款N-Channel, 30V (D-S) MOSFET，Si3424CDV和Si3424BDV。两款产品在封装、引脚排列和部分参数上相同，但Si3424CDV在连续漏极电流、功率耗散等方面略优于Si3424BDV。资料还提供了两款产品的绝对最大额定值和典型规格参数，包括栅极阈值电压、漏极-源极导通电阻、总栅极电荷等。
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手机
Vishay为手机应用提供广泛的元器件，包括射频控制、音频控制、视觉显示和电源管理。产品涵盖二极管、MOSFET、红外收发器、功率IC、模拟开关、电阻、电感、电容等，支持SIM卡使用、USB连接、IrDA和蓝牙数据交换等功能。
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笔记本
本资料详细介绍了VISHAY公司为笔记本电脑设计所使用的元器件，包括电源管理、充电器电源、系统硬件、负载开关、光传感器、保护器件等。资料中涵盖了多种类型的元器件，如MOSFET、控制器IC、LDO、红外和红外接收模块、开关和信号开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、电容器、电阻器、NTC和PTC热敏电阻、电感器和EMI滤波器、二次保护保险丝等。资料还提供了不同元器件的详细规格和特性，包括产品名称、状态、描述、特性、封装和Q级。
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笔记本
本资料详细介绍了VISHAY公司为笔记本电脑设计的元器件，涵盖电源管理和硬件设备两大方面。电源管理部分涉及开关模式电源、线性电源等，硬件设备包括SD卡、USB端口、指纹识别系统等。资料中列举了多种元器件，如MOSFET、控制器IC、LDO、红外接收模块等，并提供了产品名称、描述、特性、封装和Q-Level等信息。
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Si3460DDV N沟道20V（D-S）MOSFET
本资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si3460DDV型号N-Channel 20V MOSFET的特性、规格和应用。资料中包含了该MOSFET的绝对最大额定值、电气特性、热阻评级、典型特性曲线、封装信息和安装指南。此外，还提供了关于焊接、热性能和系统电气影响的建议。
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si3429EDV Vishay Siliconix安装小脚TSOP-6功率MOSFET AN823
本资料详细介绍了Vishay Siliconix生产的Si3429EDV型20V P-Channel MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该器件的电气参数、热性能、封装信息以及推荐的应用设计指导。主要内容包括器件的静态和动态特性、绝对最大额定值、热阻等级、典型特性曲线、封装尺寸和安装指南。
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si3443DDV Vishay Siliconix安装小脚TSOP-6功率MOSFET AN823
该资料详细介绍了Vishay Siliconix生产的Si3443DDV型P沟道20V MOSFET的特性、规格和应用。资料包括产品概述、特性、应用、绝对最大额定值、热阻等级、典型特性曲线、封装信息和安装指南。主要内容包括产品参数、电气特性、热性能和系统影响。
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直流-直流设计指南
本文介绍了Vishay Siliconix的DC-DC转换器设计指南，涵盖了开关特性、MOSFET驱动、非隔离拓扑（如Buck、Boost和Buck-Boost转换器）以及隔离拓扑（如Flyback和Forward转换器）。文章详细讨论了开关过程中的关键参数，如导通损耗、开关损耗和关断损耗，并提供了相应的损耗模型。此外，还介绍了同步整流技术及其在提高转换器效率方面的应用。
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