N-Channel 150 V (D-S) MOSFET Si3440ADV
●说明：
■所附的SPICE模型描述了n通道垂直DMO的典型电气特性。在脉冲0 V至10 V栅极驱动下，在-55°C至+125°C温度范围内提取并优化了子电路模型。饱和输出阻抗在阈值电压附近的栅偏压处最适合。
■在避免开关C-gd模型收敛困难的同时，采用了一种新型的栅漏反馈电容网络来模拟栅电荷特性。所有模型参数值均经过优化，以提供与测量的电气数据的最佳拟合，并不打算作为设备的精确物理解释
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产品型号
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品类
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电压量程
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最大功率
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源精度
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T.C.R. PPM/℃
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测量精度
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SMM02040D2672BB300-LST
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贴片圆柱金属膜电阻
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≤200V
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0.25W
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0.1%
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25PPM
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0.001
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