P-Channel 12-V (D-S) MOSFET Si6423DQ
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si6423DQ
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix公司推出的Si6423DQ P沟道12-V (D-S) MOSFET及其SPICE模型。该模型专注于描述p沟道垂直DMOS的典型电气特性，在-55°C至125°C的宽温度范围内，通过0V至5V的脉冲栅极驱动进行提取与优化。技术层面，模型采用新颖的栅极至漏极反馈电容网络来精确模拟栅极电荷特性，有效避免了传统开关Cgd模型在仿真中的收敛困难，所有参数值均经过优化以最佳拟合测量电气数据。关键特性方面，该器件具有0.73V的栅极阈值电压，导通状态漏极电流高达468A，漏源导通电阻低至0.0069Ω，正向跨导为30S。此外，其动态性能表现优异，二极管正向电压为0.80V，总栅极电荷为59nC，导通延迟、上升、关断延迟及下降时间分别为53ns、58ns、270ns和102ns，适用于对功率控制与响应速度要求严苛的电路设计。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该模型，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
加工定制
可定制DC风扇的尺寸范围：15mm~225mm；转速：≤16500 RPM；噪音：≥10.4dB，还可定制厚度、电压、风量、风压等参数，符合 RoHS 标准。
立即提交 IP68防尘防水风扇定制 >>
可定制风扇尺寸范围：30mm~120mm；转速：2000~30000RPM；噪音≥17dB。最大风量范围：3.28~262.39CFM；最大风压范围：1.25~110.83mmH2O；
立即提交 直流无刷风扇定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12-V（D-S）MOSFET Si6423DQ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12-V（D-S）MOSFET Si6423DQ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si6423DQ Vishay Siliconix P沟道12-V（D-S）MOSFET
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si6423DQ Vishay Siliconix P沟道12-V（D-S）MOSFET
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si6423DQ P沟道12-V（D-S）MOSFET
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si6423DQ P沟道12-V（D-S）MOSFET
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si6423DQ P沟道12 V（D-S）MOSFET规格书
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12-V（D-S）MOSFET数据表
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R-C热模型参数Si6423DQ\U RC
Revision: 27-Jun-07
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si8457DB P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si8457DB P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si8457DB P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12v（D-S）MOSFET硅2333dds
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12v（D-S）MOSFET硅2333dds
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12v（D-S）MOSFET硅2333dds
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12v（D-S）MOSFET硅2333dds
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12 V（D-S）MOSFET Si1011X Vishay Siliconix
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si8457DB
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si8457DB
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si8457DB
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si8457DB
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET SiA413ADJ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET SiA413ADJ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET SiA413ADJ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET SiA413ADJ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si8819EDB
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si8819EDB
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si8819EDB
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si5475DDC
Rev. C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si5475DDC
Rev. C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12V（D-S）MOSFET Si5475DDC
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si3477DV P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si3477DV P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si3473CDV P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si3473CDV P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si3473DDV P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si3473DDV P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12v（D-S）MOSFET SiA447DJ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12v（D-S）MOSFET SiA447DJ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12v（D-S）MOSFET SiA447DJ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
P沟道12v（D-S）MOSFET SiA447DJ
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si8483DB P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Si8483DB P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SiA447DJ P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SiA447DJ P沟道12 V（D-S）MOSFET
Rev. B
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
P沟道12 V（D-S）MOSFET Si5411EDU-Vishay Siliconix
该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si5411EDU型号P-Channel 12 V (D-S) MOSFET的特性、规格和应用。资料中包含了该MOSFET的电气参数、典型特性曲线、封装信息以及推荐的应用电路。主要特点包括低导通电阻、高ESD保护、适用于便携式设备、电池开关和负载开关等应用。
阅读原文 >>
P沟道12 V（D-S）MOSFET Si1011X Vishay Siliconix
Vishay Siliconix推出的Si1011X系列P-Channel 12V MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度和良好的ESD保护特性。适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和移动计算设备中的低压栅极驱动负载开关。资料详细介绍了该产品的规格、特性、应用和封装信息。
阅读原文 >>
P沟道12v（D-S）MOSFET SiA447DJ Vishay Siliconix
Vishay Siliconix推出新型P-Channel 12V (D-S) MOSFET——SiA447DJ，采用TrenchFET® Power MOSFET和Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70封装，具有小尺寸、低导通电阻等特点。适用于智能手机、平板电脑、移动计算等设备中的电池开关、电池管理和负载开关等应用。产品规格包括最大漏源电压、栅极源极电压、连续漏极电流等，并提供典型特性曲线和封装信息。
阅读原文 >>
P沟道12 V（D-S）MOSFET Si1401EDH Vishay Siliconix单沟道LITTLE FOOTR SC-70 6引脚MOSFET铜引线框架版本推荐焊盘图案和热性能AN815
Vishay Siliconix推出新型Si1401EDH P-Channel 12V (D-S) MOSFET，具备低导通电阻、高ESD性能和符合RoHS指令等特点。适用于便携式设备中的负载开关、PA开关和电池开关等应用。资料详细介绍了该产品的特性、应用、封装信息和热性能等。
阅读原文 >>
N沟道12v（D-S）和P沟道20v（D-S）MOSFET SiA537EDJ Vishay Siliconix
该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiA537EDJ型号MOSFET的特性，包括N沟道和P沟道两种类型。资料中提供了产品的关键参数，如最大漏源电压、导通电阻、栅极电荷等，并包含了产品的应用场景、热阻评级、典型特性曲线等详细信息。此外，还提供了产品的封装信息和应用笔记，以及法律免责声明。
阅读原文 >>
