P-Channel 12-V (D-S) MOSFET Si6423DQ

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

●说明：
■所附的SPICE模型描述了p通道垂直DMO的典型电气特性。在脉冲0 V至5 V栅极驱动下，在-55°C至125°C温度范围内提取并优化了子电路模型。饱和输出阻抗在阈值电压附近的栅偏压处最适合。

■在避免开关C-gd模型收敛困难的同时，采用了一种新型的栅漏反馈电容网络来模拟栅电荷特性。所有模型参数值均经过优化，以提供与测量的电气数据的最佳拟合，并不打算作为设备的精确物理解释。

●特点
■P通道垂直DMO
■宏模型（子电路模型）
■3级MOS
■适用于线性和开关应用
■在-55°C至+125°C温度范围内精确
■模拟浇口电荷

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P沟道12-V（D-S）MOSFET Si6423DQ

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Si6423DQ Vishay Siliconix P沟道12-V（D-S）MOSFET

31-Mar-08 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si6423DQ型号P-Channel 12-V (D-S) MOSFET。该产品是一款 trenchFET® Power MOSFET，具有低导通电阻和良好的热性能。资料详细描述了产品的特性、应用、电气规格和封装信息。

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31-Mar-08 - 数据手册

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31-Mar-08 - 数据手册

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P沟道12-V（D-S）MOSFET数据表

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R-C热模型参数Si6423DQ\U RC

27-Jun-07 - 数据手册本资料提供了Vishay Siliconix Si6423DQ的R-C热模型参数，包括热阻和热电容的数值，适用于Foster/Tank和Cauer/Filter配置。这些参数是通过曲线拟合技术得出的，并可用于P-SPICE模拟中，以匹配MOSFET的单脉冲、瞬态、热阻抗曲线。

VISHAY - SI6423DQ_RC

SiA447DJ Vishay Siliconix P沟道12 V（D-S）MOSFET

21-May-12 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiA447DJ型号P-Channel 12V (D-S) MOSFET的特性、应用领域和订购信息。该MOSFET采用TrenchFET技术和PowerPAK® SC-70-6L单封装，具有低导通电阻、小封装尺寸和良好的热增强特性。

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P沟道12 V（D-S）MOSFET Si1011X Vishay Siliconix

2-Nov-12 - 数据手册 Vishay Siliconix推出的Si1011X系列P-Channel 12V (D-S) MOSFET，具有TrenchFET® Power MOSFET技术，提供快速开关速度和典型的ESD保护。该产品适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和移动计算设备，具有低电压栅极驱动负载开关和1.2V电源线路负载开关功能。

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P沟道12 V（D-S）MOSFET Si5411EDU-Vishay Siliconix

29-Jul-13 - 应用笔记或设计指南该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si5411EDU型号P-Channel 12 V (D-S) MOSFET的特性、规格和应用。资料中包含了该MOSFET的电气参数、典型特性曲线、封装信息以及推荐的应用电路。主要特点包括低导通电阻、高ESD保护、适用于便携式设备、电池开关和负载开关等应用。

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P沟道12v（D-S）MOSFET SiA477EDJT

29-Aug-16 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiA477EDJT型号P-Channel 12V (D-S) MOSFET。该产品采用TrenchFET Gen III技术和Thermally enhanced PowerPAK SC-70封装，具有低导通电阻、内置ESD保护和适用于智能手机、平板电脑等移动计算设备的特点。

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P沟道12v（D-S）MOSFET SiA447DJ Vishay Siliconix

21-May-12 - 应用笔记或设计指南 Vishay Siliconix推出新型P-Channel 12V (D-S) MOSFET——SiA447DJ，采用TrenchFET® Power MOSFET和Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70封装，具有小尺寸、低导通电阻等特点。适用于智能手机、平板电脑、移动计算等设备中的电池开关、电池管理和负载开关等应用。产品规格包括最大漏源电压、栅极源极电压、连续漏极电流等，并提供典型特性曲线和封装信息。

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P沟道12 V（D-S）MOSFET Si1401EDH Vishay Siliconix单沟道LITTLE FOOTR SC-70 6引脚MOSFET铜引线框架版本推荐焊盘图案和热性能AN815

9-Jul-10 - 应用笔记或设计指南 Vishay Siliconix推出新型Si1401EDH P-Channel 12V (D-S) MOSFET，具备低导通电阻、高ESD性能和符合RoHS指令等特点。适用于便携式设备中的负载开关、PA开关和电池开关等应用。资料详细介绍了该产品的特性、应用、封装信息和热性能等。

VISHAY - AN815,SI1401EDH

HYPERSEMI SiC Mosfet选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供碳化硅功率MOSFET选型。封装包括PDFN5x6、PDFN8x8、TO-220F、TO-247-3L/4L、TO-252、TOLL、TO-263-7L等。漏源电压650V-3300V，漏极电流3.8A-150A，导通电阻13mΩ-1000mΩ。适用于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高功率密度场景。

产品型号	品类	Package	VDS	ID	Rds
CM7N65PDX100	Silicon Carbide Power MOSFET	PDFN5x6	650V	7A	540mΩ

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

HYPERSEMI MOSFET选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供功率MOSFET选型，涵盖N沟道与P沟道器件。封装包括D2PAK、TO-220、TO-247、SO-8等。漏源击穿电压20V-1000V以上，连续漏极电流<1A-300A以上，最大导通电阻从几毫欧至几千毫欧，典型栅极电荷覆盖宽范围。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效开关与低导通损耗的应用场景。

产品型号	品类	Package	Polarity	VDS	ID	Rds(VGS=10V)	VGS(th)	VGS
HMJ8N65PEX100	MOSFET	DFN8x8	N	650V	8.7A	365mΩ	3.58V	±30V

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

乐瓦微MOSFET选型表

选型表 - 乐瓦微乐瓦微MOSFET选型：产品涵盖单管（Single）、互补对（N/P）、双N沟道（N/N）及带ESD保护等细分品类。核心可选参数包括漏源击穿电压Vdss（10V~100V）、连续漏极电流Id（<1A~>100A）、导通电阻Rds(on)（低至几毫欧）、栅极电荷Qg、输入/输出/反向电容（Ciss/Coss/Crss）、栅源阈值电压Vgs(th)、最大功耗Pd及最高结温Tj Max。优势特性为低导通电阻、高开关速度、高压大电流能力及ESD防护。封装形式有SOP8、DFN3x3、TO252、TO263、PowerPAK等。适用于电源转换、电机驱动、电池管理、LED照明及工业控制等场景。

Rdson(mΩ) @VGS4.5V(Typ)