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P-Channel 60 V (D-S) MOSFET Si7461DP
发布时间: 2018-03-14
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
VISHAY(威世)
型号:
Si7461DP
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si7461DP P-Channel 60V (D-S) MOSFET产品。该器件采用TrenchFET®技术,具备低导通电阻和较高的电流处理能力,其绝对最大额定值包括-60V的漏源电压、±20V的栅源电压以及在TJ=150°C条件下-14.4A的连续漏极电流。在封装方面,产品选用低热阻的PowerPAK® SO-8 Single封装,轮廓低至1.07mm,最大结到环境热阻为18°C/W(10秒),稳态热阻为52°C/W,有助于优化散热性能。手册还提供了具体的订单信息,涵盖无铅型号Si7461DP-T1-E3及无铅且卤素免费的Si7461DP-T1-GE3,适用于各种开关应用场景。Vishay在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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P沟道60 V(D-S)MOSFET Si7461DP
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Si7461DP Vishay Siliconix P沟道60 V(D-S)MOSFET
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R-C热模型参数Si7461DP\U RC
Revision: 24-Jul-07
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Si7465DP Vishay Siliconix P沟道60 V(D-S)MOSFET
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P沟道60 V(D-S)MOSFET SUD19P06-60
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S10-2138-Rev. C
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Si3459BDV P沟道60 V(D-S)MOSFET
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Si3127DV P沟道60 V(D-S)MOSFET
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Si3127DV Vishay Siliconix P沟道60 V(D-S)MOSFET
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