P-Channel 60 V (D-S) MOSFET Si7461DP

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

●特性
■TrenchFET®功率MOSFET
■低热阻PowerPAK®封装，1.07 mm小尺寸

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

资料部分预览(2页)

- 预览已结束，资料共 12页，预览全部，请登录/注册 -

立即下载完整资料资料将发送到工作邮箱，自动同步至所有设备，方便管理

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文内容由平台用户转载自Vishay品牌，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于用户通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。

P沟道60 V（D-S）MOSFET Si7461DP

13-Jul-15 - 数据手册

VISHAY - TRENCHFET®功率MOSFET,P-CHANNEL 60 V MOSFET,TRENCHFET® POWER MOSFETS,P沟道60 V MOSFET,SI7461DP-T1-E3,SI7461DP,SI7461DP-T1-GE3

查看更多版本

Si7461DP P沟道60 V（D-S）MOSFET

13-Jul-15 - 数据手册

VISHAY - P沟道60 V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,SI7461DP-T1-E3,SI7461DP,SI7461DP-T1-GE3

查看更多版本

Si7461DP Vishay Siliconix P沟道60 V（D-S）MOSFET

13-Jul-15 - 数据手册本文介绍了Vishay Siliconix的Si7461DP P-Channel 60V (D-S) MOSFET产品。该产品采用TrenchFET®技术，具有低热阻PowerPAK®封装，适用于各种功率应用。产品特性包括低导通电阻、低热阻、高电流处理能力等。

VISHAY - P沟道60 V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,SI7461DP-T1-E3,SI7461DP,SI7461DP-T1-GE3

查看更多版本

R-C热模型参数Si7461DP\U RC

24-Jul-07 - 数据手册本资料提供了Vishay Siliconix Si7461DP的R-C热模型参数，包括在Foster/Tank和Cauer/Filter配置下的热阻和热容值。这些参数通过曲线拟合技术得出，并可在P-SPICE中实现，以匹配MOSFET的单脉冲、瞬态、热和阻抗曲线。

VISHAY - SI7461DP_RC

可编程逻辑控制器（PLC）-新

2021/05/20 - 商品及供应商介绍本资料主要介绍了可编程逻辑控制器（PLC）及其相关元器件的应用概述。内容包括通信接口（USB、Wi-Fi）、输出控制（DC/DC、EMI滤波器、电机驱动、极性保护）、电源供应（AC/DC、DC/DC、滤波器、功率因数校正）、信号输入（保护、电压分压器）等方面的元器件及其特性、封装和等级。

VISHAY - Y FILTER CAPACITOR,PRECISION RESISTORS,OPTOCOUPLER,电阻器,滤波电感器,Y滤波电容器,X FILTER CAPACITOR,射频MLCC,ANALOG SWITCH,FILTER INDUCTOR,BUFFER CAPACITOR,BRIDGE RECTIFIER,超快二极管,TVS DIODE,整流二极管,标准整流器,RECTIFIER DIODE,RESISTOR,X滤波电容,精密电阻器,ESD PROTECTION DIODE,POWER BRAKING RESISTOR,模拟开关,动力制动电阻器,桥式整流器,存储电感器,开关MOSFET,ULTRAFAST DIODE,STORAGE INDUCTOR,电磁干扰滤波器,光耦,TVS二极管,RF MLCCS,ESD保护二极管,STANDARD RECTIFIER,EMI FILTER,SWITCHING MOSFET,缓冲电容器,QUAD HIFREQ SERIES,SIC468,IHLP-1212AB-11,LTO 100,SIC467,SIC469,ACAS 0606 AT,GL24T,V4PAL45,WSLP,VY1 COMPACT,QUAD HIFREQ,ACAS 0612 AT,SIC466,F1772 X2,VY1 COMPACT SERIES,VOMA618A,S4PD,SIR640ADP,S4PB,S4PM,SMA6F5.0A,SI7461DP,S4PK,SMA6F130A,S4PJ,S4PG,IHLP-4040DZ-01,GL05T,KBL005...KBL10,SIC788A,DG2730,IHLP-2525CZ-11,T55,VS-5EWL06FN-M3,SIHH14N65EF,工业应用,INDUSTRIAL APPLICATIONS,楼宇自动化,BUILDING AUTOMATION,MONITOR AND CONTROL MANUFACTURING PROCESSES,监督和控制生产流程

查看更多版本

Si7465DP Vishay Siliconix P沟道60 V（D-S）MOSFET

04-Nov-13 - 数据手册本文档详细介绍了Vishay Siliconix的Si7465DP P-Channel 60 V (D-S) MOSFET的产品特性、规格参数和应用注意事项。该MOSFET采用TrenchFET®技术，具有低热阻PowerPAK®封装，适用于各种开关应用。

VISHAY - P沟道60 V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,SI7465DP-T1-GE3,SI7465DP,SI7465DP-T1-E3

查看更多版本

P沟道60 V（D-S）MOSFET Si7465DP

04-Nov-13 - 数据手册

VISHAY - TRENCHFET®功率MOSFET,P-CHANNEL 60 V MOSFET,TRENCHFET® POWER MOSFET,P沟道60 V MOSFET,SI7465DP-T1-GE3,SI7465DP,SI7465DP-T1-E3

查看更多版本

Si3127DV Vishay Siliconix P沟道60 V（D-S）MOSFET

14-Apr-14 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si3127DV型号P-Channel 60V (D-S) MOSFET的特性、规格和应用。资料包含了产品的绝对最大额定值、热阻评级、典型特性曲线、封装信息以及应用指南。

VISHAY - P沟道60 V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,SI3127DV-T1-GE3,SI3127DV,MO-193C,LOAD SWITCHES,负荷开关,DC/DC变换器,DC/DC CONVERTER

查看更多版本

P通道60 V（D-S）MOSFET SUD08P06-155L-GE3

15-Apr-13 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的SUD08P06-155L-GE3型号P-Channel 60V (D-S) MOSFET。该产品属于TrenchFET® Power MOSFET系列，具有低导通电阻和较高的电流承载能力，适用于各种电源管理应用。

VISHAY - P沟道60 V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,SUD08P06-155L-GE3

查看更多版本

SiSS5623DN P沟道 60 V（D-S）MOSFET 数据手册

2023-01-30 - 数据手册

VISHAY - P沟道60 V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,SISS5623DN,电机驱动控制,MOTOR DRIVE CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,LOAD SWITCH,负载开关,电池管理

Si6459BDQ P沟道60 V（D-S）MOSFET

20-Sep-10 - 数据手册

VISHAY - P沟道60 V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,SI6459BDQ,SI6459BDQ-T1-GE3

查看更多版本

P沟道60 V（D-S）MOSFET SUD19P06-60

31-Oct-11 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的SUD19P06-60型号P-Channel 60 V (D-S) MOSFET。该产品是一款 trenchFET® 功率MOSFET，具有100% UIS测试，符合RoHS指令2002/95/EC。资料中提供了产品的绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装信息。

VISHAY - P沟道60 V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,SUD19P06-60,HIGH SIDE SWITCH,LCD DISPLAY,LCD显示器,全桥变换器,DC/DC变换器,高侧开关,DC/DC CONVERTER,FULL BRIDGE CONVERTER

SUD50P06-15 P沟道60 V（D-S）MOSFET

29-Apr-2019 - 数据手册

VISHAY - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,SUD50P06-15,SUD50P06-15-T4-GE3,SUD50P06-15-GE3,LOAD SWITCH,负载开关

查看更多版本

HYPERSEMI SiC Mosfet选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供碳化硅功率MOSFET选型。封装包括PDFN5x6、PDFN8x8、TO-220F、TO-247-3L/4L、TO-252、TOLL、TO-263-7L等。漏源电压650V-3300V，漏极电流3.8A-150A，导通电阻13mΩ-1000mΩ。适用于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高功率密度场景。

产品型号	品类	Package	VDS	ID	Rds
CM7N65PDX100	Silicon Carbide Power MOSFET	PDFN5x6	650V	7A	540mΩ

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

HYPERSEMI MOSFET选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供功率MOSFET选型，涵盖N沟道与P沟道器件。封装包括D2PAK、TO-220、TO-247、SO-8等。漏源击穿电压20V-1000V以上，连续漏极电流<1A-300A以上，最大导通电阻从几毫欧至几千毫欧，典型栅极电荷覆盖宽范围。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效开关与低导通损耗的应用场景。