P-Channel 20 V (D-S) MOSFET Si5457DC
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si5457DC
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix公司推出的一款新型P-Channel 20V (D-S) MOSFET——Si5457DC。该器件采用先进的TrenchFET®技术，具备低导通电阻、高电流承载能力以及优异的热性能，具体表现为在VGS = -4.5V时RDS(on)低至0.036Ω，ID可达6A，且热阻RthJA为45°C/W。此外，产品符合RoHS指令及IEC 61249-2-21无卤素标准，并经过100% Rg测试，确保了高可靠性。Si5457DC专为便携式设备设计，广泛应用于负载开关、充电开关、电池开关及DC/DC转换器等场景。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Si5457DC P沟道20 V（D-S）MOSFET
Rev. A
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Si5457DC P沟道20 V（D-S）MOSFET
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Si5457DC P沟道20 V（D-S）MOSFET
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si5457DC
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si5457DC
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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表
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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表
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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表
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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表
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Si5457DC Vishay Siliconix P沟道20 V（D-S）MOSFET
Rev. A
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Si5441BDC\ RC Vishay Siliconix R-C热模型参数
Revision: 12-Jun-07
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R-C热模型参数Si5457DC\U RC
Revision: 17-Aug-10
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P通道30 V（D-S）MOSFET Si5419DU Vishay Siliconix PowerPAK®ChipFET®外壳外形封装信息
Rev. B
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Si5458DU N沟道30 V（D-S）MOSFET
Rev. A
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Si5458DU N沟道30 V（D-S）MOSFET
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Si5458DU N沟道30 V（D-S）MOSFET
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Si5499DC\U RC Vishay Siliconix R-C热模型参数
Revision: 20-Jun-07
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P沟道第三代MOSFET聚焦产品
2017/11/03
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N沟道30-V（D-S）MOSFET Si5458DU
Rev. A
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N沟道30-V（D-S）MOSFET Si5458DU
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N沟道30-V（D-S）MOSFET Si5458DU
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N沟道30V（D-S）MOSFET Si5458DU
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Si5458DU Vishay Siliconix N沟道30-V（D-S）MOSFET
Rev. A
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2019/04/11
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2017/11/03
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Si5459DU P沟道20 V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si5459DU P沟道20 V（D-S）MOSFET
Rev. C
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Si5459DU Vishay Siliconix P沟道20 V（D-S）MOSFET
Rev. C
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si5459DU
Rev. C
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si5459DU
Rev. C
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si5459DU
Rev. B
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R-C热模型参数Si5458DUïRC
Revision: 22-Jul-09
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R-C热模型参数Si5459DUïRC
Revision: 22-Jul-09
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功率MOSFET PowerPAK®ChipFET®取代TSOP-6和SO-8 MOSFET，以降低热阻和更小的占地面积
2017/11/05
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N沟道20V（D-S）MOSFET Si5486DU
Rev. C
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N沟道20V（D-S）MOSFET Si5486DU
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N沟道20V（D-S）MOSFET Si5486DU
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
P通道20 V（D-S）MOSFET Si5459DU Vishay Siliconix PowerPAK®ChipFET®外壳外形封装信息
本资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si5459DU型号P-Channel 20V (D-S) MOSFET的特性、规格和应用。资料中包含了该MOSFET的绝对最大额定值、电气特性、热阻评级、典型特性曲线、封装信息和推荐的应用说明。此外，还提供了关于产品可靠性和法律免责声明的信息。
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N沟道30-V（D-S）MOSFET Si5458DU Vishay Siliconix PowerPAK®ChipFET®外壳外形封装信息
Vishay Siliconix推出新型N-Channel 30-V (D-S) MOSFET，型号Si5458DU。该产品采用TrenchFET® Power MOSFET技术，符合RoHS指令，适用于负载开关、HDD DC/DC等应用。产品具有低导通电阻、低栅极电荷等特点，提供详细的规格参数和典型特性曲线。
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N通道20-V（D-S）MOSFET Si5486DU Vishay Siliconix PowerPAK®ChipFET®外壳外形封装信息
该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si5486DU型号N-Channel 20-V (D-S) MOSFET的特性。资料包括产品概述、规格参数、典型特性曲线、封装信息和应用建议。主要特点包括低导通电阻、小型封装、适用于负载开关、PA开关和便携式应用。
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N沟道30-V（D-S）MOSFET Si5418DU Vishay Siliconix PowerPAK®ChipFET®外壳外形封装信息
Vishay Siliconix推出新型Si5418DU N-Channel 30V MOSFET，具备低导通电阻、小型封装和良好的热性能。适用于便携式应用、负载开关、PA开关和电池开关等，支持DC-DC同步整流。产品符合RoHS标准，提供无铅和卤素免费版本。
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P沟道12 V（D-S）MOSFET Si5411EDU-Vishay Siliconix
该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si5411EDU型号P-Channel 12 V (D-S) MOSFET的特性、规格和应用。资料中包含了该MOSFET的电气参数、典型特性曲线、封装信息以及推荐的应用电路。主要特点包括低导通电阻、高ESD保护、适用于便携式设备、电池开关和负载开关等应用。
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N沟道40-V（D-S）MOSFET Si5410DU Vishay Siliconix PowerPAK®ChipFET®外壳轮廓
Vishay Siliconix推出新型Si5410DU N-Channel 40V MOSFET，具备低导通电阻、小型封装和热增强特性，适用于负载开关、PA开关和电池开关等便携式应用，以及DC-DC同步整流。产品符合RoHS标准，提供无铅和卤素免费版本。
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手机
Vishay为手机应用提供广泛的元器件，包括射频控制、音频控制、视觉显示和电源管理。产品涵盖二极管、MOSFET、红外收发器、功率IC、模拟开关、电阻、电感、电容等，支持SIM卡使用、USB连接、IrDA和蓝牙数据交换等功能。
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Vishay为手机应用提供广泛的元器件，包括射频控制、音频控制、视觉显示和电源管理。产品涵盖二极管、MOSFET、红外收发器、功率IC、模拟开关、电阻、电感、电容等，支持SIM卡使用、USB连接、IrDA和蓝牙数据交换等功能。
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Vishay为手机应用提供广泛的元器件，包括射频控制、音频控制、视觉显示和电源管理。产品涵盖二极管、MOSFET、红外收发器、功率IC、模拟开关、电阻、电感、电容等，支持SIM卡使用、USB连接、IrDA和蓝牙数据交换等功能。
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P通道30 V（D-S）MOSFET Si5419DU Vishay Siliconix PowerPAK®ChipFET®外壳外形封装信息
Si5419DU是一款由Vishay Siliconix生产的30V P-Channel MOSFET。该器件采用TrenchFET技术和PowerPAK ChipFET封装，具有低导通电阻、小型封装和符合RoHS指令等特点。主要应用于负载开关等电路。资料详细介绍了其电气特性、典型特性、封装信息和应用建议。
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利用功率mosfet上表面温度估算结温
本文档为Vishay Siliconix的应用笔记AN834，主要探讨了通过测量功率MOSFET顶部表面温度来估算结温的方法。文章通过ThermaSim™软件模拟，分析了不同封装类型的MOSFET（如Si4800BDY、Si4686DY、Si7336ADP等）的结温与顶部表面温度之间的关系，并得出结温上升与顶部表面温度上升成正比的结论。文章还提供了不同封装类型MOSFET的热系数，以供设计工程师参考。
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在VGS=4.5V时，新的突破性技术将导通电阻降低到0.00135Ω
Vishay Intertechnology, Inc. 推出新一代 TrenchFET® Gen IV 功率MOSFET技术，该技术显著降低导通电阻至0.00135Ω（VGS=4.5V），优化关键规格，包括极低的Qgd和Qgd/Qgs比率，提高对CdV/dt门极耦合的免疫性。Thermally enhanced PowerPAK®封装提升系统功率密度，适用于个人电脑、服务器、DC/DC模块、电信设备、游戏机等多种应用。
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中低压N沟道MOSFETs聚焦产品
Vishay Intertechnology公司推出一系列低中压N通道MOSFET，包括40V至100V的PowerPAK® SC-70和SC-75封装，以及80V至250V的ThunderFET®和TrenchFET® GEN IV MOSFET。这些产品采用最新技术，提供超过50%的更低导通电阻，适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器、同步整流和ORing等应用，旨在提高效率并降低功耗。
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