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VISHAY - P沟道20V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET,SI5457DC,SI5457DC-T1-GE3,蓄电池开关,PORTABLE DEVICES,便携式设备,LOAD SWITCH,DC/DC变换器,充电器开关,BATTERY SWITCH,DC/DC CONVERTER,负载开关,CHARGER SWITCH
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06-Sep-10 - 数据手册
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23-Jun-08 - 应用笔记或设计指南 Vishay Siliconix推出新型Si5418DU N-Channel 30V MOSFET，具备低导通电阻、小型封装和良好的热性能。适用于便携式应用、负载开关、PA开关和电池开关等，支持DC-DC同步整流。产品符合RoHS标准，提供无铅和卤素免费版本。
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si5457DC
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SEMTECH ST中低压功率MOS管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科中低压功率MOS管提供选型：产品涵盖N沟道、P沟道以及双管型号，提供包括DFN3030、DFN5060、TO-220FB、TO-247-3、TOLL等14种先进封装形式，适用于电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子及工业控制等广泛领域。该系列MOS管提供全电压段覆盖，从低压12V到高压200V，满足各类电源拓扑的耐压需求。导通电阻低至0.7mΩ，配合大电流能力514A，可实现高效率的功率开关。栅源阈值电压低至0.3V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动，便于直接与MCU或驱动器接口。
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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ESD Protection
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VDS (V)
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ID max (A)Tc= 25°C
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VGS(th) (V)Min
|
VGS(th) (V)Max
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RDSon(mΩ) at 4.5V/Typ
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RDSon(mΩ) at 4.5V/Max
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Qg Typ （nC）
|
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STM3038N02UA1SK
|
中低压功率MOS管
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DFN3030
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N
|
Y
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12
|
87
|
0.3
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1
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2.9
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3.8
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79
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欧创芯（OCX）中低压MOS选型表
选型表 - 欧创芯 欧创芯提供中低压MOSFET选型。耐压60~100V，连续漏极电流2~50A，采用Trench沟槽工艺，阈值电压1.5~1.8V，栅源耐压±20V，提供SOT-23、SOT-23-3L、TO-252-3L封装。导通电阻低至12mΩ@VGS=10V，输入电容321~2030pF。适用于电源管理、电机驱动及LED驱动等功率开关场景。
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产品型号
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品类
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封装
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工艺
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沟道
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Vos_Max(V)
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DMax(A)
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Ves(t)Typ(V)
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Ves_Max(V)
|
C iss_Typ(pF)
|
Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
|
Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
|
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OCT2N10TS
|
中低压MOS
|
SOT-23
|
Trench
|
N
|
100
|
2.0
|
1.5
|
±20
|
321
|
220
|
250
|
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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