RF Schottky diodes As high frequency detectors, mixer and power detector
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
BAT15-02EL; BAT15-02ELS; BAT15-03W; BAT15-04W D; BAT15-05W D; BAT15-04R D; BAT15-099/-099LRH1) D; BAT15-099R Q; BAT17; BAT17-04/W D; BAT17-05 D; BAT17-05W D; BAT17-06W D; BAT17-07 D; BAT24-02LS 4; BAT62; BAT62-02L/-02LS; BAT62-02V/-03W; BAT62-07L4 D; BAT62-07W D; BAT63-02V; BAT63-07W D; BAT68; BAT68-04/W D; BAT68-06; BAT68-06W; BAT15-02EL/-02ELS; BAT15-04W; BAT15-05W; BAT15-04R; BAT15-099/-099LRH1; BAT15-099R; BAT17-04/W; BAT17-05; BAT17-05W; BAT17-06W; BAT17-07; BAT24-02LS; BAT62-07L4; BAT62-07W; BAT63-07W; BAT68-04/W; BAT68-06/W
本数据手册详细介绍了英飞凌RF肖特基二极管，该器件专为高频检测器、混频器和功率检测器设计，是敏感功率检测、采样或混频电路的理想选择。资料重点阐述了产品的核心技术特性，包括低漏电流（低正向电阻）、低信号失真水平、高效率、低功耗以及集成保护环设计，确保了器件在高达24 GHz频率下的卓越性能与稳定性。在应用场景方面，该二极管广泛适用于无线局域网和WiFi路由器、移动设备及ISM频段无线应用中的功率检测，同时也适用于24GHz被动雷达系统以及C和Ku波段LNB接收器中的混频器。针对文中所述器件，Infineon在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
蝙蝠15...
2015-01-27
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蝙蝠17...
2011-06-15
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中功率AF肖特基二极管BAT165...
2007-04-19
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小信号离散射频肖特基二极管高频探测器，混频器或功率均衡
2016/12/24
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BAT15-02LRH型
2015-01-27
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硅射频开关二极管
2011-06-14
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射频PIN二极管最大限度地降低了射频性能的形状因素
06/2016
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| 技术文档 - 英文 |
空间电源管理解决方案
B119-I1090-V2-7600-NA-EC-P
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
PG-TSNP-6-9 封装结构图
2019/10/24
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技术信息IGBT模块DD1200S17H4\U B2
V3.1
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| 数据手册 - 英文 |
IHW30N100T软开关系列低损耗双块：带反并联二极管的沟道和场阻技术中的IGBT
Rev. 2.7
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| 测试报告 - 英文 |
BGB707L7ESD BGB707L7ESD低Q电感低噪声放大器电路，适用于3.3GHz-3.8GHz WiMAX应用
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息D1461S35T D1461S45T
16 June 1997
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| 数据手册 - 英文 |
教授™+12V BTS5045-2EKA智能高压侧电源开关双通道，45mΩ
Rev. 2.1,
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热增强高功率射频低密度半导体场效应晶体管700瓦，50伏，1200–1400兆赫
Rev. 03.3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
封装外形AG-PRIME2-1-1电路图FF900R12IP4
Revision 01.00
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| 数据手册 - 英文 |
TLE6251D带总线唤醒的高速CAN收发器
Rev. 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
IRLB8743PbF HEXFET®功率MOSFET
04/22/09
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
第8-5页
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
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技术信息F12-25R12KT4G
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技术信息FS25R12W1T4
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技术信息FF300R12KE4
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技术信息FF300R12ME4\U B11
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技术信息FF300R12ME4\U B11
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技术信息FF450R12ME4\U B11
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技术信息FF600R12ME4C\U B11
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技术信息FF600R12ME4A\U B11
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技术信息FF600R12ME4A\U B11
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技术信息FF600R12IE4V
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技术信息FF600R12IE4
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应用/方案
BAT15-04W低势垒肖特基二极管BAT15-04W作为Ku波段lnb混频器
本资料介绍了Infineon的BAT15-04W低阈值肖特基二极管在Ku波段单平衡混频器中的应用。资料详细阐述了肖特基二极管的特点、混频器的设计概念和仿真结果，包括转换增益、频率响应等关键性能参数。
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2500w全桥图腾极功率因数校正用Coolgallium氮化物™
本文档为Infineon公司关于2500W全桥推挽式功率因数校正（PFC）演示板的应用笔记。该演示板采用CoolGaN™ e模式HEMT、CoolMOS™ SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，结合1EDi HV MOSFET驱动器，展示了如何利用CoolGaN™技术在功率等级上实现超过99%的效率。文档详细介绍了PFC演示平台的设计、实施细节、启动过程、测量结果和规格参数。
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Application Guide for Mobile Communicationv Infineon（英飞凌） Technologies
本指南详细介绍了Infineon Technologies AG的射频产品组合，针对移动通信应用提供解决方案。内容包括射频开关、低噪声放大器、全球导航卫星系统（GNSS）射频设备、无线局域网（WLAN）、未授权LTE（LTE-U）和授权辅助接入（LAA）射频设备、FM收音机和移动电视射频设备，以及静电放电（ESD）保护设备。指南旨在帮助移动通信设备设计专家轻松找到构建高性能射频前端的合适部件。
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Infineon（英飞凌） Solar Power Solutions
Infineon提供全面的太阳能解决方案，包括OptiMOS™、CoolMOS™、thinQ!™等先进技术产品，旨在提高太阳能应用的效率和可靠性。公司产品涵盖从微逆变器到中央逆变器，包括功率模块、驱动器、控制器等。Infineon通过优化系统成本、提高效率和确保可靠性，满足太阳能行业的需求。
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用于24GHz调频连续波雷达的低势垒射频肖特基二极管BAT24混频器
本文介绍了Infineon Technologies AG的BAT24-02LS低栅栏射频肖特基二极管在24GHz频率下作为FMCW雷达混频器应用的详细信息和设计概念。文章讨论了该二极管在FMCW雷达系统中的应用，包括其设计原理、电路设计、仿真结果以及性能参数。重点介绍了该二极管在频率混频中的应用，以及如何通过电路设计和仿真优化其性能。
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低势垒肖特基二极管BAT62射频功率检测
本资料为Infineon Technologies AG发布的关于低栅栏肖特基二极管BAT62在射频功率检测中的应用笔记。内容主要围绕射频功率检测技术，特别是针对手机等无线通信设备中的峰值功率检测。资料详细介绍了BAT62二极管的特点、电路设计、温度补偿方法以及在实际应用中的性能表现。
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鲁晶半导体：专注于半导体功率器件国产化，产品涵盖10V-5000V全电压段
鲁晶半导体专注半导体功率器件国产化，提供10V-5000V全电压段产品，涵盖硅基与碳化硅肖特基二极管、MOS管等，应用于新能源汽车、光伏储能、工业电源等领域，支持国产替代与技术创新。
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肖特基二极管使用时，有哪些关键注意事项？
本文详细解析了肖特基二极管在电源管理、高频电路、高温高压及多管组合场景下的关键应用注意事项，涵盖散热、漏电流、结电容及均流均压等核心问题，助力工程师优化电路设计。
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