RF Schottky diodes As high frequency detectors, mixer and power detector

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： INFINEON 资料类型：数据手册语言：英文

英飞凌射频肖特基二极管是硅低势垒N型器件，与市场上的其他解决方案不同，它们具有各种结二极管配置（例如，共阳极、共阴极），可用于灵敏功率探测器、采样或混频器电路中。
它们的低势垒高度和非常小的正向电压，以及较低的结电容，使这一系列器件成为高达24ghz频率下功率检测和混频器功能的绝佳选择。
所有英飞凌RF肖特基二极管均符合AEC-Q101标准，建议用于汽车应用。

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蝙蝠15...

2015-01-27 - 数据手册

INFINEON - BAT15-099R,BAT15-099,BAT15-04W,BAT15-05W,BAT15,BAT15-02EL,BAT15-03W,BAT15-02ELS

BAT15-04W低势垒肖特基二极管BAT15-04W作为Ku波段lnb混频器

2010-09-29 - 应用笔记或设计指南本资料介绍了Infineon的BAT15-04W低阈值肖特基二极管在Ku波段单平衡混频器中的应用。资料详细阐述了肖特基二极管的特点、混频器的设计概念和仿真结果，包括转换增益、频率响应等关键性能参数。

INFINEON - BAT15-04W

蝙蝠17...

2011-06-15 - 数据手册

INFINEON - BAT17-05,BAT17-04,BAT17-05W,BAT17-04W,BAT17-06W,BAT17,BAT17-07

中功率AF肖特基二极管BAT165...

2007-04-19 - 技术文档该资料详细介绍了型号为BAT165的中等功率肖特基二极管。该二极管具有750mA的正向电流和40V的反向电压，适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。资料中还包括了最大额定值、电气特性、热阻、封装尺寸和标记信息。此外，还提到了该产品的环保特性（无铅，符合RoHS标准）和静电放电敏感性的注意事项。

INFINEON - BAT165,BAT165...

小信号离散射频肖特基二极管高频探测器，混频器或功率均衡

2016/12/24 - 数据手册

INFINEON - BAT62,BAT63,BAT24,BAT68,BAT15,BAT17,B132-H9117-X-X-7600

2500w全桥图腾极功率因数校正用Coolgallium氮化物™

05-11-2018 - 应用笔记或设计指南本文档为Infineon公司关于2500W全桥推挽式功率因数校正（PFC）演示板的应用笔记。该演示板采用CoolGaN™ e模式HEMT、CoolMOS™ SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，结合1EDi HV MOSFET驱动器，展示了如何利用CoolGaN™技术在功率等级上实现超过99%的效率。文档详细介绍了PFC演示平台的设计、实施细节、启动过程、测量结果和规格参数。

INFINEON - 726-BSS138NH6327,1621974RL,ICE5,1056502,VO618A-3X017TCT-ND,1652981,102-6508,1333642,ICE3PCS01G,PCE5081CT-ND,726-TLE42642GHTSA2,1559145RL,693-0031.8201,1636292,1216450,871-B32924E3335M,IPT65R033G7,483-9559,1702127,127-063,IPT65R033C7,1166531,1702801,2354978,102-6542,9589759,1838753,771-BAT54S-R,771-BAT54S-T,1740669,1467491,296-17328-2-ND,1EDI20N12AF,8034.0103.014,541-4599,M8881-ND,1680099RL,296-13010-2-ND,1EDI60N12AF,ICE3PCS01GXUMA1,570-1039-ND,102-6378,667-16SVPG270M,TC648BEUA-ND,2EDN7524F,8024.3301.028,726-BAT165E6327,71-CRCW0805-25.5K-E3,726-BAT54E6327,8032.0205.012,80-C1808C104KBRACTU,1803413,1741166,COOLMOS™ C7,595-SN74AC08PW,871-B32923C3105M,296-33645-5-ND,P14904-ND,871-B57471V2104J62,726-ICE2QR2280GXUMA1,2147763,296-26090-1-ND,ICE2QR2280G

BAT15-02LRH型

2015-01-27 - 数据手册该资料详细介绍了Infineon Technologies AG生产的BAT15-02LRH型号的硅肖特基二极管。该二极管适用于混频器应用，频率可达24 GHz，具有极低的电感结合超低器件电容，性能稳定，且符合RoHS标准，适用于汽车电子行业。

INFINEON - 射频肖特基二极管,RF SCHOTTKY DIODE,硅肖特基二极管,SILICON SCHOTTKY DIODE,BAT15-02LRH,混频器,MIXER

硅射频开关二极管

2011-06-14 - 数据手册

INFINEON - BAT18-05,BAT18-04

射频PIN二极管最大限度地降低了射频性能的形状因素

06/2016 - 数据手册

INFINEON - BAR63-04/05/06 D,BAR64-02EL,BAR67-04 D,BAR88-02LRH,BAR65-02V,BA895-02V,BAR63-03W,BAR50-03W,-02V,BA885,BAT18-05 D,BAR90-02EL,BAR90-02LRH,BAR90-081LS Q,BAR14-1/15-1/16-1 D,BAR63 -02V,BAR63-04W/05W/06W D,BAR67-02V,BAR65-03W,BAR61,BA592,BAR50-02V,BAR50-02L,BAR64-04W/05W/06W D,BA595,BAR66,BAR88-02V,BAT18-04,BAR90 -02ELS,BAR63-02L,BAR89-02LRH,BAR64-03W,BAR64-04/05/06/*07 D

Application Guide for Mobile Communicationv Infineon（英飞凌） Technologies

2015-07-01 - 应用及方案本指南详细介绍了Infineon Technologies AG的射频产品组合，针对移动通信应用提供解决方案。内容包括射频开关、低噪声放大器、全球导航卫星系统（GNSS）射频设备、无线局域网（WLAN）、未授权LTE（LTE-U）和授权辅助接入（LAA）射频设备、FM收音机和移动电视射频设备，以及静电放电（ESD）保护设备。指南旨在帮助移动通信设备设计专家轻松找到构建高性能射频前端的合适部件。

INFINEON - BGS15AN16,BGSA14GN10,BGM15HA121),BAT15-02ELS,BAR64-06W,BGSA13GN10,BGA7L1N6,BGA7H1N6,BGS12PN9,BFP840FESD,BFR843EL3,BGSA12GN10,BGS12AL7-6,BGS16MN14,BGS12AL7-4,BGS110MN20,WBAR64-06W,BGSA11GN10,BGSF110GN26,BGM7LMHM4L121),BFP843F,BGA751N71),BGA777N71),BGM7LLMM4L121),BAR64-05W,BGA6L1BN61) 4),BGM15LA121),BGSX22GN10,BGSF18DM20,BGS14AN16,BGS22W2L10,BGA7M1N6,BGM7HHMH4L121),BGB707L7ESD,BAR64-02EL,BGS18MN14,BAR64-04W,BGSF1717MN26,BGS12SN6,BAT15-02EL,BGM7MLLM4L121),BGS22WL10,BAR90-02ELS,BGS12PL6,BAR90-02EL,BAR64-05,BAR64-04,BGM7MLLH4L121),BAR64-06,BGA713N71),BGA748L161),BGM15MA121),BGA735N161),BGA6H1BN61) 4),BGS15MA12,BAT62-02V,BGM7LLHM4L121),WBAR64-05,BGA711N71),BGS13PN9

【选型】Infineon（英飞凌）通用二极管，晶体管和小信号MOSFETs选型指南

2010年3月 - 选型指南本资料主要讲述以下产品：通用二极管，二极管，晶体管，小信号MOSFETs，MOSFET，肖特基二极管，数字晶体管，通用晶体管，高速开关，高速开关双晶体管，N沟道MOSFET，P沟道MOSFET，互补MOSFET，耗尽型MOSFET等。

INFINEON - MOSFET,DIGITAL TRANSISTORS,DIODE,肖特基,耗尽型MOSFET,COMPLEMENTARY MOSFETS,GENERAL PURPOSE TRANSISTORS,互补MOSFET,HIGH SPEED SWITCHING,数字晶体管,快速开关双管,通用二极管,SCHOTTKY DIODES,通用晶体管,N沟道MOSFET,P-CHANNEL MOSFETS,晶体管,高速转换,GENERAL PURPOSE DIODES,DEPLETION MOSFETS,FAST SWITCHING DUAL TRANSISTOR,SMALL SIGNAL MOSFETS,N-CHANNEL MOSFETS,小信号MOSFET,TRANSISTORS,二极管,P沟道MOSFET,MURS120T3,RK34LFD2K,TMPT2907A,MURS120T1,B330A,FMB2222A,RN2424,RN2426,NTF3055-100T3G,RN2427,BC807-16W,EGL34G,DAN217U,2SA10220CL,APM2600C,BSP170P,MMBT2222,AG01ZV0,BC808-40,2SA1037K-T,2SA1037K-Q,APM2601C,BSL308PE,2SD10300TL,MMJT9410T1,2SB0709ALL,RN2410,2SB1260,RN2411,RN2402,CH511H-30PT,RN2403,RN2404,RN2405,RN2406,EK14V0,RN2407,RN2408,RN2409,IMZ2A-T108,U1GWJ44N,UNR511400L,2SB0710ALL,ZX5T849G,DTA123JKA,MMBD2836,RB400D,MURS120T3G,BCR583,MBRM140T1,MBRM140T3,RN2422,RN2423,RN2414,BCR573,BCX70H,APM2605C,BCX70J,BCX70K,BC847PN,2SA1037,BSL215C,BCX70G,2SB0709ARL,2SB0710ARL,MBRM120LT3G,PDTA143ZK,BSL215P,PDTA143ZU,2SB14620SL,PDTA143ZT,RB520G-30,2SB07090RL,2SA1048,BAT750,2SC4155A,LL4148-13,2SB0710AQL,BAS40W,BAS416,RL154G,APM2603C,2N5416,DTB113ZK,BSS159N,DTC124E,PMBT4401,DA204K,PMBT4403,DA204U,BC808-25,EC31QS04,2SB0709AQL,BSS308PE,BSL214N,BAT721,2SA10220BL,RT1N430C,DTC124X,BSP171P,PBSS4350Z,2SD133006,HSC119,EL1Z,1SS401,1SS403,1SS400,2SC5053,GPP1032,XP4601-TX,MUN5111DW1T1,DS446,UNR221M00L,DTA123JUA,MBR0540T,MBRS120T3,MA3X71500L,MUN2137T1,2SB0709AWL,KRC104S-I,UMX1N-W,2SB07090SL,BAS70-06,SN7002N,BAS70-07,MA3X72700L,BAS70-04,BAT760,2SB07100RL,BAS70-05,UMT3904T106,MURS120,BSL802SN,PZT751T1G,ZHCS1000TA,BAT754,CMPSH-3TR,PUMH4,2SB1462JHL,MBRA140T3G,BCX71J,BCX71K,DIRB520S,BCX71G,BSH201,BCX71H,BSS223PW,2SB0710ASL,SN7002W,HN1A01FU,2SD1767,2SC2812,DTB114EK,RL1N4003,2SB14340HA,DTC143ZET1,HMBT2222A,KTC3911S,PMST2222A,PMLL4148L,UNR521L00L,DTC143EUA-TLB,PUMB3,MURS105,MBRS2040LT3,MMDL6050T1,DTC144WKA,IMX1-T110,ZXTEM322TA,PBSS5240T,UNR521600L,BYM10-50,MBR150-RL,MMUN2116LT1,MUN5135T1,DTD123YK,MMBTA43LT1,BSS225,2SC2412K,2SD22160SL,MUN2213T1,2SB07090WL,PUMD9,PUMD3,2SD10300SL,NTF3055-100T1G,BST40 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Infineon（英飞凌） Solar Power Solutions

04/2013 - 应用及方案 Infineon提供全面的太阳能解决方案，包括OptiMOS™、CoolMOS™、thinQ!™等先进技术产品，旨在提高太阳能应用的效率和可靠性。公司产品涵盖从微逆变器到中央逆变器，包括功率模块、驱动器、控制器等。Infineon通过优化系统成本、提高效率和确保可靠性，满足太阳能行业的需求。

INFINEON - SP000713528,SP000893966,SP000370610,FF300R12KT3_E,FF200R17KE4,SP000989472,FZ3600R17HP4_B2,FF450R12IE4,FF450R12KE4,FF600R12IE4,BSC190N15NS3 G,SP000370604,F3L300R07PE4,SPB17N80C3,BSC057N08NS3 G,SP000357408,SP000726974,SP000614664,SP000893970,FF200R12KE4,SP000614706,F3L400R07PE4_B26,XMC4100/4200,SP000929996,FF600R12IP4,BSC028N06NS,F3L400R07ME4_B22,XMC4400,F3L300R12ME4_B22,FZ2400R12HP4,F3L400R07ME4_B23,F3L300R12ME4_B23,BAT165,FZ1600R12HP4,2ED020I12-F2,SP000711886,SP000251629,FF300R17KE4,SP000989532,FF900R12IE4,FF400R12KT3_E,F3L300R12PT4_B26,SP000614712,SP000609750,SP000609596,FF1400R12IP4,F3L400R12PT4_B26,SP000609592,SP000609758,SP000711882,SP000609754,FF300R12KE4,FF650R17IE4,BSC060N10NS3 G,FF1000R17IE4,XMC4700,F3L200R07PE4,FF900R12IP4,FF450R17IE4,SP000989586,SP000931258,SP000370620,BSC047N08NS3 G,IPB65R190C6,1ED020I12-F2,BSC016N06NS,BSC042NE7NS3 G,SP000931254,FF1400R17IP4,FF200R12KT3_E,SP000314729,SP000929974,FZ1200R12HE4,SP000609746,SP000713374,SP000929978,XMC4500,IPL60R210P62,SP000478036

用于24GHz调频连续波雷达的低势垒射频肖特基二极管BAT24混频器

22-01-2010 - 应用笔记或设计指南本文介绍了Infineon Technologies AG的BAT24-02LS低栅栏射频肖特基二极管在24GHz频率下作为FMCW雷达混频器应用的详细信息和设计概念。文章讨论了该二极管在FMCW雷达系统中的应用，包括其设计原理、电路设计、仿真结果以及性能参数。重点介绍了该二极管在频率混频中的应用，以及如何通过电路设计和仿真优化其性能。

INFINEON - BAT24

低势垒肖特基二极管BAT62射频功率检测

21-12-2009 - 应用笔记或设计指南本资料为Infineon Technologies AG发布的关于低栅栏肖特基二极管BAT62在射频功率检测中的应用笔记。内容主要围绕射频功率检测技术，特别是针对手机等无线通信设备中的峰值功率检测。资料详细介绍了BAT62二极管的特点、电路设计、温度补偿方法以及在实际应用中的性能表现。

INFINEON - BAT62

空间电源管理解决方案

09/2023 - 技术文档本文介绍了Infineon Technologies及其子公司International Rectifier HiRel Products, Inc.（IR HiRel）在太空电源管理解决方案方面的领导地位。文章涵盖了公司为太空应用提供的高可靠性、辐射硬化（rad hard）功率转换产品，包括MOSFET、门驱动IC、肖特基二极管、整流器和固态继电器等。文章强调了Infineon在太空行业数十年的经验，以及其在辐射硬化硅平台、封装和晶圆尺寸方面的创新，以提高产品的尺寸、性能和效率。此外，文章还介绍了Infineon的高可靠性定制服务，包括COTS+扩展产品认证、晶圆和晶圆片销售、产品寿命延长和射频晶圆厂服务。

INFINEON - 空间功率管理解决方案,行星探索车辆,空间飞行应用,机密任务,卫星