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N-Channel Enhancement Mode SiC MOS P3M12080K4
发布时间: 2020-11-04
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
派恩杰(PN Junction)
型号:
P3M12080K4
本数据手册详细介绍了PNJ半导体公司的P3M12080K4器件,这是一款N沟道增强型碳化硅场效应晶体管。该器件凭借高阻断电压(VRRM = 1200 V)和低导通电阻(RDS(on) = 80 mΩ)的优异电气特性,结合超小Qgd及高频率操作能力,能够显著提高系统效率、增加功率密度并降低热沉需求。此外,该产品已通过AEC-Q101认证,确保了在严苛环境下的可靠性,广泛应用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器以及开关模式电源等领域。PNJ在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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派恩杰官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是派恩杰的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供派恩杰的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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国内领先的第三代半导体功率器件设计公司:派恩杰(PN Junction)
派恩杰(PN Junction)是一家第三代半导体功率器件设计公司(Fabless模式),致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化,主要产品包含碳化硅MOS,碳化硅SBD,氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持,实现开模量产与技术升级,成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件,并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS,填补国内技术产业空白。
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现货平台 / 派恩杰 授权代理店
订货型号 P3M12080K4 品牌 派恩杰
型号系列 P3M12080K4 品类 SIC MOS
描述/说明 1200V,38A,RDS(on)=80mΩ,SIC MOS 封装/外壳/尺寸 TO247-4
最小包装量 600 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
热阻Rjc 0.68℃/W RDSon(TJ=25℃) 80mΩ
RDSon(TJ=175℃) 104mΩ ID(Tc=25℃) 38A
ID(Tc=100℃) 27A PD 221W
ID(pulse) 80A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥40.4560
库存:
0
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订货型号 P3M06040L8 品牌 派恩杰
型号系列 P3M06040L8 品类 N-Channel Enhancement Mode SiC MOS
描述/说明 Qualified to AEC-Q101, High Blocking Voltage with Low On-Resistance, High-Frequency Operation 封装/外壳/尺寸
最小包装量 1 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
VRRM 650V ID 62A
ID (100°C) 39A RDS(on) 40mΩ
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥96.4700
库存:
0
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订货型号 P3M06300D5 品牌 派恩杰
型号系列 P3M06300D5 品类 SIC MOS
描述/说明 650V,9A,RDS(on)=300mΩ,SIC MOS 封装/外壳/尺寸 DFN 5*6
最小包装量 5,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
热阻Rjc 5.86℃/W RDSon(TJ=25℃) 300mΩ
RDSon(TJ=175℃) 296mΩ ID(Tc=25℃) 9A
ID(Tc=100℃) 7A PD 26W
ID(pulse) 14.6A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥5.9930
库存:
0
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订货型号 P2D06006T2 品牌 派恩杰
型号系列 P2D06006T2 品类 SiC SBD
描述/说明 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V, Qc=18nc,IF(≤135℃)=9A,VF=1.4V 封装/外壳/尺寸 TO-220-2
最小包装量 50 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
正向电流IF(25℃)(A) 19 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) 1.5
总电容电荷(nC) 20 功耗(W) 93
等级认证标准 AEC-Q101 工作温度 ﹣55 to+175℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥6.7000
库存:
50
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订货型号 P2D06010T2 品牌 派恩杰
型号系列 P2D06010T2 品类 SiC SBD
描述/说明 650V SiC Schottky Diode,VRRM=650V,Qc=22nc,IF(≤135℃)=13A,VF=1.5V 封装/外壳/尺寸 TO-220-2
最小包装量 1 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
正向电流IF(25℃)(A) 24 正向电压VF(IF=10A,TJ=25℃)(V) 1.5
总电容电荷(nC) 22 功耗(W) 107
等级认证标准 AEC-Q101 工作温度 ﹣55 to+175℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥11.1800
库存:
50
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订货型号 P3M06060G7 品牌 派恩杰
型号系列 P3M06060G7 品类 SIC MOS
描述/说明 650V,44A,RDS(on)=60mΩ,SIC MOS 封装/外壳/尺寸 TO263-7
最小包装量 800 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
热阻Rjc 0.94℃/W RDSon(TJ=25℃) 60mΩ
RDSon(TJ=175℃) 52mΩ ID(Tc=25℃) 44A
ID(Tc=100℃) 31A PD 159W
ID(pulse) 82.56A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥37.8560
库存:
26
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订货型号 P3D06020K3 品牌 派恩杰
型号系列 P3D06020K3 品类 SIC SBD
描述/说明 650V, 20A,SIC SBD 封装/外壳/尺寸 TO247-3
最小包装量 600 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
热阻Rjc 0.79℃/W IF(Tc=25℃) 41/82A
Tc(额定电流) 163℃ 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) 71A
可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) 65A VF(Tc=25℃) 512A
VF(Tc=125℃) 507A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥14.0270
库存:
25
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订货型号 P3D06016K3 品牌 派恩杰
型号系列 P3D06016K3 品类 SIC SBD
描述/说明 650V, 16A,SIC SBD 封装/外壳/尺寸 TO247-3
最小包装量 600 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
热阻Rjc 0.9℃/W IF(Tc=25℃) 32/64A
Tc(额定电流) 160℃ 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) 77A
可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) 66A VF(Tc=25℃) 475A
VF(Tc=125℃) 453A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥12.7790
库存:
20
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世强硬创平台提供P3D06016K3批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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订货型号 P3M173K0K3 品牌 派恩杰
型号系列 P3M173K0K3 品类 SIC MOS
描述/说明 1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS 封装/外壳/尺寸 TO247-3
最小包装量 600 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
热阻Rjc 2.37℃/W RDSon(TJ=25℃)
RDSon(TJ=175℃) 3.6Ω ID(Tc=25℃) 4A
ID(Tc=100℃) 3A PD 63W
ID(pulse) 6.64A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥20.8000
库存:
15
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P3M173K0K3 交期查询 >>
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订货型号 P3D06008T2 品牌 派恩杰
型号系列 P3D06008T2 品类 SIC SBD
描述/说明 650V, 8A,SIC SBD 封装/外壳/尺寸 TO220-2
最小包装量 2,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
热阻Rjc 1.38℃/W IF(Tc=25℃) 26A
Tc(额定电流) 153℃ 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) 60A
可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) 52A VF(Tc=25℃) 727A
VF(Tc=125℃) 697A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥6.3180
库存:
15
世强硬创平台提供P3D06008T2在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
P3D06008T2 在线购买 >>
世强硬创平台提供P3D06008T2样品申请服务,支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试;样品将由原厂审核,世强协助申请,物流全程可追踪,助力加速原型开发与方案选型。
P3D06008T2 样品申请 >>
世强硬创平台提供P3D06008T2批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
P3D06008T2 批量询价 >>
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P3D06008T2 交期查询 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供派恩杰快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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数据手册 - 英文
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P3M12080K4 SiC MOS N沟道增强模式
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P3M12080K4 SiC MOS N沟道增强模式
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P3M12080K4 SiC MOS N沟道增强模式
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Ver. 2.0
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
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Ver. 1.1
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P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
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P3M12040K4 N沟道增强型SiC MOS
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P3M17700K3 N沟道增强型SiC MOS
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P3M12025K4 N沟道增强型SiC MOS
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P3M12120K4 N沟道增强型SiC MOS
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P3M06060T3 N沟道增强型SiC MOS
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P3M06040K3 N沟道增强型SiC MOS
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P3M06040K4 N沟道增强型SiC MOS
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P3M12080K3 N沟道增强型SiC MOS
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N沟道增强型sicmos P3M06040K4
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P3M12017K4 N沟道增强型SiC MOS
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N沟道增强型sicmos p3m060k4
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N沟道增强型sicmos p3m060k4
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P3M06060K4 N沟道增强型SiC MOS
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P3M06040L8 SiC MOS N沟道增强模式
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P3M06120K3 SiC MOS N沟道增强模式
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技术论坛
三合一电源项目,前级PFC部分需要耐压值1200V,平均电流30A以上的SIC二极管,要求反向恢复时间要低,是否有合适的方案推荐?
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3KVA车载DC-DC项目中,需要一款1200V 80mΩ的SIC二极管;要求过车规认证,封装为TO-247-4封装,是否有合适的方案推荐?
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激光电源项目需要1200V/20A的SIC mos,有没有合适的推荐?
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新能源车上的逆变器需要一款国产的SiC MOS,TO247-4,1200V 80mΩ,汽车级/Automotive(E级),AEC-Q101,有推荐吗?
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应用/方案
PNDM12P242A1:采用TO-247-3/-4封装的PNJ SiC MOSFET动态特性评估板
本资料为PNJ公司提供的SiC MOSFET动态特性评估板PNDM12P242A1的应用指南。该评估板旨在评估PNJ公司1200V/650V SiC MOSFET在TO-247-3/4封装下的动态特性。资料详细介绍了评估板的组成、结构、工作原理以及如何进行双脉冲测试,包括测试电路、波形分析和测试步骤。资料还提供了相关元件的清单和原理图,以供设计人员参考。
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【应用】派恩杰N沟道碳化硅MOSFET用于车载充电机,具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点
某客户在设计一款11KW的双向OBC。在该项目中需求一款N沟道碳化硅MOSFET。规格要求:电压1200V,内阻80ohm,封装:TO247-4;要求过车规认证。本文推荐派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4。
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PNJ公司简介
PN JUNCTION SEMICONDUCTOR CO.LTD.(PNJ)是一家专注于宽禁带功率电子半导体器件的公司。公司拥有ISO9001:2015认证,是JEDEC的关键成员,参与SiC和GaN相关标准的制定。PNJ拥有40多项专利和100多项工艺知识,是全球领先的SiC代工厂之一。公司产品包括SiC二极管和MOSFET,广泛应用于汽车、工业和消费电子领域。资料中详细介绍了PNJ的产品线、技术优势、市场定位和客户测试数据。
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